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★ CMOS反相器的电压传输特性 ★ CMOS反相器的输入输出特性 ★ TTL与CMOS集成电路性能比较 7.1 MOS集成逻辑门 能与大多数的TTL逻辑电路兼容。 MOS集成逻辑门是由MOS场效应晶体管组成的数字集成电路 MOS集成逻辑门 在LSI（大规模集成电路）及VLSI(超大规模集成电路)的制作上 已经超过TTL，并占据优势。 ：制作工艺简单， 成本低， 输入阻抗极高， 功耗低， 集成度高 工作电源允许变化范围大，抗干扰性能较好 场效应晶体管是电压控制型器件 与双极性晶体管相比较具有许多优点。 MOS集成逻辑门分 P沟道增强（称PMOS） N沟道增强（称NMOS） 和互补MOS（称CMOS）三种。 PMOS由于开关速度低，电源电压高而且是负电源， 不便与TTL集成逻辑门衔接，现以很少用； NMOS克服了PMOS的许多问题，但速度低的问题始终 限制了其发展； CMOS充分表现了MOS技术的突出优点，成为LSI及VLSI集成电路的主流产品。 7.2 CMOS反相器的工作原理 1.电路结构 这种由T1，T2共同组成的互补对称型的场效应管集成电路称为CMOS反相器。 P沟道结构的增强型 场效应管 N沟道结构的 增强型 场效应管 负载管 驱动管 输入和输出之间为反相关系，实现非门逻辑功能 2.电路工作原理 uI=0V时，uGSN=0V, uGSP= 0V , uGSP= -10V 输出vO为高电平； uI= 10V时，uGSN=10V, 输出vO为低电平。 0 0 截止 导通 -10 1 10 10 导通 截止 0 0 T2截止 T1导通 此时T2导通 T1截止, 7.3 CMOS传输门和双向模拟开关 CMOS传输门 双向模拟开关 1.电路结构 设T1管和T2管的开启电压UGS(th)N=UGS(th)P=UGS(th) , VDD≥2 UGS(th), 控制信号C的高电平为VDD，低电平为0V。 2.工作原理： PMOS管 PMOS管 和T2管均处于截止状态相当于电路是断开的。 （1）当 （2）当 T1管和T2管均导通，即传输门 导通，uo=uI uI可以是0V到VDD的任意电压。 结论： 当输入信号电压在0－VDD范围内变化时， T1管 和T2管至少有一个处于导通状态，输入和输出之间 呈低阻态，相当于开关闭合 信号得以传输，且uo=uI。 传输门不传输信号。因为T1管 7.4 其它类型的CMOS门电路 由两个串联的N沟道和两个并联P沟道增强型MOS管构成 T1和T2两个栅极相连构成又一互补电路，两个互补电路的输入端为与非门的2个输入端。 T3和T4两个栅极相连构成互补电路 2输入端CMOS 与非门电路 1.电路结构 T1 均截止，输出端Y为低电平0，即“全1出0” 导通输出端Y为高电平1，即“有0出1” 2.逻辑功能 当A，B同时为高电平1时， T4 ，T2 均导通， T3 ， 当A，B端有一个或两个为低电平时， 串联T4 ，T2 有一个或两个截止，并联的T3 ，T1 有一个或两个 由两个串联的P沟道增强型和两个并联N沟道增强型 MOS管构成。 1.电路组成： 7.5 CMOS或非门 2输入端CMOS 或非门电路 负载管 驱动管 输入输出之间的逻辑关系为 2.逻辑功能： 接高电平的驱动管T3或T4 导通，输出端Y为低电平0，即“有1出0”。 输出Y为高电平1，即“全0出1” 当A，B同时为高电平1时， 当A、B端都为低电平0时，驱动管T3和T4两个都截止， 负载管T1、T2同时导通。 7.6 CMOS模拟开关 1.电路组成： 当C=VDD时， 由此可见，只要适当控制反相器的输入电压，即可决 定模拟开关的通断，传输门所能传输的电压值为0－VDD 之间任意电压值。又因MOS管源极和漏极的对称性，所 以模拟开关是一种双向开关。 2.工作原理 控制CMOS传输门导通，使uo=uI。 当C=0时， 反相器输出 控制CMOS传输门截止，使输入和输入断开。 反相器输出 7.7 TTL与CMOS集成电路性能比较 不同点： 频率不高情况下，电路的带负载能力比TTL集成 电路强 所以CMOS集成电路的工作速度比TTL集成电路慢。 具有相同逻辑功能的TTL集成电路和CMOS集成电路 相同点： （1）CMOS集成电路的输入阻抗很高，可达108Ω以上 （2） CMOS集成电路的导通电阻比TTL集成电路的导通 电阻大得多 （5）由于CMOS集成电路内部电路功耗小，发热量小， （3）CMOS集成电路的电源电压范围为3-18V，这使它的输 出电压摆幅大，因此其干扰能力比TTL集成电路强， 这与严格限制电源电压的TTL集成电路要优越的多。 （4）由于