培养基种类繁多，根据其成分、物理状态和用途可将培养基分成多种类型.doc

半导体薄膜的制备实验的特殊性及教学尝试 四级物理实验的宗旨 按实验内容的基础普遍性、难易程度与学生知识水平相适应分为四级实验。一级实验：基本操作与测量，普及型。二、三级实验：逐步增加综合性与设计性实验的比例及难度，由教师安排，过渡到学生自己设计实验，自己准备仪器完成实验。培养综合思维和创造能力。四级实验以科研实践为主题，以科学研究的方式进行实验教学，培养学生独立科研的能力。达到以上要求的难点（对三、四级实验而言） （1）三、四级实验的对象是理科和物理类学生，有几百人参加。设备和师资有限，可能带来如下问题：设备总量将严重不足实验周期大大拉长，指导教师工作量大大增加。（2）由于增加了具有时代性和先进性的现代实验，引入了一些大型或高精尖设备，不可能让每人得到充分的操作训练，可能带来如下问题：实验设备少，操作受限；操作规程过于规范，束缚思维；实验先进，大大超前理论：知其然不知其所以然；实验标题及方法固定，实际上就难以切入真正的科研。 解决方式： ?（1）实验闲隙中（如抽真空等待时），以计算机演示的方式，向同学讲解：固体物理和半导体物理预备知识，实验原理和操作规程；（2）每次实验必须打开真空室，结合实物讲解；（3）请同学自己总结问题和提出问题；（4）利用学期近结束时的开放时间安排科研实践活动。 下是计算机部分演示： ZnO透明导电薄膜和金属电极的制备 ???预备知识：半导体结构及导电性（为没有学过“固体物理”的学生准备,另有演示,此处从略）???半导体的晶体结构, 晶格、晶向、晶面和它们的标志, 半导体的几种常见结构（金刚石型结构，闪锌矿、纤锌矿结构，氯化钠结构）???半导体中的电子状态和能带: 原子的能级和晶体的能带（导带，禁带和价带）???半导体中的杂质和缺陷能级，间隙位与替位位，施主与受主，补偿，n型与p型半导体，缺陷与位错，半导体中的掺杂ZnO薄膜的制备 实验内容介绍 一、薄膜材料简介 （1）薄膜材料 应用领域：材料科学、能源、信息 、微电子工业等;尤其宽禁带半导体光电功能材料，已成为各国研究的重点。?研究目的：利用新材料制备具有最佳性能的器件提高生产率，降低成本; 发展方向：透明导电薄膜、具有低电阻、高透射率等，可作为透明导电窗口. （2）ZnO薄膜及金属电极的制备实验方法：?????? 用掺氧化铝的氧化锌粉末靶 →真空蒸发或磁控溅射→制备半导体透明导电薄膜→测量薄膜的光电特性. 二、ZnO薄膜的基本性质 ???几种宽禁带半导体基本性质比较 三、真空蒸发制备金属电极 ???1、真空蒸发原理：??????真空条件下---蒸发源材料加热-脱离材料表面束缚---原子分子作直线运动----遇到待沉积基片---沉积成膜。???2、真空镀膜系统结构：????（1）真空镀膜室????（2）真空抽气系统（3）真空测量系统 ???旋片泵结构及工作原理示意图: ???扩散泵结构及工作原理示意图: ? ???涡轮分子泵结构示意图: ???真空测量系统----热偶规 ???热偶规工作原理：一对热电偶A、B与一对加热钨丝焊接在一起，在电流恒定不变时，热丝温度取决于管内气体的热导率K，K正比于分子平均自由程和气体浓度. 在-1托至-4托范围内,随着真空度的提高,电偶电动势也增加,因而可由热电偶电动势的变化来表示管内气体的压强. (需要注意的是,当真空度更高时,由于热传导非常小,电偶电动势变化不明显时,就需要改用其它方法测量了) ???真空测量系统----热阴极电离规 ???热阴极电离规工作原理: 从发射极F发射出电子, 经过栅极G使电子加速,加速电子打中管内气体分子时,使气体分子电离,正离子被收集极C吸收,收集极电路中的微安表记录正离子流Ii的变化, 而电子流在栅极附近作若干次振荡后被栅极吸收,由栅极电路中的毫安表记录电子流Ie.需要注意的是:真空度低于-3托时不能用电离规直接测量,原因是在低真空条件下,加热的灯丝容易氧化而烧断. ???真空蒸发镀膜工艺：以蒸铝为例 ????（1）悬挂铝丝；????（2）基片清洗及放置；????（3）系统抽真空；????（4）衬底预热；????（5）预蒸；????（6）蒸发；????（7）停机。 四、磁控溅射法制备透明导电ZnO薄膜 溅射原理：????所谓溅射，就是向高真空系统内加入少量所需气体（如氩、氧、氮等），气体分子在强电场的作用下电离而产生辉光放电。气体电离后产生的带正电荷的离子受电场加速而形成为等离子流，它们撞击到设置在阴极的靶材表面上，使靶表面的原子飞溅出来，以自由原子形式与反应气体分子形成化合物的形式沉积到衬底表面形成薄膜层。（也称阴极溅射法） ? 实验准备工作一 ：化学清洗 ?3、当描述三??