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第一章 半导体基础与半导体器件 半导体的结构（1） 半导体的结构（2） 本征半导体 杂质半导体（1） 杂质半导体（2） 杂质半导体（3） PN结的性质—— PN结的形成 PN结的性质—PN结的单向导电性（1） PN结的性质-- PN结的单向导电性（2） PN结的性质——PN结的单向导电性（3） 半导体二极管(Diode)结构（1） 半导体二极管结构（3） 二极管的伏安特性（1） 二极管的伏安特性（2） 二极管的伏安特性（3） 二极管的模型 二极管电路分析举例（1） 二极管电路分析举例（2） 二极管电路分析举例（3） 二极管电路分析举例（4） 二极管的主要参数 稳压二极管（Zener Diode)---伏安特性 稳压二极管---稳压二极管主要参数 稳压二极管---稳压电路分析(1) 半导体三极管(Transistor)的结构(1) 三极管的电流分配与放大（3） 半导体三极管的伏安特性（1） 半导体三极管的伏安特性（2） 半导体三极管的主要参数 场效应管的结构与分类（1） 场效应管的结构与分类（3） 场效应管的结构与分类（4） 绝缘栅型场效应管的工作原理（1） 绝缘栅型场效应管的工作原理（2） 场效应管的伏安特性（1） 场效应管的伏安特性（2） 场效应管的伏安特性（3） 场效应管的主要参数（4） 一、半导体三极管的结构特点 三、半导体三极管的伏安特性 输入伏安特性 输出伏安特性 二、三极管的电流放大原理 四、三极管的主要参数 §1.3 半导体三极管 N型硅 P N NPN型三极管的结构与符号 c 集电极Collector 发射极Emitter e b 基极Base 集电区 基区 发射区 发射结E结 集电结C结 简化 c B e C结 E结 N P N e c b 半导体三极管又称双极型晶体管,它的基本组成部分是两个靠得很近且背对背排列的PN结。根据排列方式不同，可分为NPN和PNP两种类型。 结构特点 发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度 基区宽度很小(μm 数量级) 集电结面积大于发射结 c b e C结 E结 P N P e c b PNP型三极管的结构与符号 半导体三极管(Transistor)的结构(2) {end} 用载流子在晶体管内部的运动规律来解释上述结论。 电流分配和放大原理 外部条件：发射结加正向电压；集电结加反向电压。 UBE0,UBC0,UBC=UBE-UCE,UBEUCE RB EC + + _ _ EB E B C N N P 电流分配和放大原理 发射结正偏 扩散强 E区多子（自由电子）到B区 B区多子（空穴）到E区 穿过发射结的电流主要是电子流 形成发射极电流IE IE是由扩散运动形成的 1 发射区向基区扩散电子，形成发射极电流IE。 RB EC + + _ _ EB E B C N N P 电流分配和放大原理 2 电子在基区中的扩散与复合，形成基极电流IB E区电子到基区B后，有两种运动 扩散IEC 复合IEB 同时基区中的电子被EB拉走形成 IB IEB=IB时达到动态平衡 形成稳定的基极电流IB IB是由复合运动形成的 RB EC + + _ _ EB E B C 电流分配和放大原理 3 集电极收集电子，形成集电极电流IC 集电结反偏 阻碍C区中的多子（自由电子）扩散，同时收集E区扩散过来的电子 有助于少子的漂移运动，有反向饱和电流ICBO 形成集电极电流IC RB EC + + _ _ EB E B C Rb UBB N P N INB IPE INE Rc UCC INC ICBO IE IC IB 由图可得各电流之间的关系： IE = IC + IB 又因为： IC = INC + ICBO IE = INE+ IPE = INB+ INC+ IPE IB= INB + IPE- ICBO 定义共发射极直流电流放大系数 所以有： 称 ---- 穿透电流， 它在实际器件中往往很小，则： 表明了电流放大性能 三极管的电流分配与放大（2） T RC UCC Rb UBB iB=IB+ΔIB iC=IC+ΔIC 动态电流放大 + - ΔUi ΔUi ΔIB ΔIC 动态电压 定义：共发射极交流电流放大系数 因为： 即： 结论：1、三极管在E结正偏、C结反偏时具有电流放大作用。 2、三极管是一个电流控制元件，IC由IB控制。 {end} T RC UCC Rb UBB IB IC UBE UCE 三极管的伏安特性可分为： 输入伏安特性： 输出伏安特性： 由测量结果，可得输入伏安特性曲线： IB(uA) UBE(V) 0 40 20 60 80 0.2 0.4 0.6 0.8 UCE