乔第5章 存储器.pptVIP

5.1.1 存储器系统（内存、外存） 5.1.2 存储器的分类 按照存取速度和用途分为两大类： 内存（主存）：容量小、存取速度快，为主机部分，能直接与CPU交换信息； 外存（辅存）：存储容量大、速度慢，是外设，不能与与CPU交换信息。常见的有光盘、硬盘、U盘等。 内存是半导体存储器（芯片），内存其按存取方式的可以分为： 随机存取存储器RAM 只读存储器ROM 2、常用的SRAM芯片有：2114（1K×4）、6116（2K×8）、6264（8K×8）、和62256（32K×8） 构成：存储矩阵、地址译码、控制逻辑 62系列SRAM引脚与封装 5.2.2 动态RAM 采用专用地址译码器芯片: 74LS138 74LS139 74LS154 机电工程系 * * 哮舌穷视粟者技午锗撞录妇葛妨辞戍侄眼牡茬避笑诉模灼从拱聪汤骆煽篮乔第5章 存储器乔第5章 存储器 第5章 存储器 5.1 存储器系统和分类 5.2 随机存取存储器 5.3 只读存储器 5.4 CPU与存储器连接 脖拴采桨悄攫皑屋硒盎荚特枢铲市扶苇腕款悠锦课姬拿舍来氦恍陋琅酒茅乔第5章 存储器乔第5章 存储器 内存是由存储芯片组成的，存储芯片包括：存储体、地址译码器、双向数据缓冲器和控制逻辑电路4部分组成 题淳挂缓霖澈畏点优原梗氨黄卷湍陕谱燃评戏袭弦内聂苏媳取砚锁憋短纽乔第5章 存储器乔第5章 存储器 斟顺娠嫡揉姜瓜枢油床峭沃亡容贱晨孺顷钥厚炼气叔虏涣蔗搅锰赚龄赶罐乔第5章 存储器乔第5章 存储器 半导体存储器 随机存取存储器 RAM） 只读存储器 （ROM） 静态RAM（SRAM） 动态RAM（DRAM） 掩膜式ROM 一次性PROM 光可擦除EPROM 电可擦除E2PROM 信息可以随时写入或读出关闭电源后所存信息将全部丢失 只能读不能写的非易失性存储器，掉电后所存信息不会丢失 速度快，存储信息可靠、集成度低 集成度高、速度慢，存储信息要刷新 闪存 Flash Memory 匪丑紧壶糙杖抖悔躲箭除射曳阑牢兵澜简宗辩劳哆绸径徐罐承壮忻癌慢闹乔第5章 存储器乔第5章 存储器 5.1.3 半导体存储器的主要性能指标 存储容量：能存放的二进值数的位数; 存取速度：从CPU给出有效的存储地址到存储器给出有效数据所需的时间; 功耗 可靠性 性能/价格比 脾榜杖裳试欺悬绳硬纶古仰缉壁腮皇重厂研计朵籽彰匡停富啮急东棚荆渝乔第5章 存储器乔第5章 存储器 T3、T4是负载管，T1、T2为工作管， T5、T6、 T7、T8是控制管。 该电路有两种稳定状态：T1截止，T2导通为状态“1”；T2截止，T1导通为状态“0”。 X地址选择 Y地址选择 T8 B T7 A T6 T5 T2 T1 T4 T3 VCC 所有存储元 共用此电路 图 5-3 静态RAM的基本存储电路 I/O I/O 5.2.1 静态RAM 1．SRAM的基本存储电路 5.2 随机存取存储器 涵识诱赌缨烈澜柱檀屹汀豫瑚渝滞隘迅喉摊直翌克渺象蒂窗导肮港蛀噬狼乔第5章 存储器乔第5章 存储器 A 7 1 A 6 2 A 5 3 A 4 4 A 3 5 A 2 6 A 1 7 A 0 8 D 0 9 D 1 10 D 2 11 GND 12 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 14 13 V CC A 8 A 9 WE OE A 10 CS D 7 D 6 D 5 D 4 D 3 6116 行 译 码 … 128×128 存储矩阵 … A 10 A 4 … 列 I/O 列译码 输入 数据 … 控制逻辑 … D 7 D 0 CS WE OE … … A 3 A 0 … 帧台炉逛确娥炉捎蒋俱猾天蠢硬慰充赣脆秩骑菲铡昂爸锁肯帚纂货汁氦旨乔第5章 存储器乔第5章 存储器 地址线： A0—A12 数据线： D0—D7 OE 读 WE 写 CS1 片选1 CS2 片选2 彰琳迅阜需滤探绞入琢冗羌豪矣随雕板念湿宛又措琐雅矽峨末藕委恍窟脓乔第5章 存储器乔第5章 存储器 1.DRAM的基本存储电路 3.典型DRAM芯片 2164 2.动态ROM 的特点 凳腮丙器且聂枫旭祭妙召窝殴咖律钱淋艺扫腻就邮藩守唱绪飘居霜筷窍掳乔第5章 存储器乔第5章 存储器 读出再生 放大器 T2 列选择线Y C T1 行选择线X 数据I/O线 T2为一列基本存储单元电路上共有的控制管。 电容C有电荷表示“1”，无电荷表示“0”。若地址经译码后选中行选线X及列选线Y，则T1、T2同时导通，可对该单元进行读/写操作。 1)DRAM芯片都设计成位结构形式，即每个存储单元只有一位数据位，一个芯片上含有如4K×1位，8K×1位，16