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* 基 本 器 件 2） N型半导体中自由电子是多子，空穴是少子。 3） P型半导体中空穴是多子，自由电子是少子。 4）多子和少子都是载流子，可以产生电流，但起导电作用的主要是多子。 1）本征半导体的导电能力很弱。如果掺入五价元素则形成N型半导体；如果掺入三价元素则形成P型半导体。 5）在N型半导体和P型半导体的交界面附近形成空间电荷区（PN结）。PN结的主要特点就是单向导电性。 1、半导体的基础知识 2、半导体二极管 本征半导体 掺杂 杂质半导体 PN结 二极管 P型和N型 交界面 加引线和外壳 1）本质上就是一个PN结。 2）它的主要特性也是单向导电性。 3）对二极管的外部伏安特性近似后得到两种模型——恒压降模型和理想模型。 4）分析二极管应用电路的基本方法——模型分析法（近似）。 步骤如下： （1）当电路里只有一个二极管时，将其从电路中断开后判断是否导通；当电路里有多个二极管时，将所有二极管断开后判断谁优先导通，再判断其它二极管是否导通。 （2）选择合适的模型 作业:1.3 5）特殊二极管 稳压二极管 反向击穿 稳 压 发光二极管 正 偏 发 光 光敏二极管 反 偏 光电转换 工作条件 主要用途 3、晶体三极管（电流控制型器件） 三极管的输入特性曲线和输出特性曲线 1） 每一种状态的条件；（每个区不同的偏置条件） 2）每一种状态的特点： a.放大区：最重要的一点就是iB 对 iC进行控制，即iC =? iB（ ） b.饱和区：最重要的一点就是iC 将不受iB 的控制（iC ? iB）；当外电路的电源电压一定时，随着iB的增加， iC最终趋于恒定，vCE趋近于0 c.截止区： vBE反偏或小于0.7V(硅管）；iB=0； iC=ICEO (近似为0） 3）发射结导通时的恒压降特性（近似恒定）。 4、场效应管（电压控制型器件） 场效应管的转移特性曲线和输出特性曲线 1、在放大区,vGS对 iD进行控制(vgs对id进行控制， ),这是场管与晶体三极管的最大区别. 2、g、d、s分别与b、c、e相对应 N 沟道增强型 S G D B iD P 沟道增强型 S G D B iD 2 – 2 O uGS /V iD /mA UGS(th) O uDS /V iD /mA – 2 V – 4 V – 6 V – 8 V uGS = 8 V 6 V 4 V 2 V S G D B iD N 沟道耗尽型 iD S G D B P 沟道耗尽型 UGS(off) IDSS uGS /V iD /mA – 5 O 5 O uDS /V iD /mA 5 V 2 V 0 V –2 V uGS = 2 V 0 V – 2 V – 5 V N 沟道结型 S G D iD S G D iD P 沟道结型 uGS /V iD /mA 5 – 5 O IDSS UGS(off) O uDS /V iD /mA 5 V 2 V 0 V uGS = 0 V – 2 V – 5 V FET 符号、特性的比较 四种MOS管的符号区分: 1、箭头向里是N沟道,箭头向外是P沟道 2、断开是增强型，没有断开则为耗尽型 判断是否可能工作在放大区的方法： 1、N沟道：VDVS ; P沟道：VDVS 2、N沟道：VGS越大沟道越宽，并且对于耗尽型，VGS可正可负，对于增强型， VGS为正，要大于开启电压 3、N沟道：VSG越大沟道越宽，并且对于耗尽型，VSG可正可负，对于增强型， VSG为正，要大于开启电压 9 9 *