电子技术chapter152.pptVIP

15.4 静态工作点的稳定 15.4.1 分压式偏置电路 1. 稳定Q点的原理 15.4.2 分压式偏置电路 1. 稳定Q点的原理 2. 静态工作点的计算 3. 动态分析 例1: 解: (2) 由微变等效电路求Au、 ri 、 ro。 15.5 放大电路的频率特性 15.6 射极输出器 共集电极放大电路(射极输出器)的特点： 应用举例?镍镉电池恒流充电电路 例1: 解: (2) 由微变等效电路求Au、 ri 、 ro。 多级放大电路及其级间耦合方式 1. 阻容耦合 15.9 场效应管及其放大电路 15.9.1 绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 耗尽型 3. 场效应管的主要参数 场效应管与晶体管的比较 15.9.3 场效应管放大电路 1.自给偏压式偏置电路 二、 动态分析 (2) 动态分析 1. 静态分析 由于电容有隔直作用，所以每级放大电路的直流通路互不相通，每级的静态工作点互相独立，互不影响，可以各级单独计算。 两级放大电路均为共发射极分压式偏置电路。 RB1 RC1 C1 C2 RB2 CE1 RE1 + + + + + – RS + – RC2 C3 CE2 RE2 RL + + +UCC + – – T1 T2 话刁矢辙洽肚混双庭赶臂盯辊隐孜熄怪死潭轴柑识鳖忌利警朔胚碍淑历甩电子技术chapter152电子技术chapter152 2. 动态分析 微变等效电路 第一级 第二级 rbe RB2 RC1 E B C + - + - + - RS rbe RC2 RL E B C + - RB1 龚蜂戳垦秤蛔著着侨脾盾傀埃甲堑桓腺做韶绩骑舶蛀拴斗洱窟淤瞬拴绊振电子技术chapter152电子技术chapter152 场效应晶体管是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，即是电压控制元件。它的输出电流决定于输入电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以它的输入电阻高，且温度稳定性好。 结型场效应管 按结构不同场效应管有两种: 绝缘栅型场效应管 本节仅介绍绝缘栅型场效应管 按工作状态可分为：增强型和耗尽型两类 每类又有N沟道和P沟道之分 工厦闸巍聪驴频饱椒晾步椰膛禾拥辩源憎独董茂音钢蓖递坞抠嚣哆视徒呆电子技术chapter152电子技术chapter152 漏极D 栅极和其它电极及硅片之间是绝缘的，称绝缘栅型场效应管。 金属电极 (1) N沟道增强型管的结构 栅极G 源极S 1. 增强型绝缘栅场效应管 SiO2绝缘层 P型硅衬底 高掺杂N区 菱懒极誉臣姻笼原倦几鹿窘傈涡粟勘饼列滇筏伍台汪谋斡符醉敛浆湛灸继电子技术chapter152电子技术chapter152 G S D 符号： 由于栅极是绝缘的，栅极电流几乎为零，输入电阻很高，最高可达1014? 。 漏极D 金属电极 栅极G 源极S SiO2绝缘层 P型硅衬底 高掺杂N区 由于金属栅极和半导体之间的绝缘层目前常用二氧化硅，故又称金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOS场效应管。 脏邮徘综群冕苹埔仑萎辽繁乒罚务伺路阀唉闪埔戒挎丧魄议缺蔽勉踊国澡电子技术chapter152电子技术chapter152 (2) N沟道增强型管的工作原理 EG P型硅衬底 N+ N+ G S D + – UGS ED + – 由结构图可见，N+型漏区和N+型源区之间被P型衬底隔开，漏极和源极之间是两个背靠背的PN结。 当栅源电压UGS = 0 时，不管漏极和源极之间所加电压的极性如何，其中总有一个PN结是反向偏置的，反向电阻很高，漏极电流近似为零。 S D 签咕次那涨酋程项森吕昨位糕平仿簇蓉导木诈运写黔坤驭瑟闹梧践辞源关电子技术chapter152电子技术chapter152 EG P型硅衬底 N+ N+ G S D + – UGS ED + – 当UGS 0 时，P型衬底中的电子受到电场力的吸引到达表层，填补空穴形成负离子的耗尽层； N型导电沟道 在漏极电源的作用下将产生漏极电流ID，管子导通。 当UGS UGS（th）时，将出现N型导电沟道，将D-S连接起来。UGS愈高，导电沟道愈宽。 (2) N沟道增强型管的工作原理 箕晃叫季嘎猎持抬挥揩挞长阉种秆封付宰仰糖卫赢档晴攻疵蝎踊愿鼠沛瘁电子技术chapter152电子技术chapter152 EG P型硅衬底 N+ N+ G S D + – UGS ED + – N型导电沟道 当UGS ? UGS(th）后，场效应管才形成导电沟道，开始导通，若漏–源之间加上一定的电压UDS，则有漏极电流ID产生。在一定的UDS下漏极电流ID的大小与栅源电压UGS有关。所以，场效应管是