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霍尔元件基本参量及磁场的测量 【实验目的】 （1）了解霍尔元件的基本原理及产生的条件，测量室温下半导体材料的霍尔元件的基本参数。 （2）测绘霍尔元件的VH-IS、VH-IM曲线，了解霍尔电压与霍尔元件工作电流IS和励磁电流IM之间的关系。 （3）测电磁铁磁隙中磁场的横向分布。 【实验原理】 1. 霍尔效应 如图3.7.1所示，一块宽为，厚为的半导体薄片，若在其对称点1、2之间接上一个灵敏度电流计，沿x轴正向通电流，在不加磁场的情况下，电流计不会偏转，说明1、2两点 半导体薄片 图3.7.1 之间电位相等；但是如果在z方向加上磁场B，电流计立即就会偏转，说明1、2两点之间有电位差。这一现象是霍尔首先发现的，故称霍尔效应，两点间的电位差称为霍尔电压。 设沿半导体薄片x方向通一稳恒电流IS，z方向加一均匀磁场B后，半导体薄片中的载流子（空穴或电子）将受到洛仑兹力FB的作用，由于IS的方向和B垂直，故FB＝evB，这个力使电荷在元件的两边1-3或2-4面堆积并形成一横向电场EH，即霍尔电场。电场EH对载流子产生一个方向和洛仑兹力FB相反的静电力FB＝eEH，当载流子受到的横向电场力和磁场力达到平衡（FE＝FB）时，即有 （3.7.1） 式中 e(——(载流子电量； v(——(载流子速度； EH(——(霍尔电场强度。 设两侧面间霍尔电压为VH，则 （3.7.2） 由于半导体薄片厚为h，在x方向的截面面积，再设半导体薄片内单位体积电荷数为n，则 电流密度 （3.7.3） 电流强度 （3.7.4） 于是 （3.7.5） 则 （3.7.6） 2. 基本参数 （1）霍尔系数 式（3.7.6）中，令 （3.7.7） 则 （3.7.8） RH称为霍尔系数，是半导体材料的一个重要参数，当RH为负值时，半导体薄片为N型半导体（电子型导电）；当RH为正值时，半导体薄片为P型半导体（空穴型导电），由式（3.7.7）可得出半导体薄片的霍尔系数的测量公式为 （3.7.9） 的单位为：cm3/C〔B、IS、VH、h的单位分别为高斯（1Gs =10－4 T）、安培（A）、伏特（V）、厘米（cm）〕，也常用m3/C. (2) 载流子浓度 由公式（3.77）可得载流子浓度n： （3.7.10） （3）电导率 由于半导体薄片的电阻R的大小与其长度L成正比，与其截面面积成反比，即 （3.7.11） 式中?(为半导体材料的电阻率，则其电导率?(为 （3.7.12） 在图3.7.1的半导体薄片中，设相距为L的两点间的电位差为V1，则 （3.7.13） （3.7.14） 若已知半导体薄片的w、h、L，并测出工作电流IS和相距为L的两点间的电位差V1，代入式（3.7.14）就可求得?。当I的单位为安培（A），V1的单位为伏特（V），L、w、h的单位为（cm）时，??(的单位为欧姆－1·厘米－1（?－1·cm－1，即S/cm）。 （4）霍尔迁移率 由霍尔迁移率和电导率的关系可得 (（cm2·S /C） （3.7.15） （5）霍尔元件的灵敏度及磁场的测量 由式（3.7.8）知