第三章结型场效应晶体管.docVIP

单极型器件 单极型器件是指基本上只有一种类型的载流子参与导电过程的半导体器件。 我们主要讨论五种类型的单极型器件，（1）金属半导体接触；（2）结型场效应晶体管（JFET）；（3）金属半导体场效应晶体管（肖特基栅场效应晶体管MESFET）；（4）金属氧化物半导体二极管；（5）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。 金半接触：在电学性能上类似于单边突变结，但能作为具有高速响应特性的多数载流子 工作器件来用。重掺杂半导体上的金半接触是欧姆接触的最重要形式。 JFET： 基本上是一个由电压控制的电阻。这种器件利用一个反向偏置的pn结作为 栅电极去控制电阻，从而控制两个欧姆结之间的电流。 MESFET：类似于JFET，MESFET用金半整流接触去代替pn结作栅电极。JFET和MESFET可以用具有高电子迁移率的半导体材料制造，对于高速IC，具有非常好的优点。其次，FET在大电流下具有负温度系数，即电流随温度的增加而减小，这个特点导致更均匀的温度分布，而且即使有源面积很大，或在许多器件并联使用时，其热稳定性非常好。 MOS二极管：在半导体表面研究中最有用的器件。因为所有半导体器件的可靠性、稳 定性均与其表面状态相关，借助MOS二极管了解表面物理，对了解器 件的工作非常重要，在IC中作为电容器也是有用的，也是组成电荷耦 合器件CCD的基本结构单元。 MOSFET：基本上是两边各邻接一个pn结的MOS二极管。MOSFET的特性和工作特征类似于JFET和MESFET。MOSFET功耗很低，产品合格率高，容易按比例缩小，与利用相同标准设计的双极型晶体管相比，占用的硅片面积要小。目前，MOSFET是超大规模集成电路中最重要的器件，广泛应用于微处理器，半导体存贮器中，一个芯片上集成有成千上万个分立元件。 本章主要讨论金半接触，JFET和MESFET。 §4.1 金属—半导体接触 金属—半导体接触可形成整流器。1938年，肖特基提出，半导体内稳定的空间电荷形成的势垒可能有整流作用。由此产生的势垒模型就是所谓肖特基势垒。金属—半导体形成的结称为肖特基结。 金属—半导体接触也可能是非整流性的, 金属—半导体的这种接触称为欧姆接触。下面我们将考虑金属—半导体的整流接触和欧姆接触。 1、能带关系 图3.13（a）表示一块孤立金属和一块孤立的N型半导体邻接时的能带图。金属的功函数一般和半导体的功函数不同。功函数是费米能级和真空能级的能量差（即对于金属为 qфm，对于半导体为qфs）。半导体导带底和真空能级能量差称为电子亲和能q(，也表示在同一图上。当金属与半导体形成紧密接触时，在热平衡下两种材料的费米能级必须相等。此外，真空能级必须是连续的。这两个要求确定了理想金属一半导体接触的能带图，如图3.13(b)所示。对于这种理想的情况，势垒高度qфBn就是金属功函数和半导体电子亲和能之差，即 （3—63） 对于一个理想的金属与P型半导体的接触，其势垒高度可用类似步骤确定： （3—64） 图3.13(c)表示金属与N型半导体接触的电荷分布。金属一侧有负表面电荷，半导体一侧存在等量的但极性相反的正空间电荷。这种电荷分布和具有同样电场分布的P+—N结完全 相同，见图3.13(d)。该电场使半导体表面电子的能量高于体内，能带向上弯曲，即形成表面势垒。在势垒区中，空间电荷主要由电离施主形成，电子浓度要比体内小得多，因此它是一个高阻的区域，常称为阻挡层。图3.13 (a)邻近的孤立金属和孤立n型半导体在非平衡条件 下的能带图;(b)金属-半导体接触在热平衡下的能带图;(c)电荷分布;(d)电场分布 处于平衡态的阻挡层中是没有净电流流过的，因为从半导体进入金属的电子流和从金属进入半导体的电子流大小相等，方向相反，构成动态平衡。加外加电压后，半导体和金属不再处于相互平衡的状态，两者没有统一的费米能图。图3.14(b)表示加正向偏置时的情形，半导体一边的势垒由qVbi降低为q（Vbi-VF）。这时，从半导体到金属的电子数目增加，超过从金属到半导体的电子数，形成一股从金属到半导体的正向电流，它是由N型半导体中多数载流子构成的。外加电压越高，势垒下降越多，正向电流越大。图3.14(c)表示加反向偏置时的情形。这时势垒增高为q（Vbi+VR）。从半导体到金属的电子数目减少，金属到半导体的电子流占优势，形成一股由半导体到金属的反向电流。由于金属中的电子要越过相当高的势垒qфBn才能达到半导体中，因此反向电流是很小的。从图中看出，金属一边的势垒不随外加电压变化，所以从金属到半导体的电子流是恒定的。当反向电压提高，使半导体到金属的电子流可以忽略不计时