第十六章_杂质掺杂课件.pptVIP

杂质掺杂 基本扩散工艺 扩散方程式 扩散分布 恒定表面浓度扩散 恒定杂质总量扩散 扩散层的计算 非本征扩散 与浓度有关的扩散 扩散分布－硅中的扩散 在砷化镓中的锌扩散 扩散相关工艺－横向扩散 氧化过程中杂质的再分布 注入离子的分布 离子分布 离子阻止 离子注入的沟道效应 离子进入的角度及通道 注入损伤与退火 退火 硼与磷的传统退火 快速热退火 注入相关工艺－多次注入及掩蔽 倾斜角度离子注入 高能量与大电流注入 使用多次离子注入的合成掺杂分布 为了要在半导体衬底中预先选择的区域里形成p-n结，注入时需要一层合适的掩蔽层。此层要阻止一定比例的入射离子其最小厚度可从离子的射程参数来求得。在某一深度d之后的注入量对回忆式积分可得： 回忆式 在热氧化过程中，靠近硅表面的掺杂剂分布将会改变，这种再分布取决于几个因素。 一是两个固体接触在一起时，其中之一内的杂质会在此二者内重新分布达到平衡，此情形类似与融体生长晶体中的杂质再分布。在硅内的杂质平衡浓度对二氧化硅内杂质平衡浓度之比为分凝系数，定义为： 二是杂质可能会快速地扩散穿过二氧化硅，逸入周围空气中，如果在二氧化硅中杂质扩散速度很快，这个因素将会很重要。 三是二氧化硅不断增厚，故硅与二氧化硅间的边界将会随时间而深入硅中，此边界深入与杂质穿过氧化层扩散间的相对速率在决定再分布范围时很重要。 四种可能的再分布工艺列于下图。 分为二类 1.氧化层吸