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Updated: 11/20/96 fn: SSIntro.ppt 方法论 Process Map 目的 规定Process的范围，对实际Process中非能率、 非效果的测面理解并分析。 适用可能的工具 Brainstorming / Process 流程图 主要考虑事项 跟Project执行计划书中定义的一样Process 范围定义，即 需改善的Process开始和末。 对Process顾客的主要关心事影响的要因 参与对象 定义Process的人/执行的人/改善的人 结果物 非附加价值业务，相关工程及以CTQ规名的详细Process Map 个人对Process Map的认识不同，所以先知道 Team员对 Process怎么想是很重要的。 个人所想的 Process Map通过现场确认修整为 实际的Process Map Process Map作成步骤 阶段 1. 需要改善的Process范围定义 ?作成相关最佳Process全体的流成图 阶段 2. 确认Proces所有的作业 ? 各阶段别 Cycle Time, 品质水准名记 阶段 5. 各阶段别列举Output 阶段 6. 各阶段别列举Input 阶段 7. 分类所有Input ? CNX 阶段 8. 记入对Output及 Input的规格 C-E Diagram(特性要因图) 特性要因图 作成方法 1. 明确规定输出变量 Y 或(Process 阶段别)症状。 2. 在右侧标记输出变量或症状，画中心轴。 3. 规定发生可能的要因。 4. 重要要因在每个四角形里面被标记，并与中心轴连接。 Proprietary to Samsung Electronics Company Measure-Process Map 特性要因图 - * Rev 2.0 Process Map 特性要因图 fn: SSIntro.ppt Measure Define Analyze Improve Control Measure 概要 Project Y 基础统计 测定System分析 Six Sigma 测度 工程能力分析 Process Map 特性要因图 FDM Process Map C-E Diagram 学习目标 理解详细Process Map 作成及潜在Xs导出方法 确认Process和隐患工厂 单位工程别Input(潜在 Xs), Output导出 对Input的C,N, X 区分 理解C-E Diagram作成及潜在Xs导出方法 对Y有影响的潜在 Xs导出 展开5 why Process Map SC1 Cleaning Wafer Loading DHF Cleaning Dry Particle 测定 NG OK Reject 数率检查 OK NG VA VA NVA VA Input Output 指甲Defect 确认 Wafer Loading ??(X) Line 条件(N) 温度(X) 溶液浓度(X) Process time(X) HF 浓度(X) DIW Overflow流量(X) IPA Spray Time(X) IPA Spray?(X) IPA Spray Start??(X) Arm Speed(X) Exhaust?(X) 开始 Etch rate Uniformity Etch rate Uniformity 干燥能力 斑点Defect Particle 指甲Defect 终了 Pad poly Depo/Tpoly 测定 NVA NVA ?? Time(X) 待机 不良履历 表示DATA Base DATA Base 表示文件化 文件 表示重要的 Input和 Output 不具体记述化 Input 和 Output 表示Process的方向/ 流程 箭头 表示意识决定Point和 Process的进行方向。 也表示议事决定内容的收容，拒接，承认与否。 决定意识 表示在Process 上 实行的 Activity 活动 显示Process 的界限 起点与末点 内容 意思 记号 Process Map主要事项记号 主要用语 Input 以X变量( X1, X2, X3, ... )表现的影响Y的项目 在各阶段影响Y的达成能力的输入要素 CNX/SOP Output 重要Process输出变量 (也可能是下阶段的 X.) 以Y变量( Y1, Y2, Y3,