霍耳效应及螺线管磁场的测定.doc

实验27霍耳效应及螺线管磁场的测定 1879年，美国霍普金斯大学研究生霍耳，在研究载流导体在场中受力的性质时发现了一种电磁现象，即当一电流垂直于外磁场方向而流过导体时，在垂直于电流和磁场的方向导体的两侧会产生一电势差，这种现象称为霍耳效应，所产生的电势差被称为霍耳电势。半个多世纪后，人们发现半导体也有霍耳效应，而且比金属强得多。现在人们利用霍耳效应制成测量磁场的磁传感器，广泛用于电磁测量，非电量检测、电动控制和计算装置方面。在电流体中的霍耳效应也是目前在研究中的“磁流体发电”的理论基础。 在磁场、磁路等磁现象的研究和应用中，霍耳效应及其元件是不可缺少的，利用它观测磁场直观、干扰小、灵敏度高。  一、实验目的 １.了解产生霍耳效应的物理过程及用其测量磁场的原理和方法； ２.验证霍耳电势与霍耳控制电流的线性关系； ３.验证霍耳电势与励磁电流的线性关系 4. 利用霍耳效应测量螺线管磁场分布; 5. 学习用“对耳交换测量法”消除负效应产生的系统误差。 二、仪器用具  ZKY-430501螺线管磁场实验仪一台，ZKY-H/L霍耳效应螺线管磁场测试仪一台，导线若干。 三、实验原理  １.霍耳效应 如图３-9所示，一个由N型半导体材料制 成的霍耳元件，其四个侧面各焊有一个电极１、 ２、３、４。沿左右两个侧面通以电流Ｉ，电 流密度为Ｊ，则电子将沿负Ｊ方向以速度ve运 动，此电子将受到垂直方向磁场Ｂ的洛伦兹力 Fm作用，造成电子在霍耳元件上侧积累，从而 形成了沿上下方向的电场ＥH，形成了霍耳电势 UH。 如果半导体所在范围内，磁感应强度Ｂ是 均匀的，则霍耳电场也是均匀的，大小为 (1) 图３-9 霍耳效应原理 霍耳效应是由于运动电荷在磁场中受到洛伦兹力的作用而产生的，放在磁场中的霍耳元件通以电流I后，产生洛伦兹力Fm，而霍耳电场使电子受到一与洛伦兹力Fm相反的电场力Fe，将阻止电子继续迁移，随着电荷积累的增加，霍耳电场的电场力也增大，当达到一定程度时，Fm与Fe大小相等，电荷积累达到动态平衡，形成稳定的霍耳电势，这时根据Fm=Fe有 (2) 将式（1）代入得 (3) 式(3)中L为矩形半导体的宽，UH、L容易测量，但电子速度ve难测，为此将ve变成与Ｉ有关的参数。根据欧姆定律电流密度J=neve，n为载流子的浓度，得I=JLd=neveLd，d为半导体薄片的厚度(d=0.3×10-3m)，故有 (4) 将式（4）代入式（3），得 令,则有  (5) 式中，RH是由半导体本身电子迁移率决定的物理常数，称为霍耳系数，通常定义KH=RH/d,称KH为霍耳元件的灵敏度，这时式（5）可写为 (6) ＫH的单位为mV／(mA·T)，它的大小与材料的性质及薄片的尺寸有关，对一定的霍耳元件是一常数，本实验仪器中的霍耳元件材料为硅。对测磁场而言，ＫH越大越好，因此，常用半导体材料制成测磁场的霍耳传感器。 不等势电势差 如图３-10所示，当霍耳元件通电时，在内部 形成等势面，在电极１、２间往往存在一定电势差 Ｕ0 ，此电势差称为不等势电势差。 虽然从理论上讲霍耳元件在无磁场作用时(B＝０）， ＵH＝０，但是实际情况用数字电势表测并不为零，这是 半导体材料结晶不均匀、副效应及各电极不对称等引起 的电势差，该电势差称为剩余电势。 图３-10 不等势电势差U0 为了消除不等势电势Ｕ0，实验中常用换向法（异号法），即取电流和磁场的4种工作状态，测出结果，求其平均值。在图３-10中，设所示的电流Ｉ和磁场的方向为正方向，则此时不等势电势Ｕ0也为正，下面的讨论，凡与图示方向相反的均为负方向。4种工作状态测量的情况表示如下：  （１）+I, +B, +U0, 测得１、２端电势为 Ｕ1=ＵH+Ｕ0 (7-a) （２）-I, +B, -U0, 测得１、２端电势为 Ｕ2=-ＵH-Ｕ0 (7-b) （３）+I, -B, +U0, 测得１、２端电势