自旋电子学讲解.ppt

Ch 4 自旋电子学 本讲（2学时）内容重点： （1）基本问题 自旋的注入、输运和检测 （2）注入的障碍 设想的自旋场效应晶体管 基本问题的含义（1） （1）自旋注入 “使传导电子自旋极化” 即产生非平衡的自旋电子（占有数） n↑ ≠ n↓ 方法之一，光学技术。光取向或光抽运。 方法之二，电学自旋注入。（便于器件的应用） 基本问题的含义（2） （2）自旋传输 自旋电流从FM电极注入半导体， 会在界面和半导体内产生“累积” 自旋弛豫机制 会使得自旋的非平衡转向平衡。 这个特征时间大约是几十纳秒，足够长！ （3）自旋检测 自旋状态的改变。 三种自旋注入实验 （1）电注入―电检测 （之一） FM/ Semic 界面 早期：效率太低，1％ P. R. Hammar et al，PRL 83，203（1999） S. Gardelis, et al, PRB 60,7764 (1999) （1）电注入―电检测 （之二） 近期： FM－肖特基势垒－SC， 据称效率达到 30％。 别人尚未重复！ A. T. Hanbickia) et al APL 80，1240 （2002） （2）电注入―光检测（之一） 实验：磁性半导体电注入 和 偏振光检测 (Nature 402 (1999)790; ibid. 408 (2000)944) 产生： P型－(Ga,Mn)As 的自旋极化空穴 和N型－GaAs的非极化电子 进入InGaAs量子阱复合， 产生极化的场致发光。 （T=6K; H=1,000 Oe） 检测：偏振光检测 （2）电注入―光检测（之二） 场致发光强度（左） 极化度 （右） （3）光产生―光检测（之一） Wolf S A Awschalom et al， Science，2001，294，1488 强激光Pump在半导体中， 产生了 Spin-polarized state, 此时的半导体等效于”磁体”. 可以用Farady-Kerr 效应做光检测Probe. （3）光产生―光检测（之二） Schmidt “障碍” 电注入的问题在那里？ “从铁磁金属直接发射电子到半导体中”。 “这种自旋注入方式，面临一个基本障碍。 那就是这两种材料之间的电导失配。” Schmidt的计算模型 （1） 结构： FM金属（1） // 半导体（2） // FM 金属（3） 第一界面， 为 X＝ 0， 第二界面， 为 X＝ X0 两流体模型！ Schmidt的计算模型（2） 简化： 1维问题 （垂直界面方向） 任务： 首先，计算各个区域的“化学势” 和“自旋极化电流” 其次，计算半导体区域电流的 “自旋注入的效率” 问题：电流、化学势、边条件、电导率失配？ Schmidt的计算模型（3） 自旋极化率定义 其中， 分别为 FM，SC，FM 对于注入区（铁磁金属）的自旋极化电流， 计算，接收区（半导体）自旋极化的电流 注意：电流密度 是材料、自旋和坐标的函数。 Schmidt的计算模型（4） 需要，计算“自旋相关的”电流密度 。 自旋极化电流服从Ohm定律 其中，σ↑↓是两种自旋的电导率， *注意，电流密度与化学势的斜率成比例（！） Schmidt的计算模型（5） 为此，先要计算“自旋相关的”化学势 。 化学势服从扩散方程 Schmidt的计算模型（6） 求解扩散方程 对于铁磁材料区，化学势的形式解是： 这里，i＝1，3。X1＝ 0； X3＝ X0。 ＋（－）分别对应 1，3 。 Schmidt的计算模型（7） 求