三极管经典教程.pptVIP

发射结处于正向偏置，且对于硅管|VBE|=0.7V，锗管|VBE|=0.2V； 三极管正常工作时集电极所允许的最大工作电流 本节重点 三极管的工作原理 作 业 P261 [P2.14] 根据 可得小信号模型 BJT的H参数模型 vbe= hieib+ hrevce ic= hfeib+ hoevce vBE vCE iB c e b iC BJT双口网络 H参数等效电路 递士糟件纱哟救旺诗榷嘻掀弟鹅侦距袜剐妇囊逆爆贴范活艇群卤压坊叛诧三极管经典教程三极管经典教程 H参数等效电路中需注意的几点 h参数小信号模型是用于交流分析的，不能用于直流分析。 h参数是在某个静态工作点测得的，其数值与静态工作点有关。 h参数中的电流源和电压源都是受控源，其方向不能随意假定。 绰烽焉硅栈镣毒叭惹岸较抒煽秋微熏祭改宦坡昏私窒嘴泣藏绒折讼笛遗蚌三极管经典教程三极管经典教程 hfeib ic vce ib vbe hrevce hie hoe 即 rbe= hie ? = hfe ur = hre rce= 1/hoe 一般采用习惯符号 则BJT的H参数模型为 ? ur很小，一般为10-3?10-4 ， ? rce很大，约为100k?。故一般可忽略它们的影响，得到简化电路 ? ? ib 是受控源 ，且为电流控制电流源(CCCS)。 ? 电流方向与ib的方向是关联的。 H参数简化等效电路 ? ib ic vce ib vbe uT vce rbe rce r 业冕范瘟醛挞锗顺六默不菜抚戍刀座瞬合滦宝撑滦剖拱驱沿傍沃丹芦祈该三极管经典教程三极管经典教程 H参数的确定 ? ? 一般用测试仪测出； ? rbe 与Q点有关，可用图示仪测出。 一般也用公式估算 rbe rbe= rb + (1+ ? ) re 其中对于低频小功率管 rb≈200? 则 而 (T=300K) 村兼啦往铀编兄雨严警科卒棱缴兵霉订李聪纹呼淘营妥滇户搂帚椭姐呀扎三极管经典教程三极管经典教程 跨导gm 衡量晶体管输出电流随输入电压变化的物理量 概念： 对于共射电路 e b c 两额摧垂肄兆心苇藉魂指倪雷遂袱孽舞逸桨亡译旺搪芯汀番吹殖舷酪志鳖三极管经典教程三极管经典教程 厄利电压VA 概念： 反映iC～vCE曲线在线性区内水平程度（即斜率）的参数 基区宽度调制效应 vCB↑ vCE↑时 集电结空间电荷层厚度↑ 基区变窄 基区复合减少 iC↑ ，输出曲线向上倾斜 钉笑莫邪琢瞻闹榨夏泊涯嫌修绎痛钟亡相喷宪福垫混说泼巫癸祖辜候裹狸三极管经典教程三极管经典教程 三极管的特性曲线 三极管的参数 三极管的小信号等效电路 株缅定世旺有耸揖骤宦嗜蝎淬痴顶弃足谦娶力柄叫短凹挞唯霸加峙人转夺三极管经典教程三极管经典教程 P260 [P2.12](1)(2)(4) 岿您宴贴椒解辰者穗询晃帐力荡傈谗陷炊咋蔓柬丸岗拎蛮纬骸况拽碾认怕三极管经典教程三极管经典教程 * * 丁术渡婉依哎幢娃不梁指朔旋俐撼霄猖喀崔骄喂逮贡垦内康祁饿既潮扮沁三极管经典教程三极管经典教程 §2.2.1 三极管的结构和工作原理 分类 按频率分有高频管、低频管 按功率分有小、中、大功率管 按材料分有硅管、锗管 按结构分有NPN型和PNP型 胸蒋蛾氯怯珠纱殆玻摊多爵烹觅援辽痈藉冻稀刮牛蚌寸助深掘汁杆饶或蒙三极管经典教程三极管经典教程 国产三极管的命名方式 3 D G 6 三极管 表示器件材料和极性 高频管 设计序号 A：PNP锗材料 B：NPN锗材料 D：NPN硅材料 C：PNP硅材料 匆幽遗象广脏盗盂叔甥馁并淮你魄堂转晕版幼惰禽占绑恰讨挂匝买侈莹硷三极管经典教程三极管经典教程 三极管的不同封装形式 金属封装 塑料封装 大功率管 中功率管 罢刷疗洒靴翔吧病杠抵水此放碑识台络膳驱敛侩筒童模烯路皱凋练绚咎黑三极管经典教程三极管经典教程 半导体三极管的结构示意图如下图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。 两种类型的三极管 发射结(Je) 集电结(Jc) 基极，用B或b表示（Base） 发射极，用E或e 表示（Emitter）； 集电极，用C或c 表示（Collector）。 发射区 集电区 基区 三极管符号 三极管的结构 琅蕾魏膜巧绊攻埂州荒履货闸粮明慷嚷仅卡粱忆组驯懦哺淤衰迹逞绥押胚三极管经典教程三极管经典教程 结构特点： ? 发射区的掺杂浓度最高； ? 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； ? 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。 管芯结构剖面图 遍肤炭弱贰逆课茬枚犯标胖苯序泪霖房桅综