微电子复习.ppt.ppt

  1. 1、本文档共14页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
微电子复习.ppt

Ch7 逻辑模拟 电路模拟 时序分析的作用和必要性 器件模拟 工艺模拟 模块化设计 分层分级设计 全定制 标准单元库 母片 可测性设计 1 集成电路设计的特点(与分立元件电路的区别) 2 集成电路设计信息描述的方法 3 集成电路的基本设计流程 4 自顶向下(top—down)——分层分级设计 由底向上——人工版图设计 5 集成电路的设计规则是什么,有哪两种方法,对比其特点。 6 全定制设计方法 设计反相器的棍形图、掩模版图 设计二输入与非门、或非门的棍形图 7 SC法、BLL法、GA法和可编程逻辑电路设计法的特点以及区别 8 门阵列法(GA法) 掌握CMOS门阵列六单元管的结构并设计三输入与非门、或非门等基本电路 共价键 离子键 金属键 分子键 晶格的种类 缺陷的种类 点缺陷的种类 衬底材料的发展 化学气相淀积CVD 外延 正胶与负胶 钻蚀 替位式扩散和间隙式扩散 退火 1 比较常见的三种光刻方法的优缺点及适用范围。 2 集成电路制造工艺中制备二氧化硅最常用的两类方法是什么,分别适用于制备那种类型(六种)的二氧化硅层。 3 MOS集成电路标准场氧化隔离、局域氧化隔离和开槽回填隔离工艺。 4 CVD的常用方法有哪些?CVD方法能制备哪些薄膜 5 MOS集成电路的工艺流程 6比较三种常用的干法刻蚀 CH3 1常用的三种MOS管的栅极工艺是什么,比较其优缺点? 2用MOS和CMOS构成的开关、反相器有什么区别? 3熟练掌握CMOS构成反相器、逻辑门(与非、或非)的电路图 4存储器的种类 Ch2 电子与空穴 施主杂质与受主杂质 平均漂移速度 雪崩击穿与隧道击穿 MIS结构 阈值电压 1 画出PN结的结构图标出各区域的位置及其自建场的方向,决定PN结单向导电的两个效应是什么,简述它们的物理原因。 2 简述正向PN结电流的传输与转换的过程,这个过程的特点是什么。 3 双极型晶体管(npn管)的基本结构是什么,画出它正常工作的偏置情况,说明其载流子运输的过程。 Ch1 集成电路的分类 微电子产业分为哪三种具体行业 摩尔定律 * CH6 V DD V ss Ch5 Ch4 *

文档评论(0)

170****0532 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

版权声明书
用户编号:8015033021000003

1亿VIP精品文档

相关文档