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电子束直写系统技术指标： 1.热场发射电子枪 2. 50和100KeV电子能量 3. 可放置的样品最大尺寸为150X150 mm 的样品架, 样品台的定位: 激光干涉仪定位，精度0.62纳米 4. 50MHz 图形发生器（带低噪声20 位主场偏转系统以及14位trapezium单元形貌定义） 5．可装2个样品夹持架的可直接装载的airlock 6．在50Kev下，写场大小为 1.0毫米X1.0毫米 （电子束斑直径大小为10纳米时） 在最小电子束斑直径 6 纳米下，最大束流 可达0.3 nA。 在电子束斑直径为10纳米时，最大束流可达到 2.5nA, 在电子束斑直径为25纳米时，最大束流可达到 10nA 7．在100KeV下写场可达到 1000微米X1000微米 （电子束斑大小为10 纳米） 电子束版和最大束流需达到如下要求： 电子束斑直径大小 （纳米） 束流大小 （nA） 2.2 0.1 5 0.5 10 8.0 20 20 27 40 8．电子束流的最大偏差：0.5%Hr (开环) 电子束流的均匀性： (在1mm1mm的写场下) 电子束流稳定性： 50 nm/hr （开环） 9．真空腔内的温度稳定度 为 10．工作台聚焦平面探测器精度： 行程: ± 100μm from nominal 重复率: ± 0.5μm (between ± 30μm) ±1.0μm (between ±50μm) 11． 工作室和双位空气锁系统 400 l/s 分子泵加无油预抽真空干泵组成 / 空气锁无油真空干泵. 工作真空度 1 x 10-6 mBar (1 x 10-4 Pa). （在一小时暴露在空气环境下）达到工作真空需要的时间大约2 小时。 空气锁在暴露在空气中10分钟后需要15分钟达到5 x 10--5mbar (5 x 10-3 Pa). 12．电子枪发射室 两 55 l/s 离子溅射泵，真空室具有烘焙能力已提供更高的真空度。. 工作压强为5 x 10-8 mBar (5 x 10-6 Pa). 13．真空控制系统是由是由可编程逻辑控制器以及LCD触摸屏系统和PC图形界面构成。 14．电子束偏转控制系统 无论是在50KV电压下还是100KV电压下，电子束偏转场的大小都为1mmX1mm, 主偏转场的定位是20位的位移分辨率。在此基础上，利用不等四边形偏转器写单元的形状，它的分辨率为14位。自动偏转校正系统用于校正由于扫描的非线性和散焦以及散光引起的误差。光束步进率可在500Hz到50MHz内选择。 15．写的方法：使用高斯光束斑点主场矢量扫描+“trapezium”形貌填充. 最大可写范围 155 mm x 155 mm 曝光剂量校准： 对于“Proximity effect”的校准，可以用无限次的曝光剂量等级。 16．束流校准：在 大于100pA 和小于200nA间自动校准电子束流. 17．偏转校正：光束质量 (焦点, 散光和 场的畸变) 是在整个偏转场范围内动态校准. 电子束斑的移动精度最高为0.16 纳米。 18．标志识别速度: 在硅基片上的金属标记 4μm方块 速度： 0.8 秒每个（束流大小在1 nA 和100 nA间）. 1.5秒每个（束流大小在100 pA 和1nA间） 19．标记探测的可重复性: 10 nm, 3 sigma, （对于束流小至 100 pA）. 20．自动高度校准: 21．精度：8nm 线阵（ 500?m 写场下）均匀性为：8 ?3nm @100kV 10nm 线阵（1000?m 写场下）均匀性为：10 ?3nm @100kV 22．拼接精度： ±15 nm （1mm 主场）@100kV, ±20 nm （1mm 主场）@50kV, 23．套刻精度 ±15 nm（1mm 主场） @100kV, ±20 nm （1mm 主场）@50kV, 24．直写精度： ±15 nm （1mm 主场）@100kV, ±20 nm （1mm 主场） @50kV, 25．如果在电子束直写系统操作中必须要用的辅助工具，则要求提供，比如套刻定位标记读取和样品高度读取用光学显微镜或水平高度激光探测系统。提供相应的用于Proximity校准的软件和图形转换软件等所有软件。 26．样品夹持架：共10个 2英寸晶圆夹持架 一个 （顶部参考） 3英寸晶圆夹持架 一个 （顶部参考） 4 英寸晶圆夹持架 一个 （顶部参考） 6英寸晶圆夹持架 一个 （顶部参考） 4 英寸晶圆夹持架 一个 （底部参考） 6英寸晶圆