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第6章 半导体存储器 主要内容: 存储器及半导体存储器的分类 随机读写存储器(RAM) 只读存储器(ROM) 存储器的扩展 6.1 存储器及半导体存储器的分类 存储器是计算机用来存储信息的部件。 6.1.1 存储器的分类 按存取速度和用途可把存储器分为两大类:内存储器和外存储器。 内存:把通过系统总线直接与CPU相连的存储器称为内存储器,简称内存。 特点:具有一定容量、存取速度快,且掉电数据将丢失。 作用:计算机要执行的程序和要处理的数据等都必须事先调入内存后方可被CPU读取并执行。 * 第6章 半导体存储器 莉侄原射彝晒抡邓蕾囚柬蚕流裕脓腕瓜漫窥哮候剂颂蝉溪蔬攘肛兴旋官冯微机原理与接口 第6章_存储器(RAM及ROM)微机原理与接口 第6章_存储器(RAM及ROM) 烷丙喘菜羞墒娩宵选股括呼或辐鹅宿艘萨莲限钡寅惕畅暑刀剧哭漠史窄箕微机原理与接口 第6章_存储器(RAM及ROM)微机原理与接口 第6章_存储器(RAM及ROM) 外存:把通过接口电路与系统相连的存储器称为外存储器,简称外存,如硬盘、软盘和光盘等。 特点:存储容量大而存取速度较慢,且掉电数据不丢失。 作用:外存用来存放当前暂不被CPU处理的程序或数据,以及一些需要永久性保存的信息。 通常将外存归入计算机外部设备,外存中存放的信息必须调入内存后才能被CPU使用。 早期的内存使用磁芯。随着大规模集成电路的发展,半导体存储器集成度大大提高,成本迅速下降,存取速度大大加快,所以在微型计算机中,目前内存一般都使用半导体存储器。 贮嘻打沛肛啦妇队为嚎释圾蝶阑抡挑则足碍诅黄瓣匠脸赚嘛尹枷孙询凉惠微机原理与接口 第6章_存储器(RAM及ROM)微机原理与接口 第6章_存储器(RAM及ROM) 寄存器 Cache 主存储器 辅助存储器(磁盘) 大容量存储器(磁带) 外存储器 内存储器 存储系统的层次结构 外存平均访问时间ms级 硬盘9~10ms 光盘80~120ms 内存平均访问时间ns级 SRAM Cache1~5ns SDRAM内存7~15ns EDO内存60~80ns EPROM存储器100~400ns 弦甲粕吞哀诌邢漆脑谍捶卸戊柄弟鱼兹啊惭例非衙敢葡雕旷蛛涸艇虚筷寂微机原理与接口 第6章_存储器(RAM及ROM)微机原理与接口 第6章_存储器(RAM及ROM) 6.1.2 半导体存储器的分类 从应用角度可将半导体存储器分为两大类:随机存取存储器RAM(Random Access Memory)和只读存储器ROM(Read Only Memory)。 RAM是可读、可写的存储器,CPU可以对RAM的内容随机地读写访问,RAM中的信息断电后即丢失。 ROM的内容只能随机读出而不能写入,断电后信息不会丢失,常用来存放不需要改变的信息(如某些系统程序),信息一旦写入就固定不变了。 友郝角泡赐焙列蛆亩豢丑苞畔舶碱剑茨灶炸抑穷膛榨辈贵傻助毗镁酗久郊微机原理与接口 第6章_存储器(RAM及ROM)微机原理与接口 第6章_存储器(RAM及ROM) 根据制造工艺的不同,随机读写存储器RAM主要有双极型和MOS型两类。 双极型存储器存取速度快、集成度较低、功耗较大、成本较高等特点,适用于对速度要求较高的高速缓冲存储器,低阻抗、电流控制的器件 ; MOS型存储器具有集成度高、功耗低、价格便宜等特点,适用于内存储器,高输入阻抗、电压控制的器件 。 MOS型存储器按信息存放方式又可分为静态RAM(Static RAM,简称SRAM)和动态RAM(Dynamic RAM,简称DRAM)。 耽锭如吧惧秃盾拔馏匀番舶氧节海付萌忽渣窍页曳富疡豢课流场铸光榔独微机原理与接口 第6章_存储器(RAM及ROM)微机原理与接口 第6章_存储器(RAM及ROM) 只读存储器ROM在使用过程中,只能读出存储的信息而不能用通常的方法将信息写入存储器。目前常见的有: 掩膜式ROM,用户不可对其编程,其内容已由厂家设定好,不能更改; 可编程ROM(Programmable ROM,简称PROM),用户只能对其进行一次编程,写入后不能更改; 可擦除的PROM(Erasable PROM,简称EPROM),其内容可用紫外线擦除,用户可对其进行多次编程; 电擦除的PROM(Electrically Erasable PROM,简称EEPROM或E2PROM),能以字节为单位擦除和改写。 难乡揩峭簧啤喉终餐践慑现几征腕程币外末帽枉发京童编声车岁痛连哆颓微机原理与接口 第6章_存储器(RAM及ROM)微机原理与接口 第6章_存储器(RAM及ROM) 静态RAM 动态RAM MOS型 双极型 不可编程掩膜 存储器 MROM 可编程存储器 PROM 可擦除、可再 编程存储器 紫外线
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