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第三章 逻辑门电路 3.1 晶体管的开关特性 3.2 基本逻辑门电路 3.3 TTL逻辑门 3.4 其他双极型电路 3.5 MOS 逻辑门 3.6 编程逻辑器件 (PLD)简介 P = 0 (低电平) D3 导通 T2 、T4截止 uQ ≤ 1 V T3、D 截止 输出端与上、下均断开 +VCC +5V R1 A T1 T2 T3 T4 D R2 R3 R4 Y B 1 D3 可能输出状态： 0、1 或高阻态 Q P — 高阻态 记做 Y = Z 使能端 3. 应用举例： (1) 用做多路开关 Y A1 1 EN 1 EN A2 1 G1 G2 使能端 1 0 禁止 使能 0 1 使能 禁止 (2) 用于信号双向传输 A1 1 EN 1 EN A2 1 G1 G2 0 1 禁止 使能 1 0 使能 禁止 (3) 构成数据总线 EN 1 EN 1 EN 1 … G1 G2 Gn A1 A2 An 数据总线 0 1 1 … 1 0 1 … 1 1 0 … 注意： 任何时刻，只允许一个三态门使能， 其余为高阻态。 3.4 其他双极型电路 3.4.1 ECL电路 射极耦合逻辑,简称ECL,它是非饱和型电路,主要特点是有极高的工作速度,负载能力强功耗很大，抗干扰能力较差。 3.4.2 I2L电路 集成注入逻辑，简称I2L电路，主要特点是集成度很高，功耗较低，工作电源电压低，工作电流低，但输出电压幅度小，工作速度低。 3. 5 MOS 逻辑门 3.5.1 MOS场效应管 1. 结构和特性： (1) N 沟道 栅极 G 漏极 D B 源极 S 3V 4V 5V uGS = 6V iD /mA 4 2 6 4 3 2 1 0 uGS /V iD /mA 4 3 2 1 0 2 4 6 8 10 uDS /V 可 变 电 阻 区 恒流区 UTN iD 开启电压 UTN = 2 V + - uGS + - uDS 衬 底 漏极特性 转移特性 uDS = 6V 截止区 　　P 沟道增强型 MOS 管 与 N 沟道有对偶关系。 (2) P 沟道 栅极 G 漏极 D B 源极 S iD + - uGS + - uDS 衬 底 iD /mA iD /mA -2 -4 0 -1 -2 -3 -4 0 -10 -8 -6 -4 -2 - 3V - 4V - 5V uGS = - 6V -1 -2 -3 -4 -6 uGS /V uDS /V 可 变 电 阻 区 恒流区 漏极特性 转移特性 截止区 UTP uDS = - 6V 开启电压 UTP = - 2 V 参考方向 3. MOS 管的开关特性 (1) N 沟道增强型 MOS 管 +VDD +10V RD 20 k? B G D S uI uO +VDD +10V RD 20 k? G D S uI uO 开启电压 UTN = 2 V iD +VDD +10V RD 20 k? G D S uI uO RON RD (2) P 沟道增强型 MOS 管 -VDD -10V RD 20 k? B G D S uI uO -VDD -10V RD 20 k? G D S uI uO 开启电压 UTP = - 2 V -VDD -10V RD 20 k? G D S uI uO iD 3.5.2 NMOS 逻辑门 MOS管截止 2. MOS 管导通（在可变电阻区） 真值表 0 1 1 0 A Y +VDD +10V RD 20 k? B G D S uI uO 1. + - uGS + - uDS 故  +VDD +10V B1 G1 D1 S1 uA uY TN TP B2 D2 S2 G2 VSS + - uGSN + - uGSP 3.5.3 CMOS 逻辑门 一、 CMOS 非门 1.电路组成及工作原理 A Y 1 0V +10V uA uGSN uGSP TN TP uY 0 V UTN UTP 截止 导通 10 V 10 V UTN UTP 导通 截止 0 V UTN = 2 V UTP = - 2 V +10V RONP uY +VDD 10V S TN TP +10V RONN uY +VDD 0V S TN TP 输入端保护电路: C1、C2 — 栅极等效输入电容 (1) 0 uA VDD + uDF (2) uA VDD + uDF D 导通电压： uDF = 0.5 ~ 0.7 V (3) uA - uDF 二极管导通时，限制了电容两端电压的增加。 保护网络 +VDD uY uA TP D1 C1 C2 RS TN D2