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第二单元 单元测试题 一 ·填空题。 硅材料分为 单 晶硅、多晶硅和非晶硅，单晶硅又分为 直拉 单晶硅和区熔单晶硅。 圆硅片边缘有定位边，定位边可用于表示硅片的晶体结构、 晶向 和 导电 类型等。 对硅片进行选择性的化学/电化学腐蚀 ，再利用光学显微镜 观察其表面微结构和缺陷，可以作出缺陷性质判定和计算评估，这是检测硅片缺陷的直观、简单的方法。 硅单晶片的导电类型分为P型和N 型两大类。 双极性器件用经过外延 工艺的111晶向硅片，MOS器件用 100 晶向的原始抛光硅片作为器件衬底。 PN结正向偏置时，其P区接电源 正 极，N区接电源 负 极，其PN结的电源随外加电压增大而呈 指数 规律快速增大。 耗尽层具有结电容（又称为 势垒 电容）效应。耗尽层正向偏置电压时，耗尽层变 薄 ，相当于结电容“放电”；PN结两端加反向偏置电压时，耗尽层变 厚 ，相当于结电容“ 充 电”。 双极性器件有电子和 空穴 两种载流子参与导电，它是一种电 流 控制器件。 双极性三极管通常有 饱和 、 放大 和截止三种状态， PNP 管是NPN管的互补器件。 双极性晶体管的常见特性曲线有 输入 特性曲线 和转移特性曲线IC=f（ VCE ）| IB 场效应晶体管是一种 电压 控制的单级四端（漏 D、栅 G、源 S和衬底B）。 MOSFET的常见特性曲线有漏极特性曲线 ID=f( VDS ) | VGS 和转移特性曲线 ID=f( VGS ) | VDS 。 CMOS器件中，互补的NMOS作为驱动管、PMOS作为 负载 管。NOMS管做在衬底上，则PMOS必须做在比衬底浓度 高 的“ N 阱”中。 TTL集成电路的民品系列的前缀是“74”，军品系列的前缀是“ 54 ”。TTL集成电路的标准工作电压是 5 V。 CMOS反相器是由NOMS管和PMOS管互补 串 联构成，CMOS传输门是由NOMS管和PMOS管互补 并 联构成。其他各种基本CMOS逻辑单元电路可以由NOMS管和PMOS管的 串并 联构成。 D/A转换器的输入是 数字 量，输出是 模拟 量。 双极性集成电路芯片版图中的 隔离槽区接 最低 电位，单独放电阻群的隔离岛内的 外延层通过区接 最高 电位。 MOS型集成电路中常采用 多晶硅 薄膜电阻和MOS管构成的 有源 电阻。 集成电路中紧邻两点或多点之间的电气连通，称为连接，它具有 接触 的特征。集成电路中任意两个分立连接接点之间的电气连通，称为 互连 ，它具有距离和带/线通道的特征。 自动探针测试台的X-Y二维步进传动机构分为 丝杠-导轨 型和 平面电机 型两大类。 二·判断题。 超高纯度的半导体级本征多晶硅是99.9999999%，简称“九个9”。 （√） 圆硅片边缘有定位变，短的次定位边为各种定位基准用，还可表明其单晶结构和晶向，长的主定边可以示意硅片的晶向和导电类型。 （×） 在大于 mm的硅片上，可用定位小孔槽和硅片背面激光刻印信息标志的方法，取代硅片定位边。 （√） 在原硅片上已形成了芯片（晶片）阵列的硅片，被称为“晶圆”。 （√） 半导体IC、晶体管、晶闸管、二极管的最基本构成要素是PN结。 （√） PN结具有重要的双向导电特性。 （×） MOSFET的导电沟道为电子的，称为P沟MOS器件；导电沟道为空穴的，称为N沟MOS器件。 （×） LSI都用耗尽层型MOS管好构成，CMOS由NMOS和PMOS构成。 （×） BiCMOS集成电路是在同一硅衬底上同时制作CMOS器件和双极性型器件而构成的。它适用于制作同时要求高集成度、高速和高性能的单片集成电路。 （√） A/D转换器的二进制位数n增加，即分辨率提高，其取整量化的误差会减小，最大量化误差为1/ ，即一个量化单位为1 LSB。 （√） 位权电阻网络和模拟电子开关是D/A转换器的核心电路模块。 （√） 采样保持电路和量化编码电路时A/D转换器的核心功能模块。 （√） 设计时使每个焊盘（PAD)都需要单独配有独立的隔离岛，是为了避免焊盘之间的短路。 （√） 双击型集成电路中的横向PNP管常用于大电流的情况。 （√） MOS型集成电路芯片的二维表面由有效或有源区（MOS管区）和场氧区（厚氧区）构成。