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西安邮电学院 计算机学院 第5章存储器原理与扩展 第五章 存储器原理与扩展 5.1 概述 5.1.1 半导体存储器的分类　 5.1.2 半导体存储器的名词含义　 5.1.3 半导体存储器的主要性能指标 5.2 随机读写存储器 5.2.1 静态存储器 1. SRAM基本存储元 2. SRAM的组成结构 3. 静态RAM的读写时序 4. 静态RAM芯片介绍 5.2.2 动态存储器　1. 四管动态存储元 2. 单管动态存储元 3. 动态RAM芯片介绍 4. DRAM与CPU的连接 5. 动态RAM的读写时序 5.3 只读存储器 5.3.1 掩膜式ROM 5.3.2 一次编程式ROM 5.3.3 多次编程式ROM 1. EPROM存储器 2. EEPROM存储器介绍 5.4 Flash存储器 5.4.1 Flash存储器类型及特点 2. 基本工作原理 3. NOR型Flash存储器的特点 5.4.2 Flash芯片介绍 5.5 存储器与CPU连接 5.5.1 连接时应注意的问题 5.5.2 地址空间划分及存储器连接 2. 存储器的连接 3. 译码器芯片介绍 4. 应用示例 示例1： 示例2： 5.6 存储器扩展 5.6.1 位扩展 5.6.2 字扩展 5.6.3 字位同时扩展 本 章 小 结 作业： ??? 单块存储芯片上的存储单元数目满足存储器需求，而字长不能满足需求，需进行的存储器扩展称为位扩展。例如：已有8K×1的SRAM芯片，需要组成8K×8的存储器，这里芯片的存储单元数目与存储器需求一致，但字长不够，需要进行位扩展来实现。图5.33所示为8K×1 SRAM芯片，采用位扩展组成8K×8的存储器电路连接示意图。 图5.33 位扩展组成的8K×8存储器电路连接示意图 ??? 由图看出，位扩展方式存储器的电路连接特点是：所有芯片的地址线和读/写线都连接到总线的对应位上，所有芯片共用一个片选信号，而各芯片的数据线需要分别连接到数据总线的D7~D0位上。 单块存储芯片上的存储字长满足存储器需求，而存储单元数目不能满足需求，需进行的存储器扩展称为字扩展，字扩展就是存储单元数量的扩展。图5.34所示为16K×8 SRAM芯片，采用字扩展方式，组成64K×8的存储器电路连接示意图。 由图看出，字扩展方式存储器的电路连接特点是：所有芯片的数据线、地址线和读/写线都连接到总线的对应位上，而由片选信号来指定各片地址范围。 图5.34 字扩展组成的64K×8存储器电路连接示意图 图中每个16K×8位SRAM芯片，都有14位地址线，经过字扩展后，组成64K×8位的存储器，则需要16位地址线。其中，这16位地址线的低14位（A13~A0）直接与各芯片的地址线连接，用于进行片内寻址。另外的高2位地址线（A15和A14）经2—4译码器译出4位片选线，分别与4个芯片的片选信号相连接，用来选定各芯片在整个存储空间中所属的地址范围。 在实际应用中，单块存储芯片上的存储单元数目和字长均不能满足存储器需求时，就需要同时进行位扩展和字扩展，即字位同时扩展。 例，现有1K×4 SRAM存储器芯片，要构成某计算机存储系统所需4K×8的存储器，下面介绍如何通过1K×4芯片构成4K×8的存储器。 单块1K×4芯片的存储单元数目是1K，字长是4位。所需的存储器是4K×8。因此，该单块芯片的存储单元数目不满足要求，需要将存储单元数目从1K扩展到4K；字长也不满足要求，需要将字长从4位扩展到8位。所以，采用1K×4芯片构成4K×8的存储器，需要进行字扩展和位扩展，即字位同时扩展。 Mask ROM是生产厂家按用户定制的要求，在芯片的生产过程中写入固定信息值，因而使用时只可读出，不能修改。 Mask ROM的优点是可靠性高，集成度高，批量生产成本低，适宜于大批量的定型专用产品。缺点是不可重写，不适用于需要多次修改的研究开发过程。 一次编程式只读存储器PROM出厂时所有存储单元内容全为“1”或“0”，用户可用专用的PROM编程器将信息写入。这种写入是破坏性的，也就是说只能进行一次编程，无法进行更改。根据编程原理PROM可分为两种结构类型： 一种是熔丝烧断型 一种是PN结击穿型 由于PROM可靠性差，加上只能一次性编程，所以产品已经淘汰。 PROM虽然可供用户进行一次编程，但仍有局限性。为了便于研究工作，实验各种ROM程序方案，可擦除、可多次编程式ROM在实际