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硅材料中英文对照表 Small Pot Scrap with Quartz 带石英渣的小块埚底料(瓜子料) Contaminated Pot Scrap 被沾污了的埚底料 Cast Ingot Side-Walls (Tops,Sides, Bottoms) 废弃晶锭边皮料(指浇铸硅的顶、边、底部料) Sigle-Crystal -silicon 单晶硅 Remelt Ingots 回熔晶锭 Remelt Goods 回熔料 Poly Virgin Vac Pack 多晶原料真空包装 Poly Virgin Goods 多晶原始料 Poly Virgin Surface Contaminated 多晶原料表面沾污 Poly Virgin Flakes 多晶料片 Remelt Siabs Remelt Small Pcs 回熔小片 Remelt Plugs 回熔小锭 Plugs 小锭 Chips 切片 Semicon Grade silicon 半导体级硅 Granular Poly 粒状多晶 Multicrystalline (or Polysilicon) 多晶硅 Recliam Wafers 回收硅片 Broken Cells 碎电池片 N-type N型 P-type P型 Resistivity (ohm-cm ) 电阻率 (欧姆-厘米) Orintation 晶向 Beam 横樑料 Polysilicon with Carbon (or Graphite) 碳头料 Solar Grade Silicon 太阳能级硅 Minor Carrier life-time 少数载流子寿命 Acceptor Impurity 受主杂质。又称P型杂质(如硅中的硼、铝、镓、铟等杂质)，这是指为半导体材料提供空穴的一类杂质。 Donor Impurity 施主杂质。又称N型杂质（如硅中的磷、砷、锑等杂质），这是指为半导体材料提供电子的一类杂质。 Dislocation-free Single Crystal 无位错单晶。通常是将位错密度小于500个/㎝2的单晶称为无位错单晶，这种单晶并非是真正意义上的无位错，只是因为这种低位错的单晶中位错较少而分散，对材料性能的影响不大。 Twin Crystal 孪晶。这是指由两部分取向不同但有一个共同晶面组成的一块晶体称为孪晶，又叫双晶。该共用晶面叫孪晶面，这两部分晶体的取向以孪生面为镜面对称。组成孪晶的两个单晶体的取向间的夹角是某个确定的角度，而不能是任意的。 Slip Plane 滑移面。这是指晶体在受力时，其内部往往会在某些面上沿着某个确定的方向产生平动滑移，即相当于晶体的一部分相当于另一部分作剪切位移，我们把这种运动称为滑移，产生滑移的面称为滑移面，滑移实际上是一种非均匀的畸变过程，通常是在原子密度较大，或面间距较大的晶面容易产生滑移，而且容易沿着原子分布较密的方向滑移。 Cleavage Plane 解理面。在晶体中易于劈裂的晶面较解理面，最易滑移的面也是易于劈裂的面，所以滑移面本身就是解理面。 Crystalline Defect 晶体缺陷。在半导体单晶体中原子的位置和原子的种类都是有序排列的。但是由于某种原因当原子的位置或原子的种类均偏离了理想晶格中原子有规则的排列，就会出现严重影响晶体的机械、电学及其它晶体特性的缺陷，我们称之为晶体缺陷。晶体缺陷产生的机理非常复杂，它在单晶生长、加工、热处理等工艺中都会产生晶体缺陷。晶体缺陷的存在，会极大地影响晶体的物理性质和电学性能，直接影响着半导体器件的质量和寿命，因此晶体缺陷是人们研究最多的领域。根据缺陷的形状不同,可分为： 点缺陷（包括杂质原子、点阵空位和间隙原子等） 线缺陷（如位错等） 面缺陷（如层错和晶粒间界等） 微缺陷（如空位团、微杂质沉淀、应力图型等） Oxygen Content 氧含量。氧是直拉硅单晶内的主要有害杂质之一，大量的氧一般是在单晶生长时由石英坩埚引入的，在硅的熔点（1410℃）附近，硅中氧的最大熔解度可高达2×1018/㎝3，一般用于IC工业的直拉单晶硅的氧含量应小于5×1016/㎝3，而用于太阳能工业的直拉单晶硅的氧含量应小于1×1018/㎝3。 Carbon Content 碳含量,。碳也是直拉单晶硅的主要有害杂质之一，大量的碳主要是由于石墨加热器的沾污引起的，在单晶拉制过程中，在硅的熔点（1410℃）附近碳在硅中的最大溶解度为