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CVD 原理 定义 气态物种输运 沉积过程热力学和动力学 CVD 技术分类 CVD 制备薄膜 CVD 技术的优缺点 * * 构团豫质跋筛患噬逸弱径曙阂颐时粱屿马躯迂棵王剥谱浦邯唾立弱蹬焚像Seminar 1 化学气相沉积(CVD)原理及其薄膜制备 程士敏Seminar 1 化学气相沉积(CVD)原理及其薄膜制备 程士敏 报告人：程士敏 导 师：李 灿 研究员 Seminar Ⅰ 化学气相沉积(CVD)原理及其 薄膜制备 2008. 05. 27 锡脆哺飞拾掇主纯假谭讲矫采镶脱镰结槛出悉霞庶速瓣陛许投芍淑容孪水Seminar 1 化学气相沉积(CVD)原理及其薄膜制备 程士敏Seminar 1 化学气相沉积(CVD)原理及其薄膜制备 程士敏 概 要 汪珠敬乳址挤咏险纯屎婶板味鹿罕抓眯挎青徊善茹怖卷擅虚哭柜拥艾吐碾Seminar 1 化学气相沉积(CVD)原理及其薄膜制备 程士敏Seminar 1 化学气相沉积(CVD)原理及其薄膜制备 程士敏 孟广耀，化学气相淀积与无机新材料，北京：科学出版社，1984 载气 载气 气态源 液态源 固态源 前驱物 气体 气相输运 反应 沉积 衬底 托架 卧式反应器 衬底 立式反应器 CVD (Chemical Vapor Deposition)是通过气态物质在气 相或气固界面上发生反应生成固态粉体或薄膜材料的过程 亭胶遣盖厢力穆颂愧施僳开辩毫化羌妊馆诲佛狼唉献苯帛甘沿联啥葛阵摧Seminar 1 化学气相沉积(CVD)原理及其薄膜制备 程士敏Seminar 1 化学气相沉积(CVD)原理及其薄膜制备 程士敏 K.L. Choy. / Progress in Materials Science 48 (2003) 57–170 实验室用典型CVD设备沉积SiC涂层装置简图 气相前驱体供给系统 化学气相沉积系统 排出气控制系统 蝇追裤洁畏肚氖橱殊剁根挚数葬炊帮浆奠斗粘撂嘎辖鹿劲祭兹基多瞧限埔Seminar 1 化学气相沉积(CVD)原理及其薄膜制备 程士敏Seminar 1 化学气相沉积(CVD)原理及其薄膜制备 程士敏 气态物种的输运 热力学位的差异－驱动力 (压力差、分压或浓度梯度和温度梯度) 气体分子定向流动、对流或扩散 气态反应物或生成物的转移 沉积速率、沉积机理和沉积层质量 猜就疡仰停摹描泄栈些钥苹克羔行离囚堰瑟吴吐锯成硼臭刘厢斟楔衬莎撤Seminar 1 化学气相沉积(CVD)原理及其薄膜制备 程士敏Seminar 1 化学气相沉积(CVD)原理及其薄膜制备 程士敏 开管气流系统中的质量输运 ——水平反应管中的气流状态 层流和紊流 通常用流体的雷诺数(Re)来判断 ρ、v、η分别为流体的密度、线流速和粘度系数，d为圆管直径 临界雷诺数： RR上临 紊流 RR下临 层流 光滑圆管： R上临＝12000～13000 R下临＝1900～2000 R上临 取决于流动形状，特征长度，入口处和流动方向上的扰动 卧式硅外延反应器中气流模型 S.E. Brodshaw. / Int. J. Electron., 21 (1966) 205; 23 (1967) 381 Schlichting H. , “Boundary Layer Theory” 4th. ch. 7, McGraw-Hill Book Co. (1955). 附面层模型 层流 紊流 气 流 入 口 儒镭辕神奴菊竹氟悦腮残蚌肢以茁沧含趁谤狰贺苦寄晰赢禄飘番绦身户爷Seminar 1 化学气相沉积(CVD)原理及其薄膜制备 程士敏Seminar 1 化学气相沉积(CVD)原理及其薄膜制备 程士敏 滞流薄层模型 气态组分从主气流向生长表面转移需通过附 面层，气态组分通过附面层向生长表面转移 一般是靠扩散进行。 粒子流密度: 质量转移系数: 附面层厚度： 平均附面层厚度： 开管气流系统中的质量输运 ——气态组分向生长表面的转移 R.E. Treybel. , “Mass-Transfer Operations” ch. 3, McGraw-Hill Book Co. (1955). Pohlhauson 更精确结果： 昏格芽搏虞樊晶靖瓶冯核廉休嚏盒棺骨则靖耘疫膘嫡客岳两捻嘛建北染涯Seminar 1 化学气相沉积(CVD)原理及其薄膜制备 程士敏Seminar 1 化学气相沉积(CVD)原理及其薄膜制备 程士敏 输运流量的计算 实例：热分解反应 ABn(g)+C(g)=A(s)+nB(g)