器件物理(1-2)总汇.ppt

* 2.6 应用 * 2.6 应用 * 2.6 应用 * * 直接隧穿（直接带隙半导体），间接隧穿（间接带隙半导体） 由于动量守恒要求，间接隧穿要有声子辅助，因此，直接隧穿几率大于间接隧穿。 * 2.3.2 隧道几率和隧道电流 1. 隧道几率 由量子力学的WKB（文策耳-克莱默-布里渊法）近似，隧穿几率 可见P取决于Eg和△x~掺杂浓度。 K=1.33 K=2.0 K=1.59 * 2.隧道电流 假设： 1）小电压下，P为常数； 2）状态密度函数∝（E-EC)1/2和(EV-E)1/2; 3）qVn和qVp≤2kT； 分布函数线性近似 正向隧道电流 2.3.3 过量电流 V≥Vp+Vn，隧道电流应为0 过量电流：谷电流+指数过量电流 * 谷电流：重掺杂半导体的带尾效应，造成禁带变窄，从而导致势垒变窄，隧道电流加强。对隧道二极管，重掺杂是必要条件，因此谷电流不可避免。 * 指数过量电流：载流子通过禁带中的能级发生的隧道效应电流，这种隧道电流Ix随V电压指数上升。 * 2.3.4 等效电路 等效电路如图所示，RS为串联电阻包括欧姆接触、引线和材料的扩展 电阻；LS为串联电阻电感；C为突变结电容。负阻区开始点的斜率为 最小负阻，近似为：Rmin≈2Vp/Ip * 隧道二极管阻抗： 令电阻部分为0，得电阻截止频率 令电抗部分等于0，得电抗截止频率 * 2.3.5 反向二极管 当p区和n区掺杂浓度达到弱简并状态，但费米能级未进入导带或价带。能带如下图所示： * 但因高掺杂效应使得势垒区宽度Xd很小，正向特性无隧道电流发射条件，无负阻或很小负阻效应；反向特性因薄势垒，存在很大隧道电流。 问题：为什么图（b）存在正向负阻现象？ 反向二极管，在零偏附近特性曲线有较大的曲率，比点接触二极管检波和混频特性更好，常用于小信号微波检波和混频。 * 2.3.6 负阻概念 普通电阻: R=V/I 电压与电流同相，R＞0，为正阻。 电阻消耗的能量P=I2R P＞0，为耗能元件。 负阻R负: R负=-V/I=-R 电压与电流反相，R负＜0，为负阻。 负阻消耗的能量P负=-I2R P负＜0，为能量供给元件。 * 正阻包括非线性电阻，电流随电压的增加而增加； 而负阻特性电压增加，电流减小。 负阻的作用： 交流振荡：如图所示，i(t)与v(t)反相，直流能量I0V0→i(t)v(t)交流振荡； 交流放大： 若R＜RL，则Av＞1，产生放大。 * §2.4 崩越二极管 IMPATTD(IMPact Avalanche Transit Time Diode) 雪崩二极管利用p-n结的雪崩倍增和载流子的渡越效应产生负阻效应，能够产生微波震荡，雪崩二极管主要用于大功率微波振荡器。优点是结构电路简单、输出功率大、效率高、高频特性好。缺点是噪声大，电压高。 1958年 Read 提出N+-P-I-P+结构可产生微波震荡； 1965年 Johnston观察到p-n结的微波震荡效应；同年Lee制成了Read二极管； 1966年 Misawa证明任何杂质分布的p-n结都可产生碰撞电离、雪崩渡越时间决定的微波震荡； 1967年Prager和K. N. Chang 发现了俘越模式的雪崩二极管。 雪崩二极管采用Si、Ge和GaAs制作。 * 碰撞电离 雪崩倍增 雪崩倍增因子 雪崩倍增条件 §2.4.1 雪崩倍增 * 2.4.3 崩越振荡机理 以Read二极管（ N+PIP+ ）为例，负阻特性是由于雪崩倍增过程和载流子的渡越时间所造成的电流和电压的相移而产生的。 假设：载流子的电离率相等αn=αp=α，发生雪崩击穿， 雪崩区0~xA：临界直流电压VD+射频电压v(t)， v(t)正半周，雪崩击穿； v(t)负半周，雪崩停止。 漂移区xA~xA+W：雪崩产生的载流子进入漂移区以饱和速度通过漂移区，渡越时间τ=W/vd。 * 波形分析： 雪崩区：射频电压v正半周时，0~π/2，N+P结开始发生击穿，积累电子空穴对，形成Ia ；π/2~ π范围，继续雪崩过程积累电子空穴对，Ia增加； π~ 3π /2，雪崩击穿结束，雪崩区积累的载流子（空穴）进入漂移区， Ia继续存在，但不断减小； I