- 1、本文档共7页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
霍耳效应及螺线管磁场的测定
实验27霍耳效应及螺线管磁场的测定
1879年,美国霍普金斯大学研究生霍耳,在研究载流导体在场中受力的性质时发现了一种电磁现象,即当一电流垂直于外磁场方向而流过导体时,在垂直于电流和磁场的方向导体的两侧会产生一电势差,这种现象称为霍耳效应,所产生的电势差被称为霍耳电势。半个多世纪后,人们发现半导体也有霍耳效应,而且比金属强得多。现在人们利用霍耳效应制成测量磁场的磁传感器,广泛用于电磁测量,非电量检测、电动控制和计算装置方面。在电流体中的霍耳效应也是目前在研究中的“磁流体发电”的理论基础。
在磁场、磁路等磁现象的研究和应用中,霍耳效应及其元件是不可缺少的,利用它观测磁场直观、干扰小、灵敏度高。
一、实验目的
1.了解产生霍耳效应的物理过程及用其测量磁场的原理和方法;
2.验证霍耳电势与霍耳控制电流的线性关系;
3.验证霍耳电势与励磁电流的线性关系
4. 利用霍耳效应测量螺线管磁场分布;
5. 学习用“对耳交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
二、仪器用具
ZKY-430501螺线管磁场实验仪一台,ZKY-H/L霍耳效应螺线管磁场测试仪一台,导线若干。
三、实验原理
1.霍耳效应
如图3-9所示,一个由N型半导体材料制
成的霍耳元件,其四个侧面各焊有一个电极1、
2、3、4。沿左右两个侧面通以电流I,电
流密度为J,则电子将沿负J方向以速度ve运
动,此电子将受到垂直方向磁场B的洛伦兹力
Fm作用,造成电子在霍耳元件上侧积累,从而
形成了沿上下方向的电场EH,形成了霍耳电势
UH。
如果半导体所在范围内,磁感应强度B是
均匀的,则霍耳电场也是均匀的,大小为
(1) 图3-9 霍耳效应原理
霍耳效应是由于运动电荷在磁场中受到洛伦兹力的作用而产生的,放在磁场中的霍耳元件通以电流I后,产生洛伦兹力Fm,而霍耳电场使电子受到一与洛伦兹力Fm相反的电场力Fe,将阻止电子继续迁移,随着电荷积累的增加,霍耳电场的电场力也增大,当达到一定程度时,Fm与Fe大小相等,电荷积累达到动态平衡,形成稳定的霍耳电势,这时根据Fm=Fe有
(2)
将式(1)代入得
(3)
式(3)中L为矩形半导体的宽,UH、L容易测量,但电子速度ve难测,为此将ve变成与I有关的参数。根据欧姆定律电流密度J=neve,n为载流子的浓度,得I=JLd=neveLd,d为半导体薄片的厚度(d=0.3×10-3m),故有
(4)
将式(4)代入式(3),得
令,则有
(5)
式中,RH是由半导体本身电子迁移率决定的物理常数,称为霍耳系数,通常定义KH=RH/d,称KH为霍耳元件的灵敏度,这时式(5)可写为
(6)
KH的单位为mV/(mA·T),它的大小与材料的性质及薄片的尺寸有关,对一定的霍耳元件是一常数,本实验仪器中的霍耳元件材料为硅。对测磁场而言,KH越大越好,因此,常用半导体材料制成测磁场的霍耳传感器。
不等势电势差
如图3-10所示,当霍耳元件通电时,在内部
形成等势面,在电极1、2间往往存在一定电势差
U0 ,此电势差称为不等势电势差。
虽然从理论上讲霍耳元件在无磁场作用时(B=0),
UH=0,但是实际情况用数字电势表测并不为零,这是
半导体材料结晶不均匀、副效应及各电极不对称等引起
的电势差,该电势差称为剩余电势。 图3-10 不等势电势差U0
为了消除不等势电势U0,实验中常用换向法(异号法),即取电流和磁场的4种工作状态,测出结果,求其平均值。在图3-10中,设所示的电流I和磁场的方向为正方向,则此时不等势电势U0也为正,下面的讨论,凡与图示方向相反的均为负方向。4种工作状态测量的情况表示如下:
(1)+I, +B, +U0, 测得1、2端电势为
U1=UH+U0 (7-a)
(2)-I, +B, -U0, 测得1、2端电势为
U2=-UH-U0 (7-b)
(3)+I, -B, +U0, 测得1、2端电势
文档评论(0)