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第五章 常用半导体器件 第一节 PN结及其单向导电性 第二节 半导体二极管 第三节 特殊二极管 第四节 晶体管 第五节 场效应晶体管 第六节 半导体器件在汽车中的应用 (1) 单相半波整流电路 (2) 单相桥式整流电路 例2：已知ui = 6sinωtV，E =3V，画输出波形。 例3：已知某放大电路中的晶体管三个电极的对  地电压，试判断它们的极性、材料、并确  定三个电极。 汽车中的高位刹车灯 R R R R +UB R的选择使发光二极管电流小于20mA 发光二极管的正向工作电压一般在1.7～2.1V 5.3.3 光敏二极管 光敏二极管(或称光电二极管)是一种将光能转换成电流的器件。其PN结封装在具有透明聚光窗的管壳内。 当光敏二极管的PN结接受光线照射时，可以成对地产生大量的电子和空穴，这些载流子在反向偏置下可以产生反向漂移电流，反向电流的大小与光照强度成正比。 符号 5.4 晶体管(双极型三极管) 5.4.1 晶体管的构造和分类 B E C N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 P N P 集电极 基极 发射极 B C E PNP型 B E C B E C 返回 基区 集电区 发射区 基极 集电极 发射极 集电结 发射结 NPN型 集电结体 积大。 特点： 发射区参杂 浓度很大， 基区薄且浓度低， B E C N N P EB RB IE IB ＋ ＋ ＋ － ＋ － － － ＋ ＋ ＋ ＋ － － － － 5.4.2 晶体管的电流分配及放大作用 1. 晶体管内部载流子的运动规律 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IB ，多数扩散到集电结。 Ec RC 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 B E C N N P EB RB Ec IE 从基区扩散来的电子漂移进入集电结而被收集，形成IC。 IC IC IB 要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。 ＋ ＋ ＋ － ＋ － － － ＋ ＋ ＋ ＋ － － － － 基极电流很小的变化，将引起集电极电流一个很大的变化。 直流电流 放大系数 交流电流 放大系数 IB RB EB IC RC EC IE 2. 晶体管的电流分配 重要 参数 通用 晶体管放大原理的小结： *发射区参杂浓度很大——有利于多子发射 *基区薄且浓度低——决定基区扩散》复合， 从而使IC 》 IB *集电结体积大——有利于收集 1. 放大的实质是控制，是小控大，弱控强。 2. 放大的内因是晶体管的内部特点。 3. 放大的外因是正确的供电极性。 发射结正偏，集电结反偏。 IB 与UBE的关系曲线（同二极管） IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V 死区电压，硅管0.5V 工作压降： 硅管UBE ? 0.7V 5.4.3 晶体管的特性曲线 1. 输入特性曲线 2. 输出特性(IC与UCE的关系曲线) IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 40?A 60?A Q Q’ ? = IC / IB =2 mA/ 40?A=50 ? = ? IC / ? IB =(3-2)mA/(60-40) ?A=50 ? = IC / IB =3 mA/ 60?A=50 输出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 线性放大区： 发射结正偏，集电结反偏，IC只与IB有关，IC=?IB , 且 ? IC = ? ? IB 。 饱和区： 发射结正偏，集电结正偏，IB增加IC几乎不变，已达饱和，即无电流放大作用。小功率硅管的UCE?0.3V， UBE ?0.7V。 截止区 : 发射结反偏，集电结反偏。 UBE 死区电压，IB=0 ， IC=ICEO ? 0， 无电流放大作用。 (2) 极间反向电流 3. 晶体管主要参数 (1) 电流放大系数 ：选 通常在30～80为宜 集基反向饱和电流ICBO 集射间穿透电流 ICEO ICBO ICEO 易受温度影响 (3) 极限参数 IC/mA UCE /V 0 10 40 20 30 1 2 4 5 3 IB＝10μA IB＝20μA IB＝40μA IB＝60μA IB＝80μA IB＝100μA ICM PCM UCEO(BR) (4) 温度对晶体管的影响 * 温度对ICEO、ICBO的影响 ICEO、 ICBO 随温度上升急剧增加