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目录 第一章 真空 第二章 等离子体 第三章 溅射原理 第五章 溅射镀膜设备 第六章 溅射靶及靶材配置 * 第四章 反应性溅射 第四章 反应性溅射 * 在溅射镀膜时， 有意识地将某种反应性气体引入溅射室并达到一定的分压， 即可改变或控制沉积特性， 从而获得不同于靶材的新物质薄膜，这就叫反应性溅射； 通入不同的反应气体就可以得到不同的沉积膜层： 通入氧气可以形成氧化膜； 通入氮气可以形成氮化膜； 通入甲烷（CH4）可以形成碳化物膜； 通入硫化氢（H2S）可以形成硫化物膜； 反应性溅射： 第四章 反应性溅射 * Pumping system target Power supply substrate Gas ArO2 _电场 +电场 Ar+ O- Zn （Zn） 反应性溅射： 目录 第一章 真空 第二章 等离子体 第三章 溅射原理 第四章 反应性溅射 第六章 溅射靶及靶材配置 * 第五章 溅射镀膜设备 第五章 溅射镀膜设备 * 5-1 溅射镀膜设备 第五章 溅射镀膜设备 * 5-2 溅射镀膜设备示意图 C1 C2 C3 C6 C5 1 6 5 4 3 2 7 8 AZO Ag预留 Al Al NiV C7 各个腔室底压要求： 上下料腔室底压：C1/C7≤ 1 x 10-3 mbar 缓冲腔室底压 ：C2/C6≤ 3 x 10-6 mbar 传输腔室底压 ：C3/C5≤ 1.5 x 10-6 mbar 工艺腔室底压 ：C4/1?C4/8≤ 1.5 x 10-6 mbar 目录 第一章 真空 第二章 等离子体 第三章 溅射原理 第四章 反应性溅射 第五章 溅射镀膜设备 * 第六章 溅射靶及靶材配置 第六章 溅射靶及靶材的配置 * 6-1 平面靶 6-2 圆柱靶 第六章 溅射靶材及靶材的配置 * 圆柱靶与平面靶利用率比较 第六章 溅射靶材及靶材的配置 * 6-3 靶材配置示意图 C1 C2 C3 C6 C5 1 6 5 4 3 2 7 8 AZO Ag预留 Al Al NiV C7 第六章 溅射靶材及靶材的配置 * SPUTTER沉积工艺 膜层 沉积速率 沉积厚度 膜厚均匀性 面电阻 面电阻均匀性 透光率 AZO 200nm*m/min 100±2.5nm 5% ＜300 [Ω/□] 5% ＞ 82.5%(波长450～1100 nm光线) Al 400nm*m/min 200±5nm 5% 0.5 [Ω/□] 5% 无 NiV 100nm*m/min 50±1.25nm 5% 12 [Ω/□] 5% 无 注：此参数是暂行确定，具体参数根据实际情况可能会有改动。 膜层参数： 讲解结束 讲解结束，谢谢！ * * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 文件名 文件名 * * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 河北东旭投资集团 太阳能研究所 河北东旭投资集团 太阳能研究所 演讲人：王金萍 * 目录 第一章 真空 第二章 等离子体 第三章 溅射原理 第四章 反应性溅射 第五章 溅射镀膜设备 第六章 溅射靶及靶材配置 * 目录 第二章 等离子体 第三章 溅射原理 第四章 反应性溅射 第五章 溅射镀膜设备 第六章 溅射靶及靶材配置 * 第一章 真空 第一章 真空 * 1-1 生活中的真空 1、大气压、真空、真空度？ 第一章 真空 * 帕斯卡 Pa： 1Pa=1N/㎡ 标准大气压 atm： 1atm=101325Pa 托 Torr： 1Torr=133.32Pa 毫巴 mbar： 1mbar=100Pa 2、压强单位 第一章 真空 3.真空区域的划分 * 大气： 103mbar 低真空： 103~10-3mbar 中真空： 10-3~10-6mbar 高真空： 10-6~10-9mbar 超高真空： ＜ 10-9mbar 第一章 真空 4.平均自由程 * 2-2 气体分子平均自由程 不同真空度下的平均自由程： 真空度 平均自由程 分子数 （mbar） （cm） （个/cm3） 1×103 0.94×10-5 2.4×1019 1×10-2 0.94×100 2.4×1014 1×10-6 0.94×104 2.4×1010 1×1