电容效应压力微传感器.docxVIP

课程编号5926020成绩课程名称微机电系统设计与制造开课学院机电工程学院任课教师刘莹教授适用班级精密仪器及机械、仪器仪表工程等研究生姓名刘星研究生学号415926615052所属学院机电工程学院年级专业仪器仪表工程考核形式设计型作业考核时间2015.12.22注：标题四号黑体，正文小四号宋体，数字和字母Times New Roman，行间距1.25，图名五号黑体。电容效应压力微传感器微传感器是MEMS中最早出现的产品，也是发展最快的技术之一。微传感器就其测量原理、消息与能量传输方式上，与宏观的传感器并无多大的差异，仅是在几何尺寸上微型化。正是由于尺寸变小而使得微传感器在设计与制造上与宏观的微传感器有所不同，微传感器是应用微加工技术制造而成。电容效应压力微传感器是把被测的机械量，如压力，转换为电容量变化的传感器。本文介绍了一种经特殊工艺处理的电容效应压力微传感器，分析了其原理、材料、加工工艺、优点及其应用。原理沉积在膜片上的金属层形成电容的活动电极，另一电极沉积在衬底上，二者构成平行板式电容。平行板电容器的电容：C=εS/d，电容效应压力微传感器原理图如图1所示。图1 电容效应压力微传感器原理图其中ε为介质的介电常数，极板的总面积，d为两极板之间的距离，则在外力作用下，电容器的两极板之间发生△d相对位移，可近视认为其电容的变化△C 为：△C = εS/(d - △d)- εS/d即：△C / C = d/(d-△d)-1=（△d /d）/（1 -△d/ d）（△d/ d） 1利用泰勒级数展开进行处理，由麦克劳林公式可得：△C / C =（△d/d）[1 +（△d/d） +（△d/d）2+ … +（△d/d）n + …］ 若△d 1/5d，约出高阶无穷小项，得：△C / C =△d/d△C = （C /d）/△d（即△C ∝△d实现了线性化）显然，通过测量电路测出电容的变化量，可以得到作用在弹性体上的作用力。灵敏度 K=（△C / C）/△d= 1/d，即初始极距的倒数。结构与材料电容式测压传感器的结构示意图如图 2所示。图2 电容式测压传感器的结构示意图在这种结构中有两个电容参与测量,一个作为参考电容,由环形硅膜片1与衬底5构成 (在环行薄层和衬底上焊有金属电极) ,其电容值在测量过程中不发生变化；另一个作为测量电容 ,由圆形硅膜片2(圆形薄层上焊有金属电极)与衬底5构成,其电容值随压力的作用而发生变化。绝缘层4的作用是防止因被测量作用或环境变化而引起的电介质3的介电常数的变化。由于圆形膜片的面积与环行膜片的面积相等 ,因此在未受压力作用时,它们的电容值相等 ,一旦受压力作用 ,测量电容的两个极板间的距离减小,电容值发生变化。由于测量电容与参考电容间微小间隙的存在 ,尽管两者处于同一压力场中 ,但参考电容并没有发生形变 ,因此它的电容值不变。这种结构方式大大简化了结构,减免了将参考电容屏蔽的必要。再者,在环境温度变化时,由于两电容感受同一温度的变化,因此温度对它们所产生的温度效应是一致的,从而减小了因温度而引起的测量误差。测量电路原理框图如图3所示。图3 测量电路原理框图采用C-f转换电路主要是因为测量频率的变化比测量电容的变化容易操作，C-f转换电路采用占空比可调的方波发生器， 通过调节使方波占空比为0.5的标准方波， 电路如图4所示。图4 C-f转换电路此电路转换关系为：T=（Rw+2R3）CLn（1+2R1/R2）=KC加工工艺电容式压力微传感器采用的是硅-硅键合制作工艺。硅-硅键合温度传感器的制作需要两硅片进行键合。电容式压力微传感器的加工制作流程如图5所示。图5 电容式压力微传感器的加工制作流程其中一个硅片A[如图2(a)]用于制作具有密封腔体的传感器衬底，利用离子反应刻蚀形成一个具有一定深度的腔体，再经过氧化在腔体表面形成一层热氧化膜作为绝缘层，另一个硅片B是利用P+刻蚀技术形成硅膜片，如图2(e)，膜片的厚度取决于P+层的厚度，这个厚度可以通过温度和时间精确的控制。由于经过浓硼扩散后，P+膜片表面的粗糙度大，影响键合成功率，所以对P+膜的表面进行CMP(chemical mechanical polishing)。两硅片在真空条件下预键合后，再进行高温键合，键合完成后用KOH深腐蚀将硅片B腐蚀到P+膜，再通过ICP干刻蚀刻出硅片A上的电极．最后进行金属溅射，在衬底和膜上做出金属电极。硅片A上的密封腔位于硅膜片B的下方，当膜片受到压力作用时发生变化。硅-硅键合压力传感器主要制作步骤如图5，主要制作过程如下：①取其中一个硅片A，清洗后经过湿氧氧化2h，形成8000?氧化膜；图5(b)；②在氧化膜上涂光刻胶烘干后，进行离子反应刻蚀形成2．2μm深的腔体；图5(c)；③清洗硅片A，经过干氧氧化2 h，在腔体表面形成15