磁致伸缩效应、电致光吸收效应.pptVIP

概 述 2、磁致伸缩效应 磁 致 伸 缩 效 应 3、电致光吸收效应 4、电致伸缩（压电效应） 光纤电磁量传感器类型 一、光纤法拉第磁强计 利用法拉第效应制成磁场传感器。 二、磁致伸缩效应光纤磁场传感器 马赫—泽德尔磁场传感器原理 磁致伸缩引起的相位变化 马赫—泽德尔磁场传感器 几种敏感元件的基本结构 三、电致光吸收光纤电场传感器 电致光吸收光纤电场传感器原理图 电吸收调制器原理 四、压电效应光纤电场传感器 马赫—泽德尔电场传感器 六、金属被覆光纤电流传感器 1、金属被覆多模光纤电流传感器 2、金属被覆单模光纤电流传感器 马赫—泽德尔干涉仪电流传感器原理 七、磁致伸缩效应光纤电流传感器 八、法拉第效应光纤电流传感器 光纤电流传感器原理示意图 习题和思考题 应力效应磁（场）强（度）计 温度应变效应电流计 E LED 光源 探测器 掺有杂质离子光纤 利用Franz-Keldysh效应和Stark效应，工作在调制器材料吸收区边界波长处。当调制器无偏压时，该波长处吸收最小，因而输出光功率最大，处于通状态，或者说输出“1”。随着调制器上电压的增加，调制器对输入光波的吸收边向长波长方向偏移，原来的波长处吸收系数变大，调制器成为断状态，输出功率最小，或者说输出“0 LED发光光谱 材料吸收率 E＝0 相对发光强度 吸收率 波长 E＝Emax 1 0 1 0 1 利用压电效应测量电场的光纤传感器，即采用压电材料的压电效应与单模光纤的弹光效应相结合的方法。 在压电弹光效应中，可以用高分子聚合物(如聚偏二氟乙烯－PVF2)作压电材料，高分子聚合物可作为光纤的包皮与光纤合为一体，只要这种形式的光纤足够长就可以解决耐高压与测量高压的问题。 PVF2 光纤 干涉仪测量?? 光纤 压电材料 聚偏二氟乙烯(PVF2)被覆光纤作为光纤干涉仪的测量臂就可以敏感电压或电场的变化。由于PVF2 材料在电场的作用下产生延伸现象，引起光纤的应变造成传输光相位的变化，用干涉仪测出这种相位变化就可测量出外加电压的大小。 PVF2的灵敏度较大 波长为633nm时，PVF2 约有 4rad／(V·m)的相移，而普通 的压电陶瓷波长为633nm时，约有0.39rad／(V·m)的相移。 E 激光 ? 探测器 PVF2 参考臂 PZT相位补偿器 相位补偿器可以实现两种运行方式：一种是?/2相位锁定，使干涉仪获得最大的灵敏度。另一种是?相位锁定，干涉仪可得到最大的混频效率。 P1 P2 ? l U 是一种利用电光效应的光纤电场传感器。在高压系统电场的测量中，可以用电光晶体作为传感器探头置于高压系统中。电光晶体可以用硅酸铋（Bi12SiO20）、铌酸锂（LiNbO3）。 五、电光效应光纤电场传感器 电光晶体 P1 P2 ? l U 电光晶体 把晶体传感探头置于两平行平面电极之间，就可以对外加电场进行测量。图中是一个实测的曲线。可以看出，外加电场E与输出电压信号V之间具有较好的线性度。 电光晶体 金属被覆光纤可以分为金属被覆多模光纤和金属被覆单模光纤。由于其类型不同，因而决定了由它们各自组成的电流传感器的原理也不同。 最普通的方式是，将多模光纤被覆上一层厚的铝金属护套。将光纤放置在磁场之中，并使光纤被覆层通以电流。此时，电流与磁场的相互作用引起光纤微弯曲，通过光源所激励的光纤中的各个波导模式，因光纤的微弯曲而产生新的相位差，并使传导模向辐射模转换，引起传导模能量的损耗。通过检测光纤末端射出的光束所形成的干涉图样的变化或能量的变化来反映被测电流的大小，这就是所谓的“光纤自差”测量方法。 光纤 金属护套 光 电流 光纤 激光 ? 探测器 B 70?m 175?m (7.2?/m) 永久磁场作用在圆柱体的轴线方向，其场强约在0.1T dF 这种传感器是根据被测电流流过金属护套光纤时产生电阻热效应对光纤进行加热而改变通过光纤中光的相位，从而实现电流检测的。 若把被覆光纤作为马赫—泽德尔光纤干涉仪的测量臀，则被覆光纤由于温度升高，其长度和折射率发生变化，从而改变了干涉仪两臂的两束光的相位差。 激光 ? 探测器 金属护套 参考臂 光纤的轴向尺寸和折射率随电流的强弱而变化 光纤 电流源 利用磁致伸缩材料被覆的单模保偏光纤作为马赫—泽德尔干涉仪的测量臂。当被测电流流过线圈时，将产生磁场并作用在磁致伸缩材料上，产生磁致伸缩效应，引起光纤发生形变，从而使干涉仪的两个臂的光相位差发生变化，通过测量相位差的大小就可以测量电流的大小。 光纤 磁致伸缩材料 电流源 测量臂 这种传感器的工作原理示意图如图8—16所示。其基本原理是利用光纤材料的法拉第效应，即处于磁场中的光纤会使在光纤中传输的偏振光发生偏振面的旋转，其旋转角度?与磁场强度H、磁场中光纤的长度l