武汉理工大物实验巨磁阻+霍尔效应实验表格.doc

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2017-02-13 发布于重庆
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武汉理工大物实验巨磁阻霍尔效应实验表格

巨磁阻效应及其应用磁电转化特性 μ=4π×10^-7H/m n=24000T/m B=μnI 磁场矢量减小磁场矢量增大励磁电流I （mA）磁感应强度B（T）输出电压U（mV）励磁电流I（mA）磁感应强度B（T）输出电压U（mV） 100 -100 80 -80 60 -60 40 -40 20 -20 10 -10 0 0 -10 10 -20 20 -40 40 -60 60 -80 80 -100 100 磁电转化的开关特性磁场矢量减小磁场矢量增大励磁电流I（mA）电压表显示电平励磁电流I（mA）电压表显示电平 30 1 高 -30 1 高临界值： 1→-1 高→低临界值： 1→-1 高→低 0 -1 低 0 -1 低临界值： -1→1 低→高临界值： -1→1 低→高 -30 1 高 30 1 高磁阻特性磁阻供电电压4V 磁场矢量减小磁场矢量增大励磁电流I（mA）磁感应强度B（T）磁阻电流IR（mA）磁阻R（Ω）励磁电流I （mA）磁感应强度B（T）磁阻电流IR（mA）磁阻R（Ω） 100 -100 80 -80 60 -60 40 -40 20 -20 10 -10 0 0 -10 10 -20 20 -40 40 -60 60 -80 80 -100 100 测电流低磁偏置越25mV 高磁偏置约150mV 电流矢量减小电流矢量增加电流矢量减小电流矢量增加导线电流I（mA）输出电压U（mA）导线电流I（mA）输出电压U（mA）导线电流I（mA）输出电压U（mA）导线电流I（mA）输出电压U（mA） 300 -300 300 -300 200 -200 200 -200 100 -100 100 -100 0 0 0 0 -100 100 -100 100 -200 200 -200 200 -300 300 -300 300 梯度传感器特性转动角度θ（度） 0 3 6 9 12 15 18 21 输出电压U（mV）转动角度θ（度） 24 27 30 33 36 39 42 45 输出电压U（mV）磁记录与读取序号序号转二进制数磁卡区域 8 7 6 5 4 3 2 1 读出电压（V）霍尔效应及其应用 VH~IS关系（IM=0.700A） KB=______KGS/A IS(mA) V1(mA) V2(mA) V3(mA) V4(mA ) VH=（V1-V2+V3-V4）/4 (mV ) +B +IS -B +B -B -IS +B -IS 0.50 1.00 1.50 2.00 2.50 3.00 VH~IM关系（IS=2.00mA） IS(mA) V1(mA) V2(mA) V3(mA) V4(mA ) VH=（V1-V2+V3-V4）/4 (mV ) +B +IS -B +B -B -IS +B -IS 0.100 0.200 0.300 0.400 0.500 0.600 测电导率σ IM=0 d=0.05cm b=0.40cm l=0.40cm IS(mA ) V1(mV)(+IS) V2(mV)(-IS) Vσ=(│V1│+│V2│)/2 σ=ISl/(Vσbd) 0.50 1.00 1.50