半导体微盘激光器中的光反馈和耦合问题.docVIP

半导体微盘激光器中的光反馈和耦合问题 Jens U. N¨ckel?o Nanovation Technologies, 1801 Maple Avenue, Evanston, IL 60201 摘要 发光微腔越小，理解它在光学模式腔边界的影响就越重要，激光物理学的常规方法中， 如近轴近似，不再适用于许多更奇特的腔设计将在这里讨论。在微盘的空腔，柱子和环形状可以产生低阈值激射在各种各样的增益介质：量子阱，电线连点，以及量子级联超晶格和GaN。实验和理论状态提供了一个概述，并特别强调在光提取上的问题。 从微腔发光是根本性的伟大问题和应用的兴趣。可用于可能的范围广泛的活性介质以形成微腔，和因为微观偶极子的属性而产生的光可以显著变化。我们的目标之一是 常用的识别，微腔发射器的材料独立功能被几何尺寸和腔的形状来确定。我们感兴趣的特性是光学模式的光谱和其内部光强分布和发射器的外部场分布。这些特点又决定应得的技术数据。例如发光二极管（LED）的情况下的外部量子效率，或泵阈值和最大输出功率的激光器情况。在LED的设计中的一个问题是它恶劣的外部量子的效率，由于这一事实，使他在二极管中产生的光不容易提取。这是因为在界面处的全内反射在半导体和周围的低折射率介质（NOUT）之间并且仅当发病率χ满足于它对于表面法线的角度才允许光线逃离。 sin χ nout /nin ≡ 1/n. 发光二极管更好的输出耦合的第一个步骤是为了减少垂直尺寸（记为Z轴），直到获得一个平面腔[1]。形成的法布里 - 珀罗模式在z方向上引出再分配光谱的重入国ρ为密度（K）的峰[2，3]。因此，在微观偶极的自发发射射入其余腔模根据Fermi黄金规则[4，5，6]被增强。这可导致定向LED发射[7]，因为在谐振腔模式是空间各向异性。在微腔激光器，例如VCSEL，在期望方向发射，必须对额外目标平衡以获得激光振荡在低阈值功率。这两个要求是不兼容的，如果我们考虑到传统的阈值条件得失必须平衡：降低线性腔体尺寸也减少了可用的增益介质，这最终导致爆炸将提高泵的阈值，如果反射镜的反射率保持固定的[8]。在另一方面，增加的镜面反射率是指可用的输出功率是小的。 因此，无论对于LED和激光应用尽可能在“镜面设计”微腔具有很大的自由度是可以期望的，创造众所周知的稳定的，不稳定的或共焦配置的模拟宏观激光物理的[9]。显然，垂直层结构不能给自身电磁工程的这样一个水平。但是，半导体微腔的侧面的形状可以任意选择。 为了计算腔模结构，我们知道激光振荡条件意味着波动方程输出的一个解决方案，但没有在远场波的传入。这种辐射边界条件满足只在一组离散的实数（K，γ），其中k是波数和γ的指数增益常数[10]的活性介质。这个特征值问题可以等价地表述为寻找复杂波数 K = K - Iγ满足与上述边界条件和腔在其透明度索引n的值;而解决方案在散射理论为准结合态 [11]是已知的。这就是我们所说的术语泄漏腔的“模式”。 图1：VCSEL （一）与微盘比较示意图（b）所示。 箭头表示在（a）和边缘发射主要地垂直发射 b）所示多层界定（一）布拉格反射镜被部分掩埋。 对于VCSEL的一个可能的横向几何形状是一个圆柱体，比照。图。 1。它允许相对简单的模型，因为它的每个层可以被认为是一个圆柱形波导管的短节，该模式被广泛解析[12]。特别的是，有两种模式在圆柱，引导模式的传播常数βz 在z方向大，泄漏模式与强度局部接近圆柱侧壁。看到拼凑在个别领域VCSEL的堆栈[13]的层，这并不奇怪，我们遇见在像素化的VCSEL两个模式的类型[14]。但是，在一个有限大小的，三维局限介质腔的所有模式都泄漏，而事实上大βz模式可以变成具有较低的Q比那些小βz， 而通过平面镜泄漏超过过横向辐射的损失。这在一个圆形的AlGaAs的门槛行为被证实，多量子阱（MQW）腔[14]垂直厚度LZ≈λ和半径R= 15微米。 在大βz，侧壁允许波导[15]，因此主要是垂直发射，与平面镜控制腔的Q因子。另一方面，小βz在平面镜根据式（1）导致内部全反射，因为入射角满足晒黑 χ= N 2，K 2 - βz/βz，其中k为自由空间波数，分子描述了内波矢量的平面内的组成部分。横向泄漏也被通过全内反射被控制，提供光循环接近侧壁接近掠入射，这只是环形高强度图的射线光等效而通常被称为回音壁（WG）模式，因为这个声模拟由瑞利勋爵首次描述 [4]。 这些环状模式根据公式从而避免屈光逃离。（1）在光学谐振腔的所有表面。下面，我们定义χ是相对于该侧壁垂直于集中在横向发射特性的入射角。忽略腔的吸收，工作组模式 Q因子是被限制的，因为在侧壁的内部反射在事实上在通过有限的表面曲率是受阻的。该波长依赖性修正光线的图片可以直截了当的计算 WKB近似[12