FR-4环氧覆铜板工艺.doc

密级： FR-4环氧覆铜板 工艺开发报告 项目名称 FR-4环氧覆铜板 起讫时间 2015年3月——2015年12月 编制单位 编制 审核 批准 日期 目录 目录 I 1、引言 1 2、0.1mm厚度规格FR-4环氧覆铜板 1 2.1 样品表面形貌 1 2.2 NiCr/Cu膜层工艺与测试结果 2 2.3 Ni/Cu膜层工艺与测试结果 3 3、0.4mm厚度规格FR-4环氧覆铜板 4 3.1 样品表面形貌 4 3.2 Ni/Cu膜层工艺与测试结果 4 4、1.5mm厚度规格FR-4环氧覆铜板 5 4.1 样品表面形貌 5 4.2 SiO2(PVD)/Ni/Cu膜层工艺与测试结果 6 4.3 SiO2(CVD)/NiCr/Cu膜层工艺与测试结果 7 4.4 NiCr/Cu膜层工艺与测试结果 7 4.5 Ni/Cu膜层工艺与测试结果 8 4.5.1 Ni/Cu膜层单面板工艺与测试结果 8 4.5.2 Ni/Cu膜层双面板工艺与测试结果 9 5、结论 9 附录一 10 1、引言 FR-4环氧玻纤布基板，是以环氧树脂作粘合剂，以电子级玻璃纤维布作增强材料的一类阻燃基板常温至150仍有较高的机械强度尺寸稳定性、抗冲击性耐湿性能干态、湿态下的电气性能优良FR-4环氧覆铜板是覆铜板系列产品中用量最大、用途最为广泛的一类覆铜板产品，是制作多层印制电路板的重要基材。 PVD沉积技术用于制造超薄基铜有利于 PCB 精细导线、内孔金属化等的制造，可以大大减少电解铜箔和PCB生产造成令人头痛的环境污染问题。1～3μm厚的超薄基铜CCL，只能采用 PVD法制造，PVD 在CCL产业上的应用研究可以弥补我国高端电路板材料技术的不足，是前瞻性的具有战略意义的工作。 本文采用磁过滤扫描真空阴极弧沉积方式，主要试验了Cu、Cr/Cu、Al/Cu、Ni/Cu、Cr-DLC/Cu、NiCr/Cu、SiO2(PVD)/Ni/Cu、SiO2(CVD)/NiCr/Cu、XTR封孔剂/Ni/Cu等复合膜层NiCr/Cu或Ni/Cu膜层的FR-4覆铜板。 2、0.1mm厚度规格FR-4环氧覆铜板 2.1 样品表面形貌 采用光学显微镜 图1 光学显微镜（50X）表面形貌图 图2 SEM（2000X）表面形貌图 图3 AFM表面形貌图 2.2 NiCr/Cu膜层工艺与测试结果采用NiCr/Cu膜层 编号 霍尔源 NiCr膜 厚度 (nm) Cu膜 厚度 (nm) 剥离强度 (N/mm) 浸锡试验 1 1000V/1A/50% (10min) 72 （60A/20min） 63 （60A/15min） [0.19,0.31] 浸锡（300℃,10S/次）5次 无起泡 2 [0.31,0.40] 从测试结果来看两片覆铜板的浸锡试验均为合格第Ni/Cu膜层工艺与测试结果采用Ni/Cu膜层 编号 霍尔源 Ni膜 厚度 (nm) Cu膜 厚度 (nm) 剥离强度 (N/mm) 1 1000V/1A/50% (5min) 108 （60A/30min） 42 （60A/10min） 剥离至玻纤 剥离至玻纤 测试结果来看两片覆铜板剥离至玻纤说明结合力很好采用光学显微镜Ni/Cu膜层工艺与测试结果采用Ni/Cu膜层 编号 霍尔源 Ni膜 厚度 (nm) Cu膜 厚度 (nm) 剥离强度 (N/mm) 1 1000V/1A/50% (10min) 108 （60A/30min） 42 （60A/10min） 0.9 2 1.1 3 1000V/1A/50% (10min) 144 （60A/40min） 42 （60A/10min） 0.8 4 0.79 从测试结果来看样品的常规结合力均大于采用光学显微镜 图5 光学显微镜（50X）表面形貌图 图6 SEM（2000X）表面形貌图 图7 AFM表面形貌图 4.2 SiO2(PVD)/Ni/Cu膜层工艺与测试结果SiO2后Ni/Cu膜层 编号 霍尔源 Ni膜 厚度 (nm) Cu膜 厚度 (nm) 剥离强度 (N/mm) 浸锡试验 1 1000V/1A/50% (10min) 54 （60A/15min） 63 （60A/15min） 正面[0.67,1.10] 反面[0.35,0.77] 浸锡（300℃,10S/次）正面1次起泡 反面无起泡 2 正面[0.49,1.02] 反面[0.4