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内存技术知识 一：主流内存电压介绍 SDRAM内存标准工作电压是3.3伏，上下浮动额度不超过0.3伏； DDR SDRAM内存标准工作电压是2.5，上下浮动额度不超过0.2伏； DDR2 SDRAM内存标准工作电压是1.8V。 DDR3 SDRAM内存标准工作电压是1.5V。 一般的内存厂家都会遵循SDRAM内存3.3伏、DDR SDRAM内存2.5伏、DDR2 SDRAM内存1.8伏的基本要求设计生产内存条，但也有的内存厂家在标准电压值上浮动0.1V或更高，以此为卖点。只要是在允许的范围内浮动一般不会影响系统的稳定。 由于DDR3内存电压较低，发热量小，这样略微提高内存电压，有利于内存超频。相对而言电压低的内存超频幅度较大，但是也会增加内存的发热量，因此在超频时，搞好内存条的散热也很重要。 二：DDR3内存的不同之处 综上所述，DDR3内存具有以下优点： 1.更高的外部数据传输率 2.更先进的地址/命令与控制总线的拓朴架构 3.在保证性能的同时将能耗进一步降低 4.为了满足上述要求，DDR3在DDR2的基础上采用了以下新型设计： 5.8bit预取设计，DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz 6.采用点对点的拓朴架构，减轻地址/命令与控制总线的负担 7.采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。 三：内存带宽计算方法 四：如何刷新内存SPD？ 同主板的BIOS一样，SPD也是可以刷新的。专业人员常用专用设备或专用转接头配合编程器来刷新内存条的SPD数据，另外还可以利用软件刷新内存SPD参数。用Thaiphoon Burner这款软件就能做到。能识别由JEDEC分配的635个唯一生产ID，完全兼容DDR2内存。当主板上插有新旧两条大小一致的内存导致系统不稳定，主板的BIOS又无法对两条内存的频率分别调整时，可以把性能弱的SPD刷到强的那条内存上，以提高稳定性。 注意：千万不要把内存大小不同的SPD互相刷！DDR，DDR2，DDR3的SPD也不能混刷。同BIOS的刷新一样是有风险的，如果需要请在刷新前备份被刷的内存spd。 五：FBD、XDR、XDR2内存概述 FBD即Fully-buffer DIMM（全缓存模组技术），它是一种串行传输技术，可以提升内存的容量和传输带宽.是Intel在DDR2、DDR3的基础上发展出来的一种新型内存模组与互联架构，既可以搭配现在的DDR2内存芯片，也可以搭配未来的DDR3内存芯片。FB-DIMM可以极大地提升系统内存带宽并且极大地增加内存最大容量。 　 FB-DIMM与XDR相比较，虽然性能不及全新架构的XDR，但成本却比XDR要低廉得多。与现有的普通DDR2内存相比，FB-DIMM技术具有极大的优势:在内存频率相同的情况下目前能提供四倍于普通内存的带宽，并且能支持的最大内存容量也达到了普通内存的24倍，系统最大能支持192GB内存。FB-DIMM最大的特点就是采用已有的DDR2内存芯片(以后还将采用DDR3内存芯片)，但它借助内存PCB上的一个缓冲芯片AMB(Advanced Memory Buffer，高级内存缓冲)将并行数据转换为串行数据流，并经由类似PCI Express的点对点高速串行总线将数据传输给处理器。 与普通的DIMM模块技术相比，FB-DIMM与内存控制器之间的数据与命令传输不再是传统设计的并行线路，而采用了类似于PCI-Express的串行接口多路并联的设计，以串行的方式进行数据传输。在这种新型架构中，每个DIMM上的缓冲区是互相串联的，之间是点对点的连接方式，数据会在经过第一个缓冲区后传向下一个缓冲区，这样，第一个缓冲区和内存控制器之间的连接阻抗就能始终保持稳定，从而有助于容量与频率的提升。 2．XDR内存 XDR就是“eXtreme Data Rate”的缩写，这是Rambus的黄石的最终名称。XDR将Rambus之前公布了一系列新技术集中到了一起，新技术不仅带来了新的内存控制器设计和DRAM模块设计，同时可以工作在相当高的频率，带来让人难以置信的带宽。 XDR内存比较有意思，这次架构同目前实际使用的DDR、DDR II并没有太大的差别，但XDR却依旧拥有自己的知识产权。XDR在今年年内会有样品出现，明年中后期正式推广，同原来一样三星依旧是RAMBUS的核心伙伴，另外东芝和Elpida也将出现。 DDR和XDR之间最大的差别是就在内存控制器和实际内存芯片的接口上。这并不会让人感到奇怪，Rambus已经将自己定位成了一家“接口”公司，他们宣称中档的XDR内存也要比目前的DDR