【2017年整理】汽车电子技术第二节.docVIP

本文由田茂帮贡献 ppt文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 第二章 半导体基本知识 半导体及其特性 本征半导体 杂质半导体 PN结 结 一、半导体及其特性 根据导电能力（电阻率）的差异，物体划分为： 根据导电能力（电阻率）的差异，物体划分为：导 半导体和 体、半导体和绝缘体 导体——铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层电 铁 导体 铜等金属元素等低价元素， 子在外电场作用下很容易产生定向移动， 子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流 绝缘体——惰性气体、橡胶等，其原子最外层电子受原子 惰性气体、橡胶等， 绝缘体 惰性气体 核束缚力很强， 核束缚力很强，只有在外电场强到一定程度时才可能导电 半导体——硅（Si）、锗（Ge），均为四价元素，它们原 硅 ）、锗 ），均为四价元素 半导体 ）、 ），均为四价元素， 子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间 一、半导体及其特性 半导体的特点： 半导体的特点： 热敏性: 导电能力随温度升高而增强，如热敏电阻 光敏性: 导电能力随光照强度的变化而变化 掺杂性: 导电能力随掺杂浓度的变化而发生显著变化 二、本征半导体 1. 什么是本征半导体？ 什么是本征半导体？ 导电性介于导体和半导体之间的物质称为半导体 本征半导体是纯净的晶体结构的半导体 本征半导体的特点： 本征半导体的特点： 无杂质 排列整齐 结构稳定 二、本征半导体 2. 本征半导体的结构 共价键 由于热运动， 由于热运动，具有足够能 量的价电子挣脱共价键的 束缚而成为自由电子 自由电子的产生， 自由电子的产生，使共价 键中留有一个空位置 共价电子与空穴相碰同时消失， 共价电子与空穴相碰同时消失，称为复合 一定温度下，自由电子与空穴对的浓度一定；温度升高， 一定温度下，自由电子与空穴对的浓度一定；温度升高，热运 浓度一定 动加剧，挣脱共价键的电子增多， 动加剧，挣脱共价键的电子增多，自由电子与空穴对的浓度加大 二、本征半导体 3. 本征半导体中的两种载流子 运载电荷的粒子称为载流子 外加电场时， 外加电场时，带负电的自由电子和带 正电的空穴均参与导电， 正电的空穴均参与导电，且运动方向相 由于载流子数目很少， 反。由于载流子数目很少，导电性很差 温度升高，热运动加剧， 温度升高，热运动加剧，载流子的浓 度增大， 度增大，导电性增强 热力学温度0K时 热力学温度 时，本征半导体不导电 共价键 自由电子和空穴称为半导体中的载流子 三、杂质半导体 1. N型半导体 型半导体 多数载流子 杂质半导体主要靠多数载流 子导电。掺入的杂质越多， 子导电。掺入的杂质越多， 多子的浓度越高， 多子的浓度越高，导电性越 强，实现导电性可控 磷（P） ） 三、杂质半导体 2. P型半导体 型半导体 多数载流子 P型半导体主要靠空穴导电， 型半导体主要靠空穴导电， 型半导体主要靠空穴导电 掺入杂质越多， 掺入杂质越多，空穴浓度越 高，导电性越强 硼（B） ） 四、PN结 1. PN结的形成 结的形成 将一块P型半导体和 型半导体紧密连接在一起，这种紧密连接 将一块 型半导体和N型半导体紧密连接在一起， 型半导体和 型半导体紧密连接在一起 不能有缝隙，是一种原子半径尺度上的紧密连接。此时将在N型半 不能有缝隙，是一种原子半径尺度上的紧密连接。此时将在 型半 导体和P型半导体的结合面上 型半导体的结合面上形成如下物理过程 导体和 型半导体的结合面上形成如下物理过程 P区 P区 N区 N区 N型半导体中的多子电 型半导体中的多子电 子的浓度远大于P型半导体 子的浓度远大于 型半导体 中少子电子的浓度； 型半 中少子电子的浓度；P型半 导体中多子空穴的浓度远大 于N型半导体中少子空穴的 型半导体中少子空穴的 浓度。 浓度。于是在两种半导体的 界面上会因载流子的浓度差 发生了扩散运动 发生了扩散运动 扩散电流 空穴 电子 多子 空穴 电子 少子 四、PN结 1. PN结的形成 结的形成 P PN结 N 内电场 P PN结 N 随着扩散运动的进行，在界面 随着扩散运动的进行，在界面N 区的一侧，随着电子向P区的扩散 区的扩散， 区的一侧，随着电子向 区的扩散，杂 质变成正离子；