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第 6章 MCS-51扩展存储器设计 本章将主要介绍半导体存储器 SRAM 和 EPROM 的功能及其特点，存储器的地址译码、地址分配及其与MCS-51的连接。由于受集成度的限制，常用单片机片内只能集成容量有限的程序存储器和数据存储器。例如，8051内部集成4KB ROM，8751内部集成4KB ROM，8052、8752的EPROM存储容量为8KB，如果应用系统需要更大容量，就可外部扩展。8031则内部无程序存储器，必须外部扩展。无论8031、8051、8751，其 内 部 均 集 成128B，8052/8752/8032为256B的RAM。因此，可根据应用系统的需要，决定是否需外部扩展。 根据前面已经讨论过的系统三总线结构，我们现针对具体的ROM、RAM芯片的进行系统扩展。当ＭＣＳ-５１系列单片机访问外部存储单元时，P2为地址总线的高8位，而P0是根据时序分别充当地址总线的低8位和数据总线（应先将 Ｐ０ 口上的地址信号通过锁存器继续输出地址信息，再将 Ｐ０口作数据总线进行数据的读／写操作），故外部地址总线为16位，其寻址空间可达64KB。ＭＣＳ-５１系列单片机的外部数据总线为８位（一般选择P0端口）。控制总线数量不定，有公用总线，如读／写线；有专用线，如等线。ＭＣＳ-５１系列单片机提供P0~P3共４个８位I/O端口。（需要插入三总线结构的图饰） 6.1 常用ROM芯片的使用 ROM中的信息不因停电而消失，故它又被称为非易失性存储器。其主要用途是存储固定的程序、常数和表格等，在工作状态下只能读取而不能写。ROM按照工艺可分为ROM、PROM和EPROM。 （1）掩模ROM 掩模ROM中的信息在制造时候有掩模工艺固化，信息一旦固化就不能再修改，主要用于大批量的定型产品。 （2）PROM PROM（Programmable ROM）是一种在用户的实验室里把程序和常数用特殊方法和手段写入的只读存储器。采用PROM比掩模ROM更方便，但是它只能写入一次，且写入的信息不能修改。 （3）EPROM EPROM（Erasable PROM）用户可以根据需要对它进行多次擦写，按照擦除的方式不同可分为UVEPROM（紫外光擦除ROM）和EEPROM（电可擦除ROM）。 下面我们将主要介绍两款常用的ROM芯片。 6.1.1 EPROM2764介绍 随着集成技术的发展，单片 ＥＰＲＯＭ 的存储容量不断扩大，如2764为8×８ＫＢ、27128为 8×１６ＫＢ、27256为 8×３２ＫＢ、27512为8×６４ＫＢ，一般单片机应用系统，选用２７６４（８ＫＢ）已经足够了。２７６４是８Ｋ×８位（８１９２字节单元）ＥＰＲＯＭ，２８脚双列直插式封装。 各引脚含义如下： 引脚 功能 A0~A12 13位地址线 O0~O7 ８位数据线 OE 读选通线 CE 片选信号线 NC 悬空线 VPP +12.5V编程电压端 PGM 编程脉冲输入端 VCC +5V工作电压 GND 接地 按照地址线条数和存储容量的关系可知道2764的容量是8K（=8192），2764的地址线应和MCS-51的P2和P0的地址锁存口连接，其中A12、A0分别为地址总线的最高位和最低位。２７６４ＥＰＲＯＭ 的地址空间为００００Ｈ～１ＦＦＦＨ 共８Ｋ 字节。由于它的片选信号端接地，处于常开（选中）状态，主机访问程序存储器读取指令靠ＰＳＥＮ选通信号进行选通。并请注意，程序存储器 ＥＰＲＯＭ 的起始地址必须从００００Ｈ 开始，这是由 ＭＣＳ-５１系列单片机的系统结构所决定的。下图是2764的两种工作方式和五种工作状态和在各状态时引脚的电平状态： 现在对五种工作状态分析如下： （1）读出和维持状态。该状态时，VPP和VCC都必须接+5V电源。读出和维持状态主要是由的电平决定，如果接的是TTL低电平，则该芯片被选中工作，数据线O7~O0上输出与A12~A0地址相对应存储的数据。如果为高电平，则数据线保持高阻态，芯片的有效功率损耗也将从读出状态的100mA降低到40mA,该时刻的时序图如下： （2）编程和禁止状态。该两种状态均要求VPP接12.5V电源（VCC依然是接+5V）。编程和禁止状态也是由/CE决定的，若为TTL低电平，数据线O7~O0上的程序代码可在上50ms宽负脉冲的情况下写入A12~A0决定的存储单元，此时为芯片的编程状态。在两个负脉冲的间歇，芯片处于禁止编程状态。 （3）校验状态。如果VPP接+12.5V，接TTL高电平，和上的电平控制可从2764读出编程状态下写入的程序代码，以便与原程序进行对比校验。此时对应的时序如下图所示： 6.1.2 课题设计 利用8051单片机，外扩8KB EPROM 2764，其电路设计如图所示。 引脚连接