《半导体光电子学课件》下集2.3 异质结的晶格匹配.pptVIP

§2.3 异质结的晶格匹配 理想异质结要求两种材料的晶格常数应尽量匹配 要尽量可能多的相同原子 Ga Al As / Ga As 一.半导体光电子器件常用元素及化合物 Ⅱ Ⅲ Ⅳ Ⅴ Ⅵ B C N Al Si P S Zn Ga Ge As Se Cd In Sn Sb Pb Bi 二元化合物： InP GaAs 衬底材料 三元化合物：InGaAs探测 GaAlAs 0.8μm LD 四元化合物：InGaAsP 1.3、1.5μm LD 二.晶格匹配 1.晶格不匹配形成悬挂键→失配位错→LD失效 2.悬挂键密度＝ ＝△Ns 界面态密度 悬挂键密度 （100） （110） →解理面 （111） →最小 3.界面态对量子效率影响 注入界面态有效复合寿命 内量子效率 电子俘获截面 电子热运动 v 界面态密度 晶格失配率 两个界面上界面态引起的非辐射复合速度 非辐射复合寿命 界面载流子复合速度 三.晶格常数的计算 1. GaAlAs / GaAs 是晶格匹配的 因为： GaAs: a=5.653 AlAs: a=5.611 2. InGaAsP / InP（长波长 1.3μm） 晶格常数 Vagard（弗伽）定律 As(y)与Ga(x) y=2.16x时达到完全晶格匹配 临界厚度 四.温度对晶格常数的影响 a(T)=a(0)(1+αT) a(0): 晶格常数 α：热膨胀系数 生长温度：500~700 P＝0.1个大气压 使用温度：15~60 当超过临界厚度hc: T变化→由于热膨胀系数 →a(T) → →失配位错 变化组分 一般的GaAs长4个异质结(7~8层)，不同材料α不同，在一定温度下a: a；因而由晶格匹配(T1) 不匹配。 生长温度下必须保证晶格匹配的实现，同时用弹性应变的形式弥补由温度变化产生的失配位错。 五.晶格不匹配对器件性能的影响 界面上的悬挂键充当陷阱中心、复合中心吸收载流子，注入效率下降，量子效率下降。 界面态悬挂键参与非辐射复合，量子效率下降。 器件长期工作可靠性下降，温度特性退化。