全国2010年7月高等教育自学考试.docVIP

全国2010年7月高等教育自学考试 电子技术基础（三）试题 课程代码：04730 一、单项选择题（本大题共15小题，每小题1分，共15分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.下列关于理想电压源特性的描述中，正确的是（ ） A.理想电压源的信号源内阻趋于无穷大B.理想电压源任何时候都可以并联在一起 C.理想电压源的输出电压与负载有关 D.流过理想电压源的电流与负载有关 2.已知流过感抗L=2Ω的相量电流为=∠30°mA，则其两端的相量电压为（ ） A. B.（mV） C.（mV） D.（mV） 3.设电容C=1μF，电容两端的电压为cos(100πt)(mV)，则流过该电容的电流为（ ） B. C. D. 4.P型半导体中的多数载流子是（ ） A.自由电子 B.空穴 C.三价杂质原子 D.三价杂质离子 5.已知某晶体三极管的三个电极电位如题5图所示，则该晶体管的类型为（ ） A.pnp型锗管B.npn型锗管 C.pnp型硅管D.npn型硅管 6.理想运放的开环电压放大倍数Aud和差模输入电阻Rid分别为（ ） A. Aud=，Rid=0 B. Aud，Rid=0 C. Aud0，Rid D. Aud=∞，Rid= 7.在同相比例运算电