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第四章 IC制造中的沾污控制 一个硅片表面具有多个芯片，每个芯片有差不多数以百万计的器件和互连线路，它们对沾污都非常敏感。为使芯片上的器件功能正常，避免硅片制造中的沾污是绝对必要的。 为了控制制造过程中不能接受的沾污，半导体产业开发了净化间。净化间本质上是一个净化过的空间，它以超净空气把芯片制造与外界的沾污环境隔离开来，包括化学品、人员和常规的工作环境。 沾污的类型 沾污是指半导体制造过程中引入半导体硅片的任何危害芯片成品率及电学性能的不希望有的物质。沾污经常导致有缺陷的芯片，致命缺陷是导致硅片上的芯片无法通过电学测试的原因。据估计80%的芯片电学失效是由沾污带来的缺陷引起的。 净化间沾污分为五类：颗粒、金属杂质、有机物沾污、自然氧化层、静电释放。 一．颗粒 颗粒是能粘附在硅片表面的小物体。在半导体制造过程中，颗粒能引起电路开路或短路。它们能在相邻导体间引起短路。颗粒还可以是后续各节讨论的其他类型沾污的来源。 半导体制造中，可以接受的颗粒尺寸的粗略法则是它必须小于最小器件特征尺寸的一半。大于这个尺寸的颗粒会引起致命的缺陷。例如0.18微米的特征尺寸不能接触0.09微米以上尺寸的颗粒。为了有个感性认识，人类头发的直径约为90微米，0.09微米的尺寸则比人类头发尺寸小1000倍之多。 硅片表面的颗粒密度代表了特定面积内的颗粒数。更高的颗粒密度产生致命缺陷的机会也更大。颗粒检测已经广泛采用激光束扫描硅片表面和检测颗粒散射的光强及位置来进行。 二．金属杂质 危害半导体工艺的典型金属杂质是碱金属，即周期表中的ⅠA族元素，因为它们容易失去一个价电子成为阳离子，与非金属的阴离子反应形成离子化合物。金属在所有用于硅片加工的材料中都要严格控制。表4.1列出了一些典型的金属杂质元素。 金属来自于化学溶液或者半导体制造中的各种工序。另一种金属沾污的来源是化学品同传输管道和容器的反应。金属可以通过两种途径淀积在硅片表面上。第一种途径，金属通过金属离子与位于硅片表面的氢离子的电荷交换而被束缚在硅表面。这些典型的金属杂质很难消除。第二种途径，当表面氧化时金属杂质分布于氧化层内。在氧化层中的金属杂质只有通过去除硅片表面的氧化层来去除。 金属离子在半导体材料中是高度活动性的，被称为可动离子沾污（MIC）4.2 沾污的源与控制 半导体器件制造厂房存在7种沾污源：空气、人、厂房、水、工艺用化学品、工艺气体和生产设备。 空气 净化间最基本的概念是硅片工厂空气中的颗粒控制。我们通常所呼吸的空气是不能用于半导体制造的，因为它包含了太多的漂浮沾污。这些微小的浮质在空气中漂浮并停留很长时间，淀积在硅片表面引起沾污并带来致命缺陷。 净化级别标定了净化间的空气质量级别，它是由净化室空气中的颗粒尺寸和密度表征的。这一数字描绘了要怎样控制颗粒以减少颗粒沾污。表4.2展示了不同净化间净化级别每立方英尺可以接受的颗粒数和颗粒尺寸。例如10级0.2μm，即≥0.2μm的颗粒最多允许有75个。 近来已经开始使用0.1级，这时颗粒尺寸缩小到0.02~0.03μm。最新的净化空气标准对每立方米空气中的超细颗粒数也做了规定，称为“U”描述符。U描述符把直径小于0.1μm的颗粒规定为超细颗粒。在没有特别说明具体颗粒尺寸的情况下，U描述符把洁净度定义为U（x），其中x是每立方米空气中可容许的超细颗粒的最大数。我国目前的净化标准有新的表示法，100级对应五级，1万级对应七级。 人 人是颗粒的产生者。人员持续不断地进出净化间，是净化间沾污的最大来源。颗粒来自于头发和头发用品、衣物纤维屑、皮屑等。一个人平均每分钟释放一千万个尺寸等于或大于0.3μm的颗粒。通常的人类活动，如谈话、咳嗽、打喷嚏，对半导体都是有害的。人类活动释放的颗粒：静止状态10万个，移动手头等50万个，走动2公里/小时500万个，3.5公里/小时750万个，最洁净的皮肤上有颗粒1千万个。 为实现净化间内的超净环境，人员必须穿上超净服。超净服由兜帽、连衣裤工作服、靴子和手套组成，完全包裹住了身体。超净服的作用有：1）对身体产生的颗粒和浮质的总体抑制；2）超净服系统颗粒零释放；3）对ESD的零静电积累；4）无化学和生物残余物的释放。 对于要进入净化间的人员必须遵循净化间操作规程。主要有：首先必须经过培训，经过风淋和鞋清洁器才能进入净化间；只把必需物品带入净化间；缓慢移动；始终确保所有的头部和面部头发被包裹起来；始终都保持超净服闭合。只有与工艺设备有关的人员才能进入净化间。 三．厂房 为使半导体制造在一个超洁净的环境中进行，有必要采用系统方法来控制净化间区域的输入和输出。在净化间布局、气流流动模式、空气过滤系统、温度和湿度的设定、静电释放等方面都要进行完美的设计，同时尽可能减少通过设备、器具、人员、净化间供给引入的颗粒