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第四章 外延片的制备 4.1硅外延工艺概述 定义:外延(epitaxy)是在一定条件下，在一片表面经过细致加工的单晶衬底上，沿其原来的结晶轴方向，生长一层导电类型、电阻率、厚度和晶格结构完整性都符合要求的新单晶层的过程。 新生单晶层按衬底晶相延伸生长，并称此为外延层。长了外延层的衬底称为外延片。 外扩散和自掺杂可被认为是增加了过渡层 （从重掺杂的衬底到均匀掺杂层）的厚度。在接近衬底处，衬底的固态扩散是优势效应，形成一个较宽的过度剖面图中的A区。相对于扩散运动来说，快的薄膜生长速率限制了这种效应。 然而，过渡区受到气相中的掺杂剂的进入 作用的控制图中的B区。 由于高浓度的埋层很快就被轻掺杂的材料 所覆盖，自掺杂效应中止。自掺杂在衬底与 外延层交界面处的浓度最大，随着离开界面 距离的增加，浓度逐渐降低。 由于气相自掺杂，杂质分布梯度比仅仅考 虑固态扩散时平坦得多，过渡区的宽度也大 得多，有时甚至起主导作用。 这种自掺杂对元件密度高（埋层数目多） 的双极型大规模集成电路的薄外延层生长危 害很大。 4.6.3 减少自掺杂的方法 1.为避免硼的自掺杂，外延淀积过程应在尽可能最低的淀积温度下进行，这等价于高质量的膜和合理的淀积速率（SiH2Cl2可以在比SiCl4低的温度下淀积）。这只对减少硼的自掺杂有效，因为事实上在较低温度时砷的自掺杂增加了。 2.应使用有较低蒸气压和低扩散率的衬底和埋层掺杂剂。 3.用轻掺杂的硅封住衬底和支架背面 4.在降低压强下操作外延系统以减少横向自掺杂。由于气体分子的扩散率在气压减少时增加了，使得掺杂原子能迅速到达主气流并被带出反应室，从而减少横向自掺杂。只对磷和砷有用，对硼无效。 5.使用离子注入的埋层以减小衬底表面浓度。 6.在HCl刻蚀之后采用一个低温吹气的工艺，保证刻蚀时所涉及的掺杂剂被带出系统。 注意 外延层的晶体质量不应该超过衬底的质量。 因而在硅片预处理时必须非常小心。外延前硅 片的清洁要求从硅片的正面和背面去除颗粒、 有机的和无机的沾污。一般地这样的清洁过程 是不够的，还要求有一个额外的温度超过1100 度的即时的无水HCl的刻蚀来从表面去除剩余 的沾污。 必须小心以避免硅衬底的有效厚度的丧失， 因为在高温时刻蚀的速率很快。如果求较低的 温度（1050），已发现SF6是即时刻蚀中HCl 的合适替代品。 4.7对VLSI外延淀积的工艺考虑 温度低、用于SOS、有气相淀积问题、无图形变形、增加清洗次数、产量低 0.2-0.3 950-1000 SiH4 温度低、外延质量好、膜薄、产量大、减少自掺杂和外扩散、缺陷密度低 0.4-3.0 1000-1100 SiH2Cl2 易于还原、淀积温度高、膜厚，很少用 0.4-2.0 1100-1200 SiHCl3 温度高、选择性好、膜厚、导致严重自掺杂和外扩散 0.4-1.5 1150-1250 SiCl4 特点 生长速率（微米/分） 淀积温度（℃） 硅的来源 * 同质外延：生长的外延层与衬底材料相同 异质外延：外延层在结构、性质上与衬底材料不 同 外延分类:气相外延(VPE)－－常用 液相外延(LPE)－－ⅢⅤ 固相外延(SPE)－－熔融在结晶 分子束外延(MBE)－－超薄 4.2外延生长动力学原理 外延时，通入含有一定硅源的氢气流，并流经被高频感应加热的硅片表面，当条件适当时便会在其上外延成膜. 硅外延反应器 4.2.1 一般过程 H2还原SiCl4法的化学反应式为： 在生长表面得到游离态的Si原子，析出的Si原子在高温下携带大量的热能，便沿着表面滑动（扩散） 到适当位置，按照一定的晶向加接到晶格点阵上，并释放能量，固定成为晶格点阵的新成员。 外延生长包括下列连续步骤： 1.反应剂质量从气相转移到生长层表面 2.反应剂分子被吸附在生长层表面 3.在生长层表面进行化学反应，得到Si原子和其他副产物 4.副产物分子脱离生长层表面的吸附 5.解吸的副产物从生长表面转移到气相，随主流气体逸出反应室 6. Si原子加接到晶格点阵上 其中1和5为物理扩散过程，2和4为吸附和解吸过程，3为表面化学反应过程 在开管外延中，系统维持在较高的常压（0.1MPa）状态，俗称常压外延。吸附和解吸的速度相当快，因此，混合气氛中各组分在样品表面的吸附状况可看作一定。这时，外延层的生长速率将主要取决于质量传输和表面化学反应。 在低于一个大气压系统中进行的外延生长，称为