PECVD法制备多晶硅薄膜.pptVIP

反应气体压强 图10为射频功率 300 W、 总气体流量 300 sccm、硅烷浓度1 %、衬底温度 200 ℃条件下 ,沉积速率和晶化率随沉积气压的变化曲线 ,由图可见 ,开始时沉积速率随着沉积气压增加而增大 ,当沉积气压为6.67× 102Pa 时 ,沉积速率达到最大 ,此后随着气压增大而略有下降。 沉积速率的变化趋势是硅烷分压与电子温度两种因素相竞争的结果 ,硅烷分压的上升使成膜基团的产生率升高 ,而电子温度的下降则使成膜基团的产生率降低。因此，沉积气压存在最优值，而且其值与具体的沉积系统密切相关。 返回 图10 沉积速率及晶化率与沉积气压的关系 射频功率 射频功率主要从以下三个方面影响Pc一Si:H薄膜的特性: 其一，功率的增加，就有更多的高能电子撞击H2生成高能的H，这些大量的高能H 可以对样品表面进行充分覆盖和对不规则Si一Si进行充分的规则重组，而且此时生成的SiH3的能量也比较高，有利于它的表面扩散，这都会促进样品的晶化。 其二，功率的增大使得硅烷分解增强，增加了等离子体中反应前驱物的数量，因此沉积速率增大，但硅烷充分分解后，增加功率对提高沉积速率的作用减弱，离子轰击与氢的刻蚀作用都得到增强，这样反而会使得Pc一Si:H薄膜沉积速率降低，对薄膜表面造成损伤，使得薄膜中缺陷的密度增大。 其三，功率的增加还会导致等离子体中的聚合反应加剧，通常会在电极和反应室的器壁上形成浅黄色的疏松物质(SiH2)n聚合物，这些聚合物的存在使得薄膜生长表面的清洁状况变坏。 以上说明射频功率对薄膜的晶化的影响存在最优值。 返回 总结及展望 在未来数十年，全球太阳能光伏产业将以高达25%～30%的增长率发展。我国“两头在外” 的格局急需解决。 高效低成本的多晶硅薄膜太阳电池是未来太阳电池工业的发展方向 。 PECVD技术成熟，设备控制简单。是有望实现商业化生产的技术之一。 PECVD法制备多晶硅薄膜中依据实验结果和相关微观理论分析，氢稀释浓度(硅烷浓度)、衬底温度、射频功率、反应气体压强皆存在最优参数值。 选取适当的参数值，可以用PECVD法制备符合应用要求的多晶硅薄膜。可直接在廉价衬底上低温生产多晶硅薄膜太阳能电池。个人以为：纳米多晶硅薄膜有着极其诱人的发展前景，PECVD制备纳米多晶硅薄膜有非常重要的实际意义。或者可以结合其他再结晶技术（例如快速热退火等）以提高晶粒尺寸和多晶硅薄膜的性能，不过这样就增加了生产设备和工艺的复杂性，还有待于实际市场经济条件下，生产成本和产品性能等因素的综合考虑。 致谢 致谢 本论文是在张老师的悉心指导下完成的，在此向张老师和康老师表示我最诚挚的谢意！ 同时感谢答辩组的各位老师。 谢谢！ 学习动物精神 11、机智应变的猴子：工作的流程有时往往是一成不变的，新人的优势在于不了解既有的做法，而能创造出新的创意与点子。一味 地接受工作的交付， 只能学到工作方法 的皮毛，能思考应 变的人，才会学到 方法的精髓。 学习动物精神 12、善解人意的海豚：常常问自己：我是主管该怎么办才能有助于更好的处理事情的方法。在工作上善解人意， 会减轻主管、共 事者的负担，也 让你更具人缘。 毕业论文题目 PECVD法制备多晶硅薄膜研究 ◆学生姓名： ◆专业班级： ◆指导教师： 总纲 1太阳能光伏行业 2太阳能电池 3论文主要任务 4论文重点内容 5总结及展望 论文重点内容 1 多晶硅薄膜的结构和特性 2 多晶硅薄膜的制备方法 3 PECVD设备和基本原理 4 PECVD沉积动力学分析 5 PECVD制备多晶硅薄膜影响因素 论文主要任务 了解太阳能光伏行业的现状和发展趋势，搜集太阳能电池的相关信息。 掌握多晶硅薄膜的微观结构、性能要求，为后面分析奠定基础。 总结归纳多晶硅薄膜的主要制备方法。PECVD可以低温、直接制备多晶硅薄膜，具有美好的发展前景。 掌握PECVD设备和基本原理，了解PECVD制备多晶硅薄膜中，沉积的动力学过程。 研究探讨PECVD制备多晶硅薄膜中的主要影响因素：反应气源、衬底材料、氢稀释浓度(硅烷浓度)、衬底温度、射频功率、反应气体压强 等。 通过Raman光谱、SEM、数据曲线图等同步结合沉积理论，给出各影响因素的理论解释，对工业化生产具有指导意义。 太阳能光伏行业发展趋势 太阳是万物之源，它不但清洁，而且取之不尽用之不竭，对环境无任何污染。 21世纪以来，全球太阳能电池产业平均年增长率达30%以上，近五年来，全球太阳能光伏发电产业的年增长率高达50%。