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课程主要内容： 第一章 半导体光电材料概述 第二章 半导体物理基础 第三章 PN结 第四章 金属-半导体结 第五章 半导体异质结构 第六章 半导体太阳能电池和光电二极管 第七章 发光二极管和半导体激光器 第八章 量子点生物荧光探针 第五章 半导体异质结构 课程主要内容： 第一章 半导体光电材料概述 第二章 半导体物理基础 第三章 PN结 第四章 金属-半导体结 第五章 半导体异质结构 第六章 半导体太阳能电池和光电二极管 第七章 发光二极管和半导体激光器 第八章 量子点生物荧光探针 第六章 半导体太阳能电池和光电二极管 6.1 半导体中光吸收 6.1 半导体中光吸收 本征吸收：电子由价带到导带之间的跃迁所形成的吸收。如(a)和(b)。相应的电子跃迁过程称为本征跃迁或带-带跃迁。 本征吸收条件：hv?Eg 本征吸收限波长： hvEg时，除产生一个电子-空穴对外，多余的能量hv-Eg将以热的形式耗散掉。 非本征跃迁：如果hvEg，则只有当禁带内存在合适的化学杂质或物理缺陷引起的能态时，光子才会被吸收。如(c). 6.1 半导体中光吸收 吸收系数 假设半导体被一光源照射，沿光传播方向上，在距离表面x处的光通量（单位时间垂直通过单位面积的光子数）为： 吸收系数?是光子能量h? 的函数，称为吸收曲线。吸收系数在截止波长?c处急剧下降，截止波长附近的吸收曲线称为吸收边。 直接跃迁 6.1 半导体中光吸收 — 本征吸收 hk’ – hk = 光子动量 但一般半导体吸收的光子，其动量远小于能带中的电子的动量，光子动量可忽略不计， k’ ? k ，电子吸收光子产生跃迁时波矢保持不变，如价带中状态A的电子只能跃迁到导带中的状态B，这种跃迁称为直接跃迁，属于本征跃迁。 光照下，电子吸收光子的跃迁过程，除满足能量守恒外，还必须满足动量守恒。 直接跃迁 任何一个k值的不同能量的光子都有可能被吸收，而吸收的光子最小能量应等于禁带宽度。 直接带隙半导体：半导体的导带极小值和价带极大值对应于相同的波矢。在本征吸收过程中，产生电子的直接跃迁。 6.1 半导体中光吸收 — 本征吸收 6.1 半导体中光吸收 — 本征吸收 直接带隙半导体带隙的测定 理论计算表明，直接跃迁中吸收系数和光子能量的关系为 A为常数 Eg 吸收谱 ? 6.1 半导体中光吸收 — 本征吸收 间接跃迁 间接带隙半导体：Ge、Si一类半导体，价带顶和导带底对应于不同的波矢k。 间接跃迁：电子不仅吸收光子，同时还和晶格交换一定的振动动量，即放出或吸收一个声子。 声子的能量非常小，可以忽略不计。 间接跃迁的概率（光吸收系数）比直接跃迁的概率（光吸收系数）小得多。 间接带隙半导体带隙的测定 间接跃迁 直接跃迁 间接跃迁中吸收系数和光子能量的关系为 只要对 作图，并将直线部分外推到与 hv 轴相交，即可得到带隙值Eg。 6.1 半导体中光吸收 — 本征吸收 A’为常数 6.1 半导体中光吸收 — 其他吸收过程 激子：受激电子和空穴互相束缚而结合在一起成为一个新的系统，这种系统称为激子。 激子吸收：光子能量hvEg，价带电子受激发后虽然跃出了价带，但还不足以进入导带而成为自由电子，仍然受到空穴的库仑场作用，这种吸收即激子吸收。 6.1 半导体中光吸收 — 其他吸收过程 自由载流子吸收：入射光子能量小于带隙时，自由载流子在同一带内的跃迁。 杂质吸收：束缚在杂质能级上的电子或空穴的吸收。电子可以吸收光子跃迁到导带能级；空穴也同样可以吸收光子而跃迁到价带。 晶格振动吸收：远红外区，光子能量直接转换为晶格振动动能。 6.1 半导体中光吸收 — 其他吸收过程 * * 5.1 异质结及其能带图 异质结：由两种不同的半导体单晶材料组成的结。 异质结具有许多同质结所所不具有的特性，往往具有更高的注入效率。 反型异质结：由导电类型相反的两种不同的半导体单晶材料构成。如：p-nGe-GaAs（p型Ge与n型GaAs） 同型异质结：由导电类型相同的两种不同的半导体单晶材料构成。如：n-nGe-GaAs（n型Ge和n型GaAs） 异质结的能带图对其特性起着重要作用。在不考虑界面态的情况下，任何异质结的能带图都取决于形成异质结的两种半导体的电子亲和势、禁带宽度以及功函数。功函数随杂质浓度的不同而变化。 5.1 异质结及其能带图 突变异质结：从一种半导体材料向另一种半导体材料的过渡只发生于几个原子距离范围内。 缓变异质结：从一种半导体材料向另一种半导体材料的过渡发生于几个扩散长度范围内。 突变异质结的能带图研究