第二章磁敏传感器3-7.ppt

第二章 磁敏传感器 对于3BCM磁敏三极管，当采用补偿措施时，其正向灵敏度受温度影响不大。而负向灵敏度受温度影响比较大，主要表现为有相当大一部分器件存在着一个无灵敏度的温度点，这个点的位置由所加基流（无磁场作用时）Ib0的大小决定。当Ib04mA时，此无灵敏度温度点处于+40℃左右。 当温度超过此点时，负向灵敏度也变为正向灵敏度，即不论对正、负向磁场，集电极电流都发生同样性质变化。 因此，减小基极电流，无灵敏度的温度点将向较高温度方向移动。当Ib0=2mA时，此温度点可达50℃左右。但另一方面，若Ib0过小，则会影响磁灵敏度。所以，当需要同时使用正负灵敏度时，温度要选在无灵敏度温度点以下。 （5）磁灵敏度 磁敏三极管的磁灵敏度有正向灵敏度 和负向灵敏度 两种。其定义如下： 式中 —受正向磁场B+作用时的集电极电流； —受反向磁场B-作用时的集电极电流； —不受磁场作用时，在给定基流情况下的集电极输出电流。 （4）频率特性 3BCM锗磁敏三极管对于交变磁场的频率响应特性为10kHz。 (2.6-32) （三）磁敏二极管和磁敏三极管的应用 由于磁敏管有效高的磁灵敏度，体积和功耗都很小，且能识别磁极性等优点，是一种新型半导体磁敏元件，它有着广泛的应用前景。 利用磁敏管可以作成磁场探测仪器—如高斯计、漏磁测量仪、地磁测量仪等。用磁敏管作成的磁场探测仪，可测量10-7T左右的弱磁场。 根据通电导线周围具有磁场，而磁场的强弱又取决于通电导线中电流大小的原理，因而可利用磁敏管采用非接触方法来测量导线中电流。而用这种装置来检测磁场还可确定导线中电流值大小，既安全又省电，因此是一种备受欢迎的电流表。 此外,利用磁敏管还可制成转速传感器(能测高达每分钟数万转的转速),无触点电位器和漏磁探伤仪等。 （四）、常用磁敏管的型号和参数 3BCM型锗磁敏三极管参数表 参 数 单 位 测试 条件 规范 A B C D E 磁灵敏度 % Ec=6V, RL=100Ω, Ib=2mA, B= 0.1T 5~10 10~15 15~20 20~25 25 击穿电压BUcco V Ic=1.5mA 20 20 25 25 25 漏电流Icc0 Vcs=6A ≤200 ≤200 ≤200 ≤200 ≤200 最大基极电流 mA Ec=6V RL=5kΩ 4 功耗Pcm mW ? 45 使用温度 ℃ ? -40~65℃ 最高温度 ℃ ? 75 mA 3CCM型硅磁敏三极管参数表 参数 单 位 测试条件 规范 磁灵敏度 % Ec=6V Ib=3mA B= 0.1T 5% 击穿电压BUcco V Ic=10 ≥20V 漏电流Icc0 Ice=6A ≤5 功耗 mW ? 20mW 使用温度 ℃ ? -40~85℃ 最高温度 ℃ ? 100℃ 温度系数 %/℃ ? -0.10~-0.25%/℃ 三、磁敏电阻 是一种电阻随磁场变化而变化的磁敏元件，也称MR元件。它的理论基础为磁阻效应。 （一）? 磁阻效应 若给通以电流的金属或半导体材料的薄片加以与电流垂直或平行的外磁场，则其电阻值就增加。称此种现象为磁致电阻变化效应，简称为磁阻效应。 (c)双磁铁滑近式 为激励传感器开关的接通，往往把磁铁的S极对着传感器正面，如果在传感器的背面也设置一磁铁，使它的N极对着传感器的背面，就会获得大得多的磁场。 传感器 滑近 S N N S 图2.6-22 双磁铁滑近式结构示意图 (d)翼片遮挡式 翼片遮挡方法就是把铁片放到磁铁与传感器之间，使磁力线被分流、傍路，遮挡磁场对传感器激励。当磁铁和传感器之间无遮挡时，传感器被磁铁激励而导通；当翼片转动到磁铁和传感器之间时，传感器被关断。 图2.6-23 翼片遮挡器的形状 片状 筒状 霍耳开关集成传感器的应用领域：点火系统、保安系统、转速、里程测定、机械设备的限位开关、按钮开关、电流的测定与控制、位置及角度的检测等等 (e) 偏磁式 在传感器背面放置固定的磁铁加入偏磁，就可以改变传感器的工作点