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* * 可靠性测试与失效分析 聚焦离子束 应用 微线路修改（Microcircuit Modification） 可直接对金属线做切断、连接或跳线处理. 相对于再次流片验证, 先用FIB工具来验证线路设计的修改, 在时效和成本上具有非常明显的优势. 测试键生长（Test Pad/Probing Pad Building） 在复杂线路中任意位置镀出测试键, 工程师可进一步使用探针台(Probe station) 或 E-beam 直接观测IC内部信号. 纵向解剖 Cross-section SEM扫描电镜/TEM透射电镜的样片制备. * * 可靠性测试与失效分析 致谢 8.致谢 感谢Foxconn提供这次培训演讲的机会，也促使了自己的提高。 感谢BCD产品工程部资深经理朱文龙在资料编写的支持。 感谢BCD产品工程部高宝嘉教授的指导。 感谢BCD封状工程师许黎明提供的部分资料。 * * 可靠性测试与失效分析 参考文献 “产品的可靠性”，余勇，BCD培训材料。 “质量工程师手册”，主编张公绪，孙静，企业管理出版社 “失效率λ(t)的计算”，/club/viewthread.php?tid=1107 “PRODUCT RELIABILITY and HVST OVERVIEW”, R. McWithey, Freescale. “电子元器件失效分析技术”, 张红波。 “半导体技术天地”, 。 * * 可靠性测试与失效分析 提问 Questions? * * 可靠性测试与失效分析 Thanks! * * 可靠性测试与失效分析 栓锁触发试验 6.线路设计相关的可靠性试验 §6.1 栓锁触发试验（Latch-up） 目的：检验产品触发栓锁的阀值条件。 条件：尽量让器件处于最坏工作条件下，从各引脚输入大电压或电流作为触发源，检查撤去触发源后电源电流判断是否发生栓锁。 失效机理：内部寄生的双极正反馈结构在大电应力或瞬变电应力下被激发，导致电源电流无限增大（近似电源与地短路），触发源撤去后，寄生正反馈结构仍在工作，直致电源撤去或电路被烧毁。 * * 可靠性测试与失效分析 静电放电试验 §6.2 静电放电试验（ESD） 目的：检验产品承受静电放电的能力。 条件：模拟人体/设备/器件放电的电流波形，按规定的组合及顺序对器件各引出端放电。 失效机理：强电场导致栅氧击穿/MOS电容击穿、 大电流发热导致多晶电阻烧毁/PN结区硅烧熔/金属间电弧等.在高环境温度下，热致失效所需的静电能量越低。另有潜在性失效，使器件抗静电能力下降，寿命缩短，而实际使用中出现的静电失效大多为潜在性失效。 * * 可靠性测试与失效分析 静电放电试验 * * 可靠性测试与失效分析 静电放电试验 * * 可靠性测试与失效分析 失效分析 * * 可靠性测试与失效分析 失效分析基本概念 1.失效分析基本概念 目的： 确定失效模式和失效机理，提出纠正措施，防止这种失效模式和失效机理重复出现。 失效模式：指观察到的失效现象、失效形式，如开路、短路、参数漂移、功能失效等。 失效机理：指失效的物理化学过程，如疲劳、腐蚀和过应力等。 * * 可靠性测试与失效分析 失效原因 §1.1 失效原因 引起开路失效的主要原因： 过电损伤、静电击穿、金属电迁移、金属的化学腐蚀、压焊点脱落、闩锁效应。 其中淀积Al时提高硅片的温度可以提高Al原子的晶块体积，可以改善电迁移。 V I 闩锁效应电源对地的I－V曲线 * * 可靠性测试与失效分析 失效原因 引起漏电和短路失效的主要原因： 颗粒引发短路、介质击穿、PN结微等离子击穿、Si－Al互溶。 Al 穿钉 V I V I 正常PN结反向曲线 微等离子击穿PN结反向曲线 * * 可靠性测试