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多孔硅电子发射源 三、MIM型场发射电子源研究进展 MIM型场发射电子源 三、MIM型场发射电子源研究进展 Hongzhong Liu, et al, Nanotechnology, 2011, 22:455302 桶状MIM型场发射电子源 三、MIM型场发射电子源研究进展 三、MIM型场发射电子源研究进展 目 录 一、场发射气体显示基本概念 二、MIM型场发射电子源基本特性 三、MIM型场发射电子源研究进展 四、未来前景分析 场发射气体显示：从概念到实践 VUV光谱 无147nm谱峰 无823nm和828nm信号 阳极电压：100 V 四、未来前景分析 10mm PPS电子发射直接激发气体发光 多孔多晶硅电子发射直接激发气体（纯Xe气）发光 四、未来前景分析 T. Ichihara, et al, Journal of the SID, 2010, 18:223 MIM型场发射电子源 具有电子注入的微腔等离子体器件 K. –F. Chen, et al, Applied Physics Letters, 2008, 93:161501 四、未来前景分析 充Ne气微腔等离子体相对发光强度 四、未来前景分析 FGD发展前景分析 FGD利用了FED的电子发射和PDP的气体激发发光，同时克服了FED的高真空、高电压缺点和PDP的低放