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第4章 微机的存储器 4.1 存储器与存储器件 4.2 内部存储器组织 4.1 存储器与存储器件 1. 存储器的分类 2. 微型计算机内存的行列结构 3. 选择存储器件的考虑因素 4. 随机存取存储器RAM 5. 只读存储器ROM 1. 存储器的分类 （1）内存储器 通过CPU的总线直接与CPU连接，可与CPU直接交换信息。 用来存放CPU当前运行所需的程序和数据。 采用半导体存储器，存取速度快，体积小，集成度高，成本低，具有一定容量。 （2）外存储器 通过I/O接口电路与CPU连接， CPU不能直接访问它，需要时可以成批地与内存直接交换信息。 用来存放暂时不参加运行的程序和数据。 采用磁表面存储器和光盘存储器，密度高，存储容量大，可以永久性保存信息，但速度较低。 2）半导体存储器 采用半导体技术制造的存储器。 （1）按读写功能分类 随机存储器(RAM) 在程序的执行过程中能随机读出信息，又能随机写入信息。 是一种易失性的存储器，即断电后所存信息丢失。 只读存储器(ROM) 在程序的执行过程中只能随机读出信息，不能写入信息的存储器。 是一种非易失性的存储器。 （2）按制造工艺分类 TTL型 存取速度快，集成度较低，功耗较大，成本较高 常用于作为高速缓冲存储器Cache MOS型 集成度高，功耗低，价格低 常用于作为内存储器，也可作为I/O接口数据存储器 2. 微型计算机内存的行列结构 例如：RAM芯片的基本结构 芯片容量的表示 32K×8的SRAM芯片62256，表明该存储芯片含有32K(即215)个存储单元，也就是32×1024×8个基本存储电路，芯片的数据线有8根，地址线有15根，片内的地址范围为0000H～7FFFH。 （n=15、m=8 ） 3.选择存储器件的考虑因素 易失性 只读性 存储容量 速度 功耗 4. 随机存取存储器RAM RAM按工作方式可分为 静态RAM(SRAM) 动态RAM(DRAM SRAM在不断电的条件下能够保持所存信息，无需刷新，且为非破坏性读出。 DRAM在不断电的条件下不能够保持所存信息，需要定时刷新，且为破坏性读出。 1）SRAM （1）SRAM基本存储电路 6个MOS管组成的RS触发器 （2）典型SRAM芯片2114(1K×4)、6116(2K×8)、6232(4K×8)、6264(8K×8)和62256(32K×8)等。 2）动态RAM（DRAM） 注意： 由于电容的泄漏，信息不可能长期保存，需要定期对Cs刷新。 破坏性读出。读出时，需要立即进行重写。 读出信息需要经鉴别能力强的放大器放大后送到DB，CPU才能正确读取。 （2）典型DRAM芯片 2116(16K×1)、2164(64K×1)、 4164(64K×1) （3）高集成DRAM（RAM Modules） 多片DRAM集成→内存条 SIMM 30P，单边缘：8位数据宽度 72P，32位数据宽度 DIMM 168P ，64位数据宽度 例：KMM375S1620BT 16M*72bit (条上包括18片16M×4位的SDRAM芯片及一些辅助芯片） 5. 只读存储器ROM 按信息写入的方式不同可分为： 掩膜型ROM 可编程ROM（PROM） 可擦除、可编程ROM（EPROM） 可用电擦除、可编程ROM（E2PROM） 闪烁存储器（Flash Memory） 1）掩膜型ROM 采用掩膜工艺，将固定的程序代码直接注入ROM芯片内，用户不能修改其内容。 掩膜ROM大量生产时，成本很低。 3）可擦除、可编程ROM（EPROM） （1）基本存储电路 以浮空栅极是否带电荷来表示存有“0”信息或者“1”信息。 EPROM的擦除为整片擦除。用紫外线光源照射擦除信息，恢复初始全“1”信息状态。 （2） EPROM工作方式 读方式 编程方式 检验方式 （3）典型EPROM芯片 2716(2K×8) 2732(4K×8) 2764(8K×8) 27128(16K×8) 27256(32×8) 27512(64×8) 4）可用电擦除、可编程ROM（E2PROM） 通过一定的电压（或电流）来擦除其中的信息，能在线改写。 E2PROM工作方式 读方式 写方式 字节擦除方式 整体擦除方式 并行E2PROM和串行E2PROM 并行E2PROM ：多位数据线，同时进行访问。 串行E2PROM ：只有一位数据线。 5）闪烁存储器（Flash Memory） Flash Memory既可在不加电情况下长期保存信息，又能在线进行快速擦除与重写，兼有RAM和ROM的优点。 按照擦除和使用方式，Flash Memory有三类： 整体型 块结构型 带自举块型 通过向Flash Memory芯片写入命令字来实现某种功能。 4.2