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成核理论 相变驱动力Δg：单个原子或分子由流体相转变为晶体相时所引起的系统吉布斯自由能的降低量，或者说使单个原子从流体相变为晶体相的力。 2、⊿g与晶体生长的关系 (1)⊿g 0时： f 0，界面→流体移动，晶体生长； (2)⊿g 0时： f 0，界面→晶体移动，晶体熔化、升华； (3)⊿g = 0时： f = 0，界面不移动，晶体不熔也不长，平衡态 饱和比：α= P1/P0 过饱和度：δ= α-1 3、三种生长相图的相变驱动力： 弯曲界面相平衡条件： 晶-气： 晶-液： 晶-熔： 界面压力：两相间如果有弯曲界面存在，表面张力就会导致附加力的出现，结果弯曲界面处两相的压力就会彼此不等，其差值称为界面压力。 r0 (P0)升华的驱动力： (Pe)生长的驱动力： ro (Pe)生长的驱动力：P0)升华的驱动力： 7、均匀成核：在亚稳相系统中空间各点出现稳定相的几率相等的成核过程。 晶核的形成能：(胚团单个原子或分子的体积，单位面积的表面能) 临界半径： 临界分子数： 8、成核率：单位时间、单位体积内能够发展成为晶体的晶核数。 9、非均匀成核：在存在成核催化剂的亚稳系统中，空间各点成核的几率不等，在催化剂上将优先成核。催化剂：能有效降低成核的表面能位垒、促进成核的物质 10、接触角的润湿情况：θ=0°完全浸湿、θ≤90°浸湿、θ≥90°不浸湿θ=180°完全不浸湿 界面平衡 奇异面：表面能级图中能量曲面上出现极小值的点所对应的晶面称为奇异面。奇异面是表面能较低的晶面，是低指数面，也是密积面。 邻位面：取向在奇异面附近的晶面，由一定组态的台阶构成。 非奇异面：其他取向的晶面。 4、划分界面类型的标准： (界面是突变的还是渐变的：相变发生在一或两个原子层 (界面是存在吸附层还是不存在吸附层：在理想的纯熔体情况下 (界面是光滑的还是粗糙的：奇异面：光滑面；非奇异面：粗糙面 ④界面是完整的还是非完整的： 5、晶体生长界面结构的基本类型：完整光滑突变界面：界面上无缺陷，微观上使光滑的，对应于奇异面在固液体系中从固体到流体的相变仅发生在一个或两个原子面。非完整光滑突变界面：界面上有缺陷，微观上使光滑的，对应于奇异面在固液体系中从固体到流体的相变仅发生在一个或两个原子面粗糙突变界面：微观上看界面是凹凸不平的，对应于非奇异面在固液体系中从固体到流体的相变仅发生在一个或两个原子面扩散界面 光滑界面：微观上是光滑的，界面上有台阶，台阶上有扭折生长特征：不连续地生长，呈层状生长，相当于奇异面粗糙面：微观上界面凹凸不平，到处是台阶和扭折，能连续生长，相当于非奇异面。 邻位面的台阶公式：tanθ=-hk(h表示台阶高度，k为台阶密度，k=1/λ,λ为台阶间距) 相变熵a：反应界面的光滑与粗糙的程度，a越大，界面越光滑。a2，界面光滑；a2，界面粗糙。 界面相变熵=界面取向因子*物质相变熵 晶体生长动力学 界面动力学规律：生长速率R与驱动力Δg之间的关系R(Δg)。 通常将进入扭折位置的分子看成晶体相分子，进入扭折位置所释放的能量为相变潜热 单个分子的相变潜热与Ws、Wk之间满足 4、台阶的运动速率主要取决于吸附分子沿晶面的二维扩散运动。扩散方程： 环境蒸汽相 界面吸附分子 6、光滑界面的生长机制：二维成核生长机制(完整光滑突变界面的生长): 形成二维胚团时产生棱边能（热力学位垒），胚团达到临界尺寸，生长才能进行下去。 位错生长机制(非完整光滑突变界面的生长) 二维晶核的临界半径：(单位长度棱边能，单个原子或分子所占面积) 二维晶核的形成能： 粗糙界面的生长：邻位面的生长、完整光滑界面的生长、非完整光滑界面的生长 单晶制备 2、单晶材料的制备也称为晶体的生长，是将物质的非晶态、多晶态或能够形成该物质的反应物通过一定的物理或化学的手段转变为单晶的过程。 3、单晶的制备方法： (气相生长法：这种方法包含有大量变量使生长过程难以控制，所以用气相生长法来生长大块晶体仅适用于那些难以从液相或熔体生长的材料。（升华法、蒸汽运输法、气相反应法） 原理：对于某个假设的晶体模型，气相原子或分子运动到晶体表面，在一定的条件下被晶体吸收，形成稳定的二维晶核。在晶面上产生台阶，在俘获表面上进行扩散的吸附原子，台阶运动、蔓延横贯整个表面，晶体便生长一层原子高度，如此循环往复即能长出块状或薄膜状晶体。 (水溶液生长法：是将原料溶解在溶剂中，采用适当措施造成溶液的过饱和状态，使晶体在其中生长。⑴降温法⑵流动法(温差法)：优点：生长温度和过饱和度都固定、能够培养大晶体。缺点：设备比较复杂⑶蒸发法：将溶剂不断蒸发减少，从而使溶液保持在过饱和状态，晶体便不断生长。⑷凝胶法：以凝胶作为扩散和支持介质，使一些在溶液中进行的化学反应通过凝胶扩散缓慢进行，从而使溶