电流源电路和差动又称差分放大电路.docVIP

第3章 电流源电路和差动（又称差分）放大电路 内容提要： 本章首先讨论常用在集成运放中的几种电流源的形式及其主要应用，然后讨论差动放大电路的工作原理及计算。 本章重点： Io和IR的计算。 2．典型差动放大电路的工作原理及计算。 学习要求： 2．掌握差模信号、共模信号的定义与特点。 3．掌握长尾型和恒流源共模负反馈两种射极耦合，差动放大器的电路结构、特点，会熟练计算电路的静态工作点，熟悉电路的4种连接方式及输入输出电压信号之间的相位关系。 4. 要求会熟练分析差动放大器对差模小信号输入时的放大特性，共模抑制比。会画出微变等效电路，会计算AVd、Rid、Rod、KCMR。 5．会运用晶体管工作在有源区时的大信号特性方程ic=Isexp(Vbe/Vt)分析研究差动放大器的差模传输特性。了解基本的差动放大器线性放大的输入动态范围和扩大线性输入动态范围的办法。 6．定性了解差动放大器的各种非理想特性，如输入失调特性、共模输入电压范围等。 3.1 电流源电路 3.1.1 三极管电流源 电流源是模拟集成电路中广泛使用的一种单元电路，如 图3.1.1所示。 对电流源的主要要求是： （1）能输出符合要求的直流电流Io。 （2）交流电阻尽可能大。 三极管射极偏置电路由VCC、Rb1、Rb2和Re组成，当VCC、Rb1、Rb2、Re确定之后，VB固定（Ib），Ic基本恒定。从三极管的输出特性曲线可以看出：三极管工作在放大区时，Ic具有近似恒流的性质。当Ib一定时，，VCEQ一般为几伏，RCE不大。 交流电阻为， 3.1.2 MOS单管电流源 耗尽型MOS管组成单管电流源，如图3.1.2所示。 由交流等效电路图3.1.3得： 在分立元件电路中和某些模拟集成电路中，JFET接成的电流源。 图3.1.2 耗尽型MOS管电流源 图3.1.3 交流等效电路 3.1.3 基本镜像电流源 基本镜像电流源电路如图3.1.4所示。 T1、T2参数完全相同（β1=β2，ICEO1=ICEO2）：VBE1=VBE2，所以IC1=IC2 IREF——基准电流： β2时，IC2= IC1≈IREF≈ 优点： （1）IC2≈IREF，IC2不仅由IREF确定，IREF相等。 （2）T1对T2具有温度补偿作用，IC2（，IC2增大，IC1增大，IREF一定，IB减少，IC2减少） 缺点： （1）IREF（IC2）， （2）适用于较大工作电流（mA）IC2下降，R就必须增大， （3）交流等效电阻Ro不够大， （4）IC2与IREF的镜像精度决定于β。当β较小时，IC2IREF 的差别不能忽略。 1. 带有缓冲级的基本镜像电流源（改进电路一） 图3.1.5是带有缓冲级的基本镜像电流源，，T3，T1、三极管T2的IB对IR的分流作用，，β值不够大带来的影响。 此时镜像成立的条件为β1(β3+1)2，，，T的β值相对低些。 2. 比例电流源（改进电路二） 图3.1.6是带有发射极电阻的镜像电流源，，Re1=Re2， ≈ 求T2的输出电阻Ro：  ≈ 输出阻值较大，所以这种电流源具有很好的恒流特性。温度稳定性比基本的电流源好得多。 若此电路Re1不等于Re2， VBE1+IE1Re1=VBE2+IE2Re2 （，IE1IR，IE2Io） Io 参数对称的两管在IC相差10倍以内时，|VBE1-VBE1|60mV。 ，Io与IR接近，IR较大，ΔVBE可忽略。 ≈ 即只要合理选择两T射极电阻的比例，Io、Ro。因此， 3.1.4 微电流源 有些情况下，要求得到极其微小的输出电流IC2，这时可令比例电流源中的Re1=0，如图3.1.7即可以在Re2不大的情况下得到微电流IC2。 原理：当IR一定时，Io可确定为： ≈ 可见，利用两管基-射电压差ΔVBE可以控制Io。由于ΔVBE的数值小，用阻值不大的Re2即可得微小的工作电流——微电流源。 微电流源特点： （1）T1，T2，VCC、R、Re2已知时，≈（略去VBE），当VBE1、VBE2为定值时，也确定了。 （2）当VCC变化时，IREF、ΔVBE也变化，Re2的值一般为千欧级，变化部分主要降至Re2上，即ΔVBE2ΔVBE1，IC2的变化远小于IREF的变化。因此电源电压波动对工作电流IC2影响不大。 （3）T1管对T2管有温度补偿作用，IC2的温度稳定性好。总的说来，R不大时IC2可以很小（微安量级）。稳——Re2（负反馈）使恒流特性好，温度特性好， IoRe2=VBE1-VBE2 而 IC≈ 若 则