5.1MOS场效应管讲述.pptVIP

1.结构 * 机电工程学院 模拟电子技术 5 场效应管放大电路 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1 金属-氧化物-半导体场效应管 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.4 沟道长度调制效应 5 场效应管放大电路 场效应管: Field Effect Transistor (缩写为:FET) 三极管: Bipolor Junction Transistor (缩写为: BJT) 场效应管 三极管 三端放大器件 5 场效应管放大电路 场效应管是一种电压控制器件，它采用信号源电压的电场效应来控制管子的输出电流，输入电流几乎为零，因此具有高输入电阻的特点；同时场效应管受温度的影响也比较小，因此场效应管已广泛地应用于各种电子电路中。 三极管是利用基极电流来控制集电极电流的，是电流控制器件。 FET 场效应管 JFET MOSFET 场效应管的分类： 5 场效应管放大电路 Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor 金属-氧化物-半导体场效应管 Junction Field Effect Transistor 结型场效应管 耗尽型 增强型 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 特点：输入电阻可达1010?以上。 S(source)为源极 g(gate)为栅极 d(drain)为漏极 Base 衬底 1.结构 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 2.工作原理 绝缘栅场效应管利用 vGS 来控制“感应电荷”的多少，改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，来控制漏极电流 ID。 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 2.工作原理 (1) vGS = 0 漏源之间相当于两个背靠背的 PN 结，无论漏源之间加何种极性电压，总是不导电。 s B d 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 2.工作原理 (2) vGS 0 ,vDS =0 P N+ S G N+ iD=0 D + – 产生垂直向下的电场 (2) vGS 0 ,vDS =0 5.1.1 N沟道增强型MOSFET P N+ S G N+ iD=0 D + – 电场排斥空穴 形成耗尽层（不能移动的负离子） 吸引电子 (2) vGS 0 ,vDS =0 5.1.1 N沟道增强型MOSFET P N+ S G N+ iD=0 D + – 形成导电沟道 出现反型层 (2) vGS 0 ,vDS =0 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 这种在vGS=0时，没有导电沟道，而必须依靠栅源电压作用，才能形成导电沟道的FET，称为增强型FET. P N+ S G N+ iD=0 D + – 5.1.1 N沟道增强型MOSFET N沟道增强型MOS管，简称NMOS N沟道 (2) vGS 0 ,vDS =0 这时如果vDS有电压，就有漏极电流iD产生，把在vGS作用下，开始导电的栅源电压 vGS叫做开启电压VT. vGS越大，感应电子层越厚，导电沟道越厚，等效沟道电阻越小，iD越大 P N+ S G N+ iD0 D + – (3) 当VGS VT ,vDS0时. 5.1.1 N沟道增强型MOSFET (a) 漏极电流iD0 vDS增大，iD增大。 电压差VGD＝VGS-VDS较低， VGS电压差较高，所以沟道的形状呈楔形分布。 P N+ S G N+ iD0 D + – vDS (c)沟道反型层呈楔形 3．当vGS VT ,vDS0时. (b)不同点的电场强度不同,左高右低 (a) 漏极电流iD0 vDS增大，iD增大。 (3) 当VGS VT ,vDS0时. 5.1.1 N沟道增强型MOSFET P N+ S G N+ iD0 D + – 若 vDS升高 vDS 反型层变窄 沟道变窄 (3) 当VGS VT ,vDS0时. 5.1.1 N沟道增强型MOSFET P N+ S G N+ iD0 D + – 其中vGD =vGS-vDS=VT时 uDS 沟道在漏极端夹断 (b) 管子预夹断 (a) iD达到最大值 (3) 当VGS VT ,vDS0 5.1.1 N沟道增强型MOSFET P N+ S G N+ iD0 D + – ，vDS进一步增大 (a) iD达到最大值且基本趋于不变 vDS 沟道夹断区延长 (b) 管子进入恒流区 (3) 当VGS VT ,vDS0时 MOSFET原理 工作原理小结 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 1. vGS ≥ VT ， vDS = 0