第9章 晶粒尺寸和微观应力测定专用课件.ppt

第九章 晶粒尺寸和微观应力测定 位错、层错、微观应力、晶粒细化和晶粒内浓度的变化，都会使衍射线产生宽化现象，使衍射线形发生变化。通过衍射线形分析，找出描述线形的参量（如积分宽、半高宽、方差和线形的付里叶系数）与位错、层错、微观应力和晶粒大小等的关系，就能通过线形参量的测定，求出材料中的位错、层错等物理量。目前用于线形分析的方法有近似函数法、方差法、付里叶变换法、反复卷积法等，找出衍射线变宽的原因，然后扼要介绍用近似函数法求晶粒尺寸和微观应力。 纳米材料是指由极细晶粒组成、特征维度尺寸在纳米量级（1-100nm）的固体材料。纳米材料的许多物理性能、化学性能和力学性能等都与组成它的颗粒度或晶粒尺寸的大小有关。由于这种材料的尺度处于原子簇和宏观物体的交接区域，故而具有表面效应、小尺寸效应、量子尺寸效应和宏观量子隧道效应等，并产生奇异的力学、电学、磁学、光学、热学和化学等特性，从而使其在国防、电子、化工、冶金、航空、轻工、医药、核技术等领域中有重要的应用价值。所以，对纳米材料晶粒尺寸的测定与表征就显得非常重要。不过,对于纳米微粒的颗粒和颗粒度,存在概念上和尺寸定义上的差异问题,如从概念上分有晶粒、团聚体、一次颗粒和二次颗粒等,从定义上分有等当直径、投影面积直径等。 在不同的研究领域，对纳米材料也有不同的称呼，例如，材料科学家称之为超细颗粒，晶体学家称之为纳米晶粒，原子分子物理学家称之为团簇，化学家称之为胶体颗粒或大分子，固体理论物理学家称之为量子点等。 目前，已有几种流行通用的纳米微粒尺寸评估方法，如透射电镜(TEM) 观察法、比表面积法、拉曼散射法、X射线衍射线宽(谢乐公式)法、X 射线小角散射法(SAXS)等，它们测出的尺寸结果都对应于一定的颗粒概念和尺寸定义方法,且各有各的优越性和局限性，适合于特定的制样条件和测量方法。在这些方法中,最广泛采用的是TEM 观察法和X 射线线宽法。 §9-1 衍射线变宽 影响衍射线宽化的诸因素中，一类是与试样内在的物理状态有关的因素，如晶粒尺寸大小、微应变、位错、层错和浓度不均等。由这类因素引起的变宽，称物理变宽，常用函数f(x)描述。另一类是与仪器和实验条件有关的因素，如X射线源的形状大小，不能完全聚焦的平板状试样，试样安放时的轴偏离，试样的吸收和接收狭缝的大小等。由这类因素引起的变宽称仪器变宽或工具变宽，常用函数g(x)描述。为了从实验测得的变宽谱线求晶粒尺寸和微观应力，必须找出诸宽化因素与谱线宽度的关系。 衍射线变宽 有些情况下，我们会发现衍射峰变得比常规的要宽，为什么呢？有多种因素引起这种峰形变宽。这里主要讲的有两种，即由于样品的晶粒比常规样品的晶粒小（对合金样品，严格地称为亚晶粒大小），导致倒易球大，使衍射峰加宽了，另一种主要因素是由于材料被加工或热冷循环等，在晶粒内部产生了微观的应变。之所以称为微观应变，是因为这种应变在一个晶粒内部存在与宏观尺度上的应变对应。大尺度上的应变称为宏观应变，需要采用其它方法来测量。当然，还有因为晶内的位错、孪晶等因素造成的线形变宽和线形不对称，不在此这里研究。 衍射线变宽 这样，我们知道了仪器本来有个线形宽，由于晶块细化和微观应变的原因会导致线形更宽。我们要计算晶粒尺寸或微观应变，首先第一步应当从测量的宽度中扣除仪器的宽度，得到晶粒细化或微观应变引起的真实加宽。但是，这种线形加宽效应不是简单的机械叠加，而是它们形成的卷积。所以，我们得到一个样品的衍射谱以后，首先要做的是从中解卷积，得到样品因为晶粒细化或微观应变引起的加宽FW（S）。这个解卷积的过程非常复杂。但是，因为我们在前面做了半高宽补正曲线，并已保存了下来，解卷积的过程，Jade按下列公式进行计算： FW(S)D=FWHMD-FW(I)DβD=BD-bD0 式中D称为反卷积参数，可以定义为1-2之间的值。一般情况下，衍射峰图形可以用柯西函数或高斯函数来表示，或者是它们二者的混合函数。如果峰形更接近于高斯函数，设为2，如果更接近于柯西函数，则取D=1。另外，当半高宽用积分宽度代替时，则应取D值为1。D的取值大小影响实验结果的单值，但不影响系列样品的规律性。 因为晶粒细化和微观应变都产生相同的结果，那么我们必须分三种情况来说明如何分析。 衍射线变宽 （1）如果样品为退火粉末，则无应变存在，衍射线的宽化完全由晶粒比常规样品的小而产生。这时可用谢乐方程来计算晶粒的大小。 式中Size表示晶块尺寸（nm），K为常数，一般取K=1，λ是X射线的波长(nm)，FW（S）是试样宽化，θ则是衍射角。 衍射线变宽 计算晶块尺寸时，一般采用低角度的衍射线，如果晶块尺寸较大，可用较高衍射角的衍射线来代替。晶粒尺寸在30nm左右时，计算结果较为准确，此式适用范围为1-100nm。超过100nm的晶