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第四章、存储系统 原著 谭志虎 Outline 存储器概述 主存储器 高速缓冲存储器 外存储器 虚拟存储器 存储保护 4.1 存储器概述 存储器分类 存储器分级结构 存储器的性能指标 存储器分类 按存储介质分 按存取方式分 按存储器的读写功能分 按信息的可保存性分 按在计算机系统中的作用分 按存储介质分 半导体存储器 双极型存储器 MOS存储器 速度快、功耗低 磁存储器 磁芯、磁带、磁盘 容量大，速度慢、体积大 激光存储器 CD-ROM CD-RW CD-R DVD-ROM DVD-RW DVD-R 便于携带，廉价，易于保存 按存取方式分 随机存储器 存储器中的任意存储单元都能随机存取 且存取时间与物理位置无关 磁芯、半导体存储器 顺序存储器 存储器存取时间与物理位置有关 磁盘、磁带、激光存储器 按读/写功能分 只读存储器 (ROM) 存储器内容是预置的，固定的，无法改写 读/写存储器 既能读出也能写入的存储器 随机存储器RAM 按信息的可保存性分 易失性存储器 Volatile Memories 断电后信息消失 SRAM DRAM 非易失性存储器Non-Volatile Memories 断电后仍能保存信息 磁存储器、激光存储器、NVRAM 按在计算机系统中的作用分 主存储器 辅助存储器 高速缓冲存储器 Cache 控制存储器 存储系统分层结构 Outline 存储器概述 主存储器 高速缓冲存储器 外存储器 虚拟存储器 存储保护 4.2 主存储器 基本概念 随机存储器 只读存储器 主存储器与CPU的连接 几种新型存储器 高速主存储器 主存储器特征 由半导体MOS存储器组成 存储单元：字存储单元，字节存储单元 按地址进行访问 字地址，字节地址 属于随机访问存储器 主存空间包含读/写存储空间和只读存储空间 2 主存储器 基本概念 随机存储器 只读存储器 主存储器与CPU的连接 几种新型存储器 高速主存储器 随机存取存储器（Random Access Memory） 静态MOS存储器 SRAM 动态MOS存储器 DRAM MOS: Metal Oxide Semiconductor 三极管的特性 三极管的特性 截止状态： UB 、ib、 ic为0，Uc 高 放大状态： ib、 ic为线性放大关系 饱和状态： UB 、ib、 ic为高，Uc 接近0 六管SRAM存储器(SRAM Cell) T1 T2 工作管 T3 T4负载管 T5 T6 X向门控管 T7 T8 Y向门控管 六管SRAM存储器两种状态 六管SRAM存储器读操作 六管SRAM存储器写操作 位存储体封装 X为行选择线 D为数据输出口 位存储体的行选择线选中方能读出或者写入数据 存储矩阵 64x64 存储矩阵 4k*4位存储体 4k*4位存储体 地址译码器 各种译码器 1-2译码器 2-4译码器 3-8译码器 4-16译码器 单译码方式 双译码方式 静态存储器芯片结构 驱动器与I/O电路 驱动器 一条选择线带很多存储位时负载过大 在地址译码器输出端增加驱动电路 保证每一个存储位都能正常工作。 I/O电路 存储体与数据总线之间的电路 读出时具有放大信号的作用 2114引脚图(1Kx4) 地址线 数据线 读写控制线 片选线 电源线 地线 单管DRAM存储器及读过程 单管DRAM存储器写过程 DRAM 刷新相关概念 DRAM靠电容电荷存储信息。电容电荷容易泄漏，需定期补充电荷以保持信息不变，补充电荷的过程称为刷新过程 泄漏完毕之前如不能补充电荷，存储信息发生丢失，信息存储到信息泄漏完毕之间必须完成刷新过程，称为最大刷新周期， 从上一次对存储器刷新结束到下一次对整个存储器刷新结束所需要的时间称为刷新周期，刷新一块芯片所需的刷新周期数由芯片矩阵的行数决定。 DRAM 刷新放大器 DRAM 阵列 2116引脚图（16Kx1） 地址线 数据线 读写控制线 RAS CAS 电源线 地线 2116 存储单元 DRAM的刷新 集中式 分散式 异步式 集中刷新方式 分散刷新方式 异步刷新方式 刷新的几点说明 不同材料、生产工艺的动态存储器刷新周期不同，常见的有2ms 、4ms、 8ms，刷新时间间隔不能超过刷新周期。 存储体采用双译码的行、列结构，刷新是按照行进行的。 刷新地址是由专门器件 刷新地址计数器给出。 4.2 主存储器 基本概念 随机存储器 只读存储器 主存储器与CPU的连接 几种新型存储器 高速主存储器 只读存储器(ROM) 掩模式只读存储器（MROM） 一次编程只读存储器（PROM） 多次编程只读存储器（EPROM, EEPROM） 只读存储器 只读存储器阵列 熔丝式ROM(PROM) 可擦写ROM——EPRO