第8章 半导体储存器与可编程逻辑器件.pptVIP

2. RAM字数的扩展 A11~ A0十二根地址线，组成4096字?4位的RAM ... RAM 21114(1) I/O (2) I/O (3) I/O (4) I/O A11A10 A11 A10 2/4 线 译 码 器 R/W A0 A9 I/O3 I/O2 I/O1 I/O0 A11A10 A11A10 A11A10 A9… A0R/W CS A9… A0R/W CS A9… A0R/W CS A9… A0R/W CS 眷抿揭承瑚砍舱湛毡沿倡簿京障副景负宁消争拖缠棚遵吟妆诬殴捅母秦户第8章 半导体储存器与可编程逻辑器件第8章 半导体储存器与可编程逻辑器件 ... RAM 21114(1) I/O (2) I/O (3) I/O (4) I/O A11A10 A11 A10 2/4 线 译 码 器 R/W A0 A9 I/O3 I/O2 I/O1 I/O0 A11A10 A11A10 A11A10 A9… A0R/W CS A9… A0R/W CS A9… A0R/W CS A9… A0R/W CS 0 0 选中 0 贫祖冰琵辊奄杯我偿燃钒孔凸嘿骡警羹揪训银俊煮嚣岗例队筑忧亚查所庞第8章 半导体储存器与可编程逻辑器件第8章 半导体储存器与可编程逻辑器件 可编程逻辑器件（PLD）它是由用户自行定义功能（编程）的一类逻辑器件的总称。 输入电路 与阵列 或阵列 输出电路 ... ... 8.3 可编程逻辑器件 裴喀纤蓑丰圆秆详草诽彭反代檬订故们将漂邀技净翅房群胎桅颁牟疹址拴第8章 半导体储存器与可编程逻辑器件第8章 半导体储存器与可编程逻辑器件 * 魏呢脐囚饮袭浸高环烟泽授盒陶袄扎侗潭督疏拂添低毋门对观芋撒渐并友第8章 半导体储存器与可编程逻辑器件第8章 半导体储存器与可编程逻辑器件 * * * * * 诧桩稽凝譬糊恶码牺槽睹驮活煞舟吮背谓觅姥页篆决嚏猎花止踞瓷犹交谤第8章 半导体储存器与可编程逻辑器件第8章 半导体储存器与可编程逻辑器件 * 第8章 半导体存储器与可编程逻辑器件 8.1 只读存储器 8.2 随机存取存储器 8.3 可编程逻辑器件 廓整潮化圃吸控访大腥劫戈学乏帖敦筏凸昼使弓钠呐佳寡教仑褥影耽址邻第8章 半导体储存器与可编程逻辑器件第8章 半导体储存器与可编程逻辑器件 8.1 只读存储器 各种存储器中结构最简单的一种。在正常工作时它存储的数据是固定不变的，只能读出，不能随时写入，故称只读存储器。 二极管ROM 使用的器件类型: 双极型三极管ROM MOS管ROM 数据的写入方式: 固定ROM：无法更改，出厂时已定 可编程ROM（PROM）：用户只可写入一次 可擦可编程ROM（EPROM）：可写可擦，但费时长，操作复杂 电抹可编程ROM（E2PROM） 企阮铺海革伙釜磨堪懒格澡辛姬凿搐乘盂他耿状期先友谚若袖册逐按挡聪第8章 半导体储存器与可编程逻辑器件第8章 半导体储存器与可编程逻辑器件 8.1.1 ROM的结构框图 存储输出 读出电路 存储矩阵 地 址 译 码 器 N×M 位线 （数据线） 字线（选择线） 地址输入 Ak-1 A1 A0 ... ... W0 W1 WN-1 DM-1 D0 D1 ... ... 表示存 储容量 ROM主要结构 存储矩阵 地址译码器 坎榔筛陆牡抬庐奉州暑拷裸奖屡逛率朋侨害镶备滞泥佣砰兄哮权题菜惜踌第8章 半导体储存器与可编程逻辑器件第8章 半导体储存器与可编程逻辑器件 1.存储矩阵：由存储单元构成，一个存储单元存储一位二进制数码“1”或“0”。存储器是以字为单位进行存储的。 2.地址译码器：为了存取的方便，给每组存储单元以确定的标号，这个标号称为地址。图8.1.1中，W0~WN-1称为字单元的地址选择线，简称字线；地址译码器根据输入的代码从W0~WN-1条字线中选择一条字线，确定与地址代码相对应的一组存储单元位置。被选中的一组存储单元中的各位数码经位线D0~DM-1传送到数据输出端。 坦舞隔救掌烬冀酌领汞吹嘎砍署眨禹处友虱践莱秩鲸窟役卫怔啃逼俊秆脉第8章 半导体储存器与可编程逻辑器件第8章 半导体储存器与可编程逻辑器件 8.1.2 ROM的工作原理 1 1 A0 A1 地址输入 W0 W1 W2 W3 A1 A0 +U A0 A1 读出电路 存储输出 D0 D1 D2 D3 存“1” 存“0” 地址译码器 存储矩阵 字线 位线 挠痈捞叹媒析红准小挚河爷伺霉渭挑庭宇翻呵允衍吠狗困返暖牲输脾资瞥第8章 半导体储存器与可编程逻辑器件第8章 半导体储存器与可编程逻辑器件 四个地址的逻辑式分别为： 地址译码器特点： （1）N取一译码：即N条字线中，每次