微机原理 第四章课件.pptVIP

共58张 编程写入方式：该方式要求VPP接+21V～+25V电压，且令 无效；待地址、数据就绪，通过 端送入宽为50±5ms的TTL正脉冲。这样，一个字节的数据就会被写入指定的存储单元，重复这一过程，则整个芯片大概在2分钟左右完成编程写入。 编程校验方式：此方式与读出方式基本相同，只是要求VPP接+21V～+25V电压。编程中，当一个字节被写入后，随即将写入2716中的信息读出，与写入的内容进行比较，以确定编程内容是否已经正确地写入。 禁止编程方式：该方式下禁止对芯片进行编程 Intel 2116 内部结构框图 兼片选信号 2、DRAM芯片2164 64K×1位 1 2 3 4 5 6 7 8 16 15 14 13 12 11 10 9 NC DIN WE RAS A0 A1 A2 GND VCC CAS DOUT A6 A3 A4 A5 A7 2164 RAM 4.7 只读存储器（ROM） 非易失性的半导体存储器件 1、EPROM芯片2716 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 14 13 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 DO0 DO1 DO2 VSS VCC A8 A9 VPP OE A10 CE/PGM DO7 DO6 DO5 DO4 DO3 Intel 2716 2K×8 读出时间为350～450ns NMOS工艺 24引脚DIP 11根地址线A10～A0 7条行译码，4条列译码 8根数据线DO7～DO0 ，都通过缓冲器输入、输出 50ms宽的正脉冲 是允许输出控制端 2716有六种工作方式 2、EPROM芯片2764 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 VPP A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND VCC PGM NC A8 A9 A11 OE A10 CE D7 D6 D5 D4 D3 Intel 2764 读Intel标识符方式：编码的低字节（在A0=0时读取）为制造厂商代码，高字节（在A0=1时读取）为芯片代码。 Intel编程方式：这是Intel推荐的一种快速编程方式。 2764有8种工作方式 特点：应用系统中可在线改写，断电后保存数据 EEPROM Intel 2817A 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 RDY/BUSY NC A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 I/O0 I/O1 I/O2 GND VCC WE NC A8 A9 NC OE A10 CE I/O7 I/O6 I/O5 I/O4 I/O3 Intel 2817A 2817A的工作方式 也称闪速ROM或闪光ROM 主要特点：不加电的情况下能长期保存信息，同时又能在线工作情况下进行擦除与重写 快擦写ROM (FlashROM) 4.8 存储器容量的扩充 存储器的容量： 存储容量=存储单元个数×每个存储单元的位数=2M×N 其中，M为存储芯片的地址线根数，N为数据线根数。 用存储器构成存储系统的方法： 位扩展法 字扩展法 字、位扩展法 字的个数 16M×32位存储器 AB根数？ DB根数？ * 第四章 存储器 存储器是计算机实现记忆的核心部件，用来存放数据和程序。 对于计算机的存储系统： （1）容量越大越好； （2）速度越快越好； （3）价格越低越好。 但是： 半导体存储器成本大，速度较快； 磁盘/光盘速度较慢，存取时间长，价格低。 为解决容量、速度和价格之间的矛盾，将几种存储技术结合起来，形成层次结构的计算机存储系统。 半导体存储器的主要性能指标 1、存储容量 存储器的容量是指一个存储器可以容纳的二进制信息量，以存储单元的总位数表示。即： 存储容量＝存储单元个数×每个单元的存储位数 例如某存储器有2048个存储单元，每个单元存放8位二进制数，则其容量为2048×8位。为简化书写，存储器的存储容量是以字节(Byte)为单位的，一个字节由8位(Bit)二进制数组成。例如，1KB表示1024字节的存储空间，1M=1024×1024K字节的存储空间等。 2、存取速度 该项指标可用以下两个参数中的一个进行描述： 1）存取时间(Access Time),简称TA ,存取时间定义为访问一次存储器（对指定单元的写入和读出）所需要的时间，这个时