透明导电薄膜.docVIP

题目：透明导电薄膜的性能制备以及研究现状 院（部）系 材料科学与工程学院 所 学 专 业 材料工程 年级、班级 2014级 学号 2014730056 完成人姓名 卫明 摘要 本文概述了ZnO的基本性质。综述了制备ZnO薄膜的各种制备方法及它们的优点，并简要介绍了几种制备方法中不同因素对制成的ZnO薄膜性质的影响。最后，介绍了ZnO薄膜的发展现状，并对其发展趋势进行了展望。 关键词 ZnO ZnO：Al薄膜 薄膜太阳能电池 气体传感器 Abstract This paper summarizes the basic properties of ZnO. Several preparation methods of ZnO film are briefly summarized including their advantages and different factors which influence ZnO thin film properties. Finally, the current situation of ZnO film applications is introduced, and its development trend was discussed in the end. Key words ： ZnO：Al film thin film solar cell gas sensor 1 前言 ZnO作为一种热稳定性较好的N型半导体材料，有着许多优点，在室温下ZnO的激子束缚能为60meV，禁带宽度3.37eV[1]。因此ZnO薄膜被广泛应用到各个领域，可以用来制造短波长发光材料[2]，各种压电、电声与声光器件[3-5]。ZnO 薄膜还可以用作表面型气敏元件[6]，以及透明导电薄膜（主要用于太阳能电池）[7]。 在透明导电薄膜研究方面，掺杂Al的ZnO薄膜（AZO）可以用来替代ITO薄膜。ITO薄膜（Sn掺杂In2O3）和AZO薄膜同为氧化物透明薄膜，但是AZO薄膜有着更大的发展前景。因为ZnO在自然界的储量丰富，价格低廉，而且具有的毒性较小[8]。 2 透明导电薄膜的一些基本性质 ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体材料，其晶体结构有3种：纤锌矿型、闪锌矿型和盐岩矿型。一般情况下，ZnO 是六角纤锌矿型，晶格常数a=0.325 0 nm，c=0.520 5 nm，熔点为1 975℃，压电常数为11.9 pm/V[9]。 3 制备方法 制备ZnO薄膜的方法有很多种, 几乎所有制备薄膜的方法都可用于制备ZnO薄膜。制备方法主要有物理法和化学法。物理法包括磁控溅射法、真空蒸发法、离子增强沉积、激光脉冲沉积等。化学法包括溶胶??凝胶法、喷雾热解法、化学气相沉积法、均相沉淀法等。 3.1磁控溅射法 磁控溅射是制备各种功能涂层的基本技术之一, 其基本原理是低真空条件下的冷等离子体辉光放电。普通磁控溅射是在二极溅射的基础上发展起来的, 根据磁控靶的形式可分为平面磁控溅射、圆柱靶磁控溅射以及枪磁控溅射[10]。磁控溅射法具有制备工艺简单、生产成本低、沉积温度低、重复性好、膜基结合力好等优点, 是制备ZnO薄膜最常用的方法[11]。 磁控溅射方法制备ZnO薄膜工艺中，很多因素会影响到最终生成的膜的性质。欧阳紫靛等[12]研究了生长温度和退火气氛对ZnO：Al薄膜的结果与性能的影响。他们发现随着生长温度的升高，ZnO:Al薄膜结晶质量和取向性得到改善，生长温度为400℃时达到最好。经退火处理后，ZnO:Al薄膜的结晶性能有很大提高，表面粗糙度有所改善。退火气氛对ZnO:Al薄膜的光学透过性能也有很大的影响，在Ar和真空退火下的ZnO:Al薄膜平均透过率最高能达到91%，并且带隙宽度增大；在O2、N2和空气等氧化性气氛下退火，薄膜的带隙宽度会有所减小。 3.2溶胶—凝胶( Sol—Gel)法 溶胶是指微小的固体颗粒悬浮分散在液相中，并且不停地进行布朗运动的体系。溶胶凝胶法制备涂层的基本原理是：以金属醇盐或无机盐为前驱体，溶于溶剂(水或有机溶剂)中形成均匀的溶液， 溶质与溶剂产生水解或醇解反应，反应生成物聚集成几个纳米左右的粒子并形成溶胶，再以溶胶为原料对各种基材进行涂膜处理，溶胶膜经凝胶化及干燥处理后得到干凝胶膜，最后在一定的温度下烧结即得到所需的薄膜。 Sol—Gel法有很多优点，可以制得一些用传统方法难以制备的材料，而且制品均匀性好，均匀度可达分子或原子尺度，可以大面积成膜。 赵金博等人[13]研究了离子液体辅助Sol—Gel法制ZnO：Al薄膜中各个因素对生成薄膜的性能的影响。在他们的研究结果中，